-
公开(公告)号：CN101030623A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610137442.6
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
-
公开(公告)号：CN1976039A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610136072.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属－绝缘体－金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。
-
公开(公告)号：CN1862831A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610081819.0
申请日：2006-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: 提供了一种包括金属绝缘体转换材料的晶体管及其制造方法。所述包括金属绝缘体转换材料的晶体管包括：衬底；形成于所述衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上彼此分开形成的源极区和漏极区；分别形成于所述源极区和所述漏极区的表面上的隧穿势垒层；形成于所述隧穿势垒层和所述绝缘层上的金属绝缘体转换材料层；堆叠在所述金属绝缘体转换材料层上的介电层；以及形成于所述介电层上的栅电极层。
-
公开(公告)号：CN1790744A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510124729.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/685
Abstract: 提供了通过所施加的电压改变沟道物理性质的晶体管及其制造和操作方法。该晶体管包括在衬底上制备为线形状的第一导电层，依次堆叠在第一导电层上的相变层和第二导电层，在第二导电层上形成并分开预定空间的第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元，分别在第一电流方向限制单元和第二电流方向限制单元上形成的第三导电层和第四导电层，连接到第三导电层的字线，连接到第四导电层的位线，以及连接到字线的电压降低单元。
-
公开(公告)号：CN1773711A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510084791.1
申请日：2005-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L21/8247 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7926 , H01L29/42332 , H01L29/7887 , H01L29/7923
Abstract: 本发明公开一种多位非易失性存储器件、操作该器件的方法以及制造多位非易失性存储器件的方法。形成在半导体衬底上的多位非易失性存储器件的单位单元包括：垂直于半导体衬底的上表面设置的多个沟道；垂直于半导体衬底的上表面在沟道相对侧设置的多个存储节点；围绕沟道及存储节点的上部分和存储节点的侧表面的控制栅极；以及形成在沟道和存储节点之间、沟道和控制栅极之间、以及存储节点和控制栅极之间的绝缘膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101064359B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200610142401.6
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , H01L29/24 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件，该非易失存储器件包括：下电极；在下电极上形成的第一氧化物层；在第一氧化物层上形成且具有可变电阻特性的第二氧化物层；形成于第二氧化物层上的缓冲层；以及形成于缓冲层上的上电极。
-
公开(公告)号：CN101192647B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200610163636.3
申请日：2006-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L21/31691 , H01L29/47 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了包括无定形合金金属氧化物层的非易失性存储装置。所述非易失性存储器装置包括底电极、布置在所述底电极上的包括无定形合金金属氧化物的氧化物层和布置在所述氧化物层上的二极管结构体。
-
公开(公告)号：CN1862831B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200610081819.0
申请日：2006-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L49/00
CPC classification number: H01L49/003
Abstract: 提供了一种包括金属绝缘体转换材料的晶体管及其制造方法。所述包括金属绝缘体转换材料的晶体管包括：衬底；形成于所述衬底上的绝缘层；在所述绝缘层上彼此分开形成的源极区和漏极区；分别形成于所述源极区和所述漏极区的表面上的隧穿势垒层；形成于所述隧穿势垒层和所述绝缘层上的金属绝缘体转换材料层；堆叠在所述金属绝缘体转换材料层上的介电层；以及形成于所述介电层上的栅电极层，其中，根据所述源极区和所述漏极区之间的电势差将所述金属绝缘体转换材料层从金属变成绝缘体或者反之。
-
公开(公告)号：CN1976039B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200610136072.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属-绝缘体-金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。
-
公开(公告)号：CN101101964A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710091903.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李殷洪 , 赵重来 , 斯蒂法诺维奇·金瑞克
CPC classification number: H01L45/12 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括可变电阻材料的非易失存储器件。所述非易失存储器件包括：下电极；缓冲层，形成在所述下电极上，并且在缓冲层与下电极之间的界面上形成了肖特基势垒；形成在缓冲层上的具有可变电阻特性的可变电阻材料层；和形成在可变电阻材料层上的上电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.016 seconds)
