公开(公告)号：CN101256366B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810092008.X

申请日：2008-02-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进瑟弥侃株式会社

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金炳郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％-约98.5重量％的γ-丁内酯、约1重量％-约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％-约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％-约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。

公开(公告)号：CN1904742B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200610103511.1

申请日：2006-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  金时烈 ,  郑钟铉 ,  申原硕

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7685 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种光刻胶去除剂组合物、以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法。该光刻胶去除剂组合物包括约50WT％至约70WT％的二乙二醇丁醚、约20WT％至约40WT％的烷基吡咯烷酮、约1WT％至约10WT％的有机胺化合物、约1WT％至约5WT％的氨基丙基吗啉、以及约0.01WT％至约0.5WT％的巯基化合物。

公开(公告)号：CN101477969B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200910002999.2

申请日：2005-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  金时烈 ,  郑钟铉 ,  申原硕

IPC: H01L21/84 ,  G03F7/42 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32 ,  H01J17/49

Abstract: 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。

公开(公告)号：CN101750822A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910258383.1

申请日：2009-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  郑钟铉 ,  崔永柱 ,  朴弘植 ,  印泰炯 ,  李东勋 ,  尹弼相 ,  朴帝亨 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  徐南锡

IPC: G02F1/1362 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种显示基板及其制造方法，该显示基板包括：底基板；设置在底基板下表面上的形变防止层，其中形变防止层向底基板施加防止底基板弯曲的力；设置在底基板上表面上的栅极线；设置在底基板上的数据线；以及设置在底基板上的像素电极。

公开(公告)号：CN101477969A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910002999.2

申请日：2005-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  金时烈 ,  郑钟铉 ,  申原硕

IPC: H01L21/84 ,  G03F7/42 ,  G02F1/136 ,  H01L27/32 ,  H01J17/49

Abstract: 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。

公开(公告)号：CN1877448A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610067407.1

申请日：2006-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴弘植 ,  金时烈 ,  郑钟铉 ,  申原硕

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: C23F1/30 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种蚀刻剂，一种使用该蚀刻剂制造布线的方法，以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。该蚀刻剂包括具有分子式1的材料、乙酸铵和余量的去离子水，其中，所述分子式1表示为：M(OH)XLY…(1)，M表示Zn、Sn、Cr、Al、Ba、Fe、Ti、Si或B，X表示2或3，L表示H2O、NH3、CN、COR或NH2R，Y表示0、1、2或3，以及R表示烷基。