公开(公告)号：CN1527359A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200310124851.9

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贤友 ,  禹相均

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  Y10S430/143

Abstract: 一种通过形成ArF抗蚀剂图形，然后通过在热处理期间将抗蚀剂图形暴露在VUV(真空紫外线)受激准分子激光器的辐射或E－束辐射中以减小图形开口的尺寸，在半导体器件上形成精细图形，特别是接触孔的方法，以临时减小抗蚀剂图形的Tg，并允许它流动，从而减小图形中的间隔和开口。

公开(公告)号：CN1456580A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN03110159.3

申请日：2003-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贤友 ,  禹相均 ,  郑明浩

IPC: C08F220/26 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0395 ,  G03F7/0397

Abstract: 光敏聚合物，其中具有均匀分布的疏水性和亲水性部分，及含有该光敏聚合物的光阻剂组合物。光敏聚合物具有如上通式，其中R1和R2独立地为氢原子或甲基，R3为酸不稳定C4～C20烃基，R4为亲水基团，a/(a+b+c+d+e)＝0.01～0.6，b/(a+b+c+d+e)＝0.05～0.7，c/(a+b+c+d+e)＝0.01～0.6，d/(a+b+c+d+e)＝0.1～0.5，和e/(a+b+c+d+e)＝0.01～0.5。