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公开(公告)号：CN110277453A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910188527.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种形成半导体装置的方法。所述半导体装置包括：鳍形图案，位于基底上；至少一个栅电极，与鳍形图案交叉；源/漏区，位于鳍形图案的上表面上；以及至少一个阻挡层，位于鳍形图案中的第一鳍形图案的侧壁上，所述至少一个阻挡层延伸超过鳍形图案中的第一鳍形图案的上表面，其中，源/漏区中的位于第一鳍形图案的上表面上的第一源/漏区具有不对称的形状并且与所述至少一个阻挡层直接接触。
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公开(公告)号：CN109427783A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810253757.X
申请日：2018-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路装置包括：第一鳍有源区，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
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公开(公告)号：CN107923397A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047067.8
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种压缩机包括排放引导件和中压腔室，排放引导件被提供为将排放口和旁路口连通到排放盖，使得从排放口和旁路口排出的制冷剂被引导至排放盖，中压腔室通过固定涡旋盘、背压盖和排放引导件形成。根据实施方式的压缩机通过安装于固定涡旋盘的排放部的排放引导件而保证其中能安装旁路阀的空间，同时形成中压腔室，从而导致压缩机的效率提高。根据实施方式的压缩机通过排放引导件减少了从固定涡旋盘的排放部产生的噪声和振动。
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公开(公告)号：CN119769015A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061741.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种家用电器（100）的控制方法，该家用电器（100）包括由驱动电流驱动的电机（120），该方法包括以下步骤：接收用于停止电机（120）的停止信号；基于接收到停止信号，执行用于停止向电机（120）供应驱动电流的开路制动控制；基于开路制动控制开始时电机的电机相电流，估计开路制动控制开始时电机的初始电机速度；基于所估计的初始电机速度，确定用于在与电机旋转方向相反的方向上施加扭矩的短路制动控制的开始时间；以及在所确定的短路制动控制开始时间执行短路制动控制。
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公开(公告)号：CN110137137B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201910103231.8
申请日：2019-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L29/78
Abstract: 一种集成电路半导体器件包括：第一区域，具有第一有源图案，该第一有源图案具有第一突出部分和第一凹陷部分；以及第二区域，具有第二有源图案，该第二有源图案具有第二突出部分和第二凹陷部分。第一栅极图案在第一突出部分上。第二栅极图案在第二突出部分上。第一源极/漏极区域在第一有源图案的第一凹陷部分之一上且在第一栅极图案中的两个之间。第一源极/漏极区域在其上部具有第一增强外延层。第二源极/漏极区域在第二有源图案的第二凹陷部分之一上且在第二栅极图案中的两个之间。第二源极/漏极区域具有第二增强外延层，该第二增强外延层具有与第一增强外延层的第一外延生长表面不同地成形的外延生长表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729291B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201910603071.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H10B10/00
Abstract: 一种半导体器件包括：包括有源图案的衬底；跨越有源图案的栅电极；源极/漏极图案，与栅电极的一侧相邻并且在有源图案的上部；电连接到源极/漏极图案的有源接触；以及在源极/漏极图案与有源接触之间的硅化物层，源极/漏极图案包括包含多个半导体图案的主体部以及在主体部上的盖图案，主体部具有第一面、在第一面上的第二面、以及限定在第一面与第二面相交之处的拐角边缘，拐角边缘平行于衬底延伸，盖图案覆盖主体部的第二面并暴露拐角边缘，硅化物层覆盖主体部的顶表面和盖图案的顶表面。
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公开(公告)号：CN110364415B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910240455.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了一种制造包括不同的阻挡层结构的半导体装置的方法。所述方法可包括：在基底的第一区、第二区和第三区上形成第一导电层；在第一导电层上形成阻挡层，阻挡层包括顺序地形成的第一阻挡层、第二阻挡层和牺牲层；在阻挡层上顺序地形成第二导电层和第三导电层；执行第一蚀刻工艺以从第二区和第三区去除第三导电层，第三导电层在第一蚀刻工艺之后保留在第一区上；以及执行第二蚀刻工艺以从第三区去除第二导电层，第二导电层在第二蚀刻工艺之后保留在第一区和第二区上。
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公开(公告)号：CN111197578B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201911134853.3
申请日：2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种压缩机及使用该压缩机的电子装置，在压缩机中，吸入引导件设置在壳体的气体吸入管与压缩单元的入口之间。压缩机包括：压缩单元，包括用于吸入气体的入口，并且被构造为压缩吸入的气体；壳体，被构造为容纳压缩单元；以及吸入引导件，包括用于将气体从壳体的外部引导到入口的通道，其中，压缩单元包括从入口的边缘延伸的第一表面，吸入引导件包括从通道的风口的边缘延伸的第二表面并且设置在壳体的内部区域中以使第一表面与第二表面彼此面对，并且第一表面的外端和第二表面的内端沿着压缩机的轴线方向不重叠或者第一表面的内端和第二表面的外端沿着压缩机的轴线方向不重叠。
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公开(公告)号：CN110729291A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910603071.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L27/11
Abstract: 一种半导体器件包括：包括有源图案的衬底；跨越有源图案的栅电极；源极/漏极图案，与栅电极的一侧相邻并且在有源图案的上部；电连接到源极/漏极图案的有源接触；以及在源极/漏极图案与有源接触之间的硅化物层，源极/漏极图案包括包含多个半导体图案的主体部以及在主体部上的盖图案，主体部具有第一面、在第一面上的第二面、以及限定在第一面与第二面相交之处的拐角边缘，拐角边缘平行于衬底延伸，盖图案覆盖主体部的第二面并暴露拐角边缘，硅化物层覆盖主体部的顶表面和盖图案的顶表面。
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公开(公告)号：CN110718590A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910630460.5
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件，包括：鳍式有源区，其在衬底上沿着与衬底的上表面平行的第一方向延伸；和源极/漏极区，其在延伸到鳍式有源区内的凹陷区内，其中，源极/漏极区包括：第一源极/漏极材料层；在第一源极/漏极材料层上的第二源极/漏极材料层；和在第一源极/漏极材料层和第二源极/漏极材料层之间的界面上的第一掺杂物扩散阻挡层。
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