公开(公告)号：CN110620110B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201910145007.5

申请日：2019-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昶佑 ,  宋昇珉 ,  裵金钟 ,  裵东一

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种包括鳍型场效应晶体管(fin‑FET)的半导体器件包括：设置在衬底上的有源鳍；在有源鳍的两侧上的隔离层；形成为与有源鳍和隔离层交叉的栅极结构；在栅极结构的侧壁上在有源鳍上的源极/漏极区；第一层间绝缘层，在隔离层上与栅极结构的侧壁的部分和源极/漏极区的表面的部分接触；蚀刻停止层，构造为重叠第一层间绝缘层、栅极结构的侧壁和源极/漏极区；以及接触插塞，形成为穿过蚀刻停止层以接触源极/漏极区。源极/漏极区具有与有源鳍的上表面接触的主生长部分。

公开(公告)号：CN114944363A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111190682.3

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昊俊 ,  朴范琎 ,  裵东一 ,  米尔科·康托尔

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括多个栅极结构和多个分离图案，多个栅极结构在基底上沿第一方向彼此间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个分离图案分别穿透多个栅极结构中的紧邻的栅极结构。多个分离图案中的每个将紧邻的栅极结构中的对应的一个栅极结构分离成在第二方向上彼此间隔开的一对栅极结构。多个分离图案沿着第一方向彼此间隔开并且对齐。

公开(公告)号：CN112331721A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202010777350.4

申请日：2020-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑朱希 ,  金真范 ,  裵东一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体器件，包括：在垂直方向从半导体衬底延伸的有源区域；在有源区域上彼此间隔开的源极/漏极区域；在有源区域上的源极/漏极区域之间的鳍结构；覆盖有源区域的侧表面的隔离层；栅极结构，其与鳍结构重叠并覆盖鳍结构的上表面和侧表面；以及电连接到源极/漏极区域的接触插塞，鳍结构包括：在有源区域上的下半导体区域；在下半导体区域上的具有交替的第一半导体层和第二半导体层的堆叠结构，第一半导体层的至少一个的侧表面朝向相应的中心凹入；以及在堆叠结构上的半导体盖层，半导体盖层在栅极结构与下半导体区域和堆叠结构的每个之间。

公开(公告)号：CN111987162A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010434781.0

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁正吉 ,  宋昇珉 ,  郑秀真 ,  裵东一 ,  徐凤锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 具有环栅结构的半导体器件包括：由第一沟槽分隔并在第一方向上延伸的第一鳍图案和第二鳍图案；在第一鳍图案上的第一纳米片；在第二鳍图案上的第二纳米片；第一鳍衬层，沿着第一沟槽的底表面和侧壁的至少一部分延伸；第一场绝缘层，设置在第一鳍衬层上并填充第一沟槽的一部分；以及第一栅极结构，与第一鳍图案的端部交叠并包括第一栅极间隔物。从第一沟槽的底表面到第一栅极间隔物的下表面的高度大于从第一沟槽的底表面到第一场绝缘层的上表面的高度。

公开(公告)号：CN110875375A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910466683.2

申请日：2019-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昶佑 ,  姜明吉 ,  金昊俊 ,  裵金钟 ,  裵东一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 根据示例实施例的半导体器件包括：衬底，在彼此相交的第一方向和第二方向上延伸；纳米线，在所述衬底上并在所述第二方向上彼此间隔开；栅电极，在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此间隔开，并围绕所述纳米线以与所述纳米线竖直地叠置；外部隔墙，在所述衬底上并覆盖所述纳米线上的所述栅电极的侧壁；以及隔离层，在所述栅电极之间并在所述第一方向上延伸，其中，所述隔离层的上表面与所述栅电极的上表面齐平。

公开(公告)号：CN109860298A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811358045.0

申请日：2018-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁正吉 ,  宋升珉 ,  裵金钟 ,  裵东一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：沟道图案，包括顺序地堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；以及栅电极，沿第一方向延伸并交叉沟道图案。栅电极包括插置在衬底与第一半导体图案之间的第一部分、以及插置在第一半导体图案与第二半导体图案之间的第二部分。第一部分在第二方向上的最大宽度大于第二部分在第二方向上的最大宽度，第二半导体图案在第二方向上的最大长度小于第一半导体图案在第二方向上的最大长度。

公开(公告)号：CN109686790A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201810846316.0

申请日：2018-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴雨锡 ,  宋昇珉 ,  梁正吉 ,  裵金钟 ,  裵东一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L27/11 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置包括设置在衬底的第一区上的晶体管以及设置在衬底的第二区上的非有源组件，晶体管包括：源极/漏极区；多个沟道层，在分别连接源极/漏极区的同时在与衬底的上表面垂直的方向上彼此间隔开；栅极电极，环绕多个沟道层中的每一者；以及栅极绝缘体，位于栅极电极与多个沟道层之间。非有源组件包括：鳍结构，包括交替地堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案；外延区，邻近鳍结构；非有源电极，与鳍结构相交；以及阻挡绝缘膜，位于非有源电极与鳍结构之间。本公开的半导体装置可以高速度运行，同时可考虑在操作方面具有高度准确性以及对半导体装置中所包括的晶体管的结构进行优化。