可变电阻式存储器装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110828368A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201910604163.3

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 提供了一种可变电阻式存储器装置,包括:第一电极线层,包括在第一方向上延伸并在衬底上彼此间隔开的第一电极线;第二电极线层,位于第一电极线层上方,并包括在与第一方向正交的第二方向上延伸并彼此间隔开的第二电极线;和存储器单元层,包括位于第一电极线层和第二电极线层之间的存储器单元。存储器单元的每一个包括选择装置层、中间电极层和可变电阻层。第一绝缘层位于第一电极线之间,第二绝缘层位于存储器单元之间,第三绝缘层位于第二电极线之间。第二绝缘层包括在存储器单元的侧表面上的气隙。

    光电二极管集成电路
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100378832C

    公开(公告)日:2008-04-02

    申请号:CN200380110293.9

    申请日:2003-10-17

    Inventor: 朴寿韩 金钟旭

    Abstract: 本发明提供了一种用于检测来自光学介质的反射的光分量的光电检测器,该光电检测器包括:第一检测器,被划分为用于检测反射的光分量的8个区域并将这些光分量转换为电信号;第一计算部分,用于通过微分推挽方法从所述电信号计算第一循道误差信号;第二计算部分,用于从由第一检测器转换的电信号,通过像散方法计算第一聚焦误差信号,通过微分相位检测方法计算第二循道误差信号;第二检测器,被划分为用于检测由光学记录介质反射的反射的光分量的四个区域,以将这些光分量转换为电信号;和第三计算部分,用于从由第二检测器转换的电信号,通过像散方法计算第二聚焦误差信号,通过微分相位检测方法计算第三循道误差信号。

    光拾取装置和组装该光拾取装置的方法

    公开(公告)号:CN1190784C

    公开(公告)日:2005-02-23

    申请号:CN01137554.X

    申请日:2001-10-29

    Inventor: 裵桢国 金钟旭

    CPC classification number: G11B7/0956 G11B7/0925 G11B7/0932 G11B7/22

    Abstract: 本发明公开了一种兼容具有偏转误差的盘片的光拾取装置。该光拾取装置包括:其上安装物镜的翼、围绕翼安装的聚焦线圈和寻轨线圈、以及用于通过流过聚焦和寻轨线圈的电流产生感生的电磁力而驱动翼的磁铁和磁轭,其中,磁铁从翼的中心线偏移预定距离,因而,在聚焦方向上作用于翼上的电磁力是非对称的。光拾取装置的该结构导致翼的有意的径向摇摆,以使物镜的光轴大致垂直于盘片的记录表面。因此,该光拾取装置对于具有偏转误差的盘片的聚焦控制是有效的。

    光拾取装置和组装该光拾取装置的方法

    公开(公告)号:CN1379401A

    公开(公告)日:2002-11-13

    申请号:CN01137554.X

    申请日:2001-10-29

    Inventor: 裵桢国 金钟旭

    CPC classification number: G11B7/0956 G11B7/0925 G11B7/0932 G11B7/22

    Abstract: 本发明公开了一种兼容具有偏转误差的盘片的光拾取装置。该光拾取装置包括:其上安装物镜的翼、围绕翼安装的聚焦线圈和寻轨线圈、以及用于通过流过聚焦和寻轨线圈的电流产生感生的电磁力而驱动翼的磁铁和磁轭,其中,磁铁从翼的中心线偏移预定距离,因而,在聚焦方向上作用于翼上的电磁力是非对称的。光拾取装置的该结构导致翼的有意的径向摇摆,以使物镜的光轴大致垂直于盘片的记录表面。因此,该光拾取装置对于具有偏转误差的盘片的聚焦控制是有效的。

    图像传感器
    25.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN117855234A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311280462.9

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 一种图像传感器包括:基板,具有第一光电转换器件(PD)、第二光电转换器件和第三光电转换器件;在第一光电转换器件上的第一微透镜;在第二光电转换器件和第三光电转换器件上的第二微透镜;设置在第一光电转换器件和第一微透镜之间的第一滤色器;设置在第二光电转换器件和第二微透镜之间的第一多个偏振图案;设置在第三光电转换器件和第二微透镜之间的第二多个偏振图案;在第一光电转换器件和第二光电转换器件之间的第一器件隔离图案;在第二光电转换器件和第三光电转换器件之间的第二器件隔离图案;以及设置在第一滤色器和第一多个偏振图案之间的第一栅格图案。

    制造交叉点型半导体存储器件的方法

    公开(公告)号:CN112397645A

    公开(公告)日:2021-02-23

    申请号:CN202010284475.3

    申请日:2020-04-13

    Abstract: 本公开提供了制造交叉点型半导体存储器件的方法。一种制造交叉点型半导体存储器件的方法包括:形成字线和单元堆叠,间隙在单元堆叠之间;在该间隙中形成下间隙填充绝缘体;在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体;固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体;以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行,上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行,在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以大于15:1,在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以小于15:1。

    具有衍射光学元件的光学拾取设备和光学记录/再现设备

    公开(公告)号:CN102568500A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110415148.8

    申请日:2011-12-08

    CPC classification number: G11B7/1374 G11B7/1353

    Abstract: 本发明公开了一种具有衍射光学元件的光学拾取设备及具有该光学拾取设备的光学记录/再现设备。该光学拾取设备用于再现记录在光学记录介质上的信息或者将信息记录在光学记录介质上。该光学拾取设备包括:光源单元,产生光束;衍射元件,衍射产生的光束;物镜,将通过衍射元件衍射的多个衍射光束中的用于记录和再现信息的p阶衍射光束聚焦在形成在光学记录介质上的多个信息记录层中的任意一层上。不用于记录和再现信息的p±1阶衍射光束聚焦在远离所述多个信息记录层和光学记录介质的表面的点上。

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