公开(公告)号：CN107768446A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710722606.X

申请日：2017-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南泌旭 ,  金亨俊 ,  金成吉 ,  崔至薰 ,  金智美 ,  金泓奭 ,  安宰永

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42364

Abstract: 一种半导体器件可以包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层、穿透栅电极和层间绝缘层的沟道层、在栅电极与沟道层之间的栅极电介质层、填充沟道层的内部的至少一部分的填充绝缘体、在沟道层与填充绝缘体之间并且包括高k材料和/或金属的电荷固定层、以及连接到沟道层并在填充绝缘体上的导电焊盘。导电焊盘可以与电荷固定层物理分离。

公开(公告)号：CN1905214A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610107584.8

申请日：2006-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴东妍 ,  崔定爀 ,  宋在爀 ,  林种光 ,  安宰永 ,  黄棋铉 ,  金振均 ,  金泓奭

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/105 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括横跨半导体衬底的有源区形成的浮置栅，以及在浮置栅上形成的控制栅电极。在浮置栅和有源区之间形成绝缘图形，使得绝缘图形接触浮置栅的底边缘和侧壁。