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公开(公告)号：CN118042830A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311406000.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底；衬底上的多个下电极；至少一个支撑层，与多个下电极接触；在多个下电极和至少一个支撑层上的介电层；以及介电层上的上电极。多个下电极中的每个下电极可以包括第一下电极和在第一下电极上的第二下电极。至少一个支撑层可以包括与第一下电极的上部区域的侧表面接触的第一支撑层。第二下电极的最上端的水平可以高于第一支撑层的上表面的水平。
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公开(公告)号：CN117727742A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311198035.6
申请日：2023-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电容器结构包括第一下导电图案、第一电容器、第一上导电图案、第二下导电图案、第二电容器和第二上导电图案。第一电容器包括第一下电极、第一上电极和第一介电结构。每一个第一介电结构设置在第一下电极之一与第一上电极中的对应第一上电极之间。第一上导电图案形成在第一上电极上并且电连接到第一上电极。第二下导电图案与设置在衬底上的第一下导电图案间隔开。第二电容器包括第二下电极、第二上电极和第二介电结构。第二上导电图案形成在第二上电极上并且电连接到第二上电极。第一导电图案和第二导电图案彼此电绝缘。
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公开(公告)号：CN117641935A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311110640.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B53/30
Abstract: 一种集成电路器件包括设置在衬底上的晶体管和与晶体管电连接的电容器结构，其中电容器结构包括第一电极、设置在第一电极上的电介质膜复合物和设置在电介质膜复合物上的第二电极，电介质膜复合物包括包含反铁电材料的第一电介质膜、分布和设置在第一电介质膜中的第二电介质填充物、以及分布和设置在第一电介质膜中的第三电介质填充物，第二电介质填充物包含铁电材料，第三电介质填充物包括顺电材料，并且具有比第二电介质填充物的平均直径小的平均直径。
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公开(公告)号：CN116615025A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211566742.1
申请日：2022-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：衬底；以及电容器结构，所述电容器结构位于所述衬底上，并且包括下电极、电容器电介质层和上电极。其中，所述电容器电介质层包括：下界面层，所述下界面层位于所述下电极上并且掺杂有第一导电类型的杂质；上界面层，所述上界面层在所述上电极下方，并且掺杂有并非所述第一导电类型的第二导电类型的杂质；以及电介质结构，所述电介质结构位于所述下界面层与所述上界面层之间。
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公开(公告)号：CN116367706A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211657948.5
申请日：2022-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了一种电容器。电容器包括：下电极；介电层结构，设置在下电极上；以及上电极，设置在介电层结构上。介电层结构包括第一介电层、接触第一介电层的第二介电层、以及接触第二介电层的第三介电层。第一介电层、第二介电层和第三介电层中的每一个包括具有晶体结构的材料。第二介电层包括具有铁电或反铁电特性的氧化物，并且第二介电层包括混合了至少两种不同晶相的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116156880A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211462716.4
申请日：2022-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明的半导体器件可以包括：衬底；栅极结构，在衬底上；电容器接触结构，连接到衬底；下电极，连接到电容器接触结构；支撑部，支撑下电极的侧壁；界面层，覆盖下电极并包括卤素材料；电容器绝缘层，覆盖界面层和支撑部；以及上电极，覆盖电容器绝缘层。界面层可以包括接触下电极的第一表面和接触电容器绝缘层的第二表面。界面层的卤素材料更靠近第一表面而不是更靠近第二表面。
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公开(公告)号：CN115955910A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211209632.X
申请日：2022-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：下电极，设置在基底上；绝缘支撑图案，支撑下电极；介电膜，围绕下电极和绝缘支撑图案；高k界面层，布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间，其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与下电极相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。
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公开(公告)号：CN108022928B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710983668.6
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及垂直存储器件及制造其的方法。一种垂直存储器件包括具有下半导体图案结构和上半导体图案的第一结构以及围绕第一结构的侧壁的多个栅电极，下半导体图案结构填充衬底上的凹陷并在基本上垂直于衬底的上表面的第一方向上从衬底的上表面突出，下半导体图案结构包括顺序堆叠的第一未掺杂半导体图案、掺杂半导体图案和第二未掺杂半导体图案，并且掺杂半导体图案的下表面低于衬底的上表面，上半导体图案在下半导体图案结构上在第一方向上延伸，所述多个栅电极分别在多个层处从而在第一方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN114784004A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202111573504.9
申请日：2021-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置包括：着陆焊盘，其位于衬底上；下电极，其位于着陆焊盘上并且连接到着陆焊盘；电容器电介质膜，其位于下电极上并且包括四方晶系和斜方晶系二者；第一掺杂层，其位于下电极和电容器电介质膜之间并且包括第一金属；以及上电极，其位于电容器电介质膜上。
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公开(公告)号：CN111668218A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010091291.5
申请日：2020-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件能够通过使用包含铁电材料及顺电材料的电容器介电膜来增大电容器的电容而改善元件的性能和/或可靠性。所述半导体器件包括：被设置成彼此间隔开的第一电极与第二电极；以及电容器介电膜，设置在第一电极与第二电极之间且包括第一介电膜及第二介电膜。所述第一介电膜包括第一单金属氧化物膜及第一双金属氧化物膜中的一者，第一介电膜具有正交晶系，第二介电膜包含顺电材料，且电容器介电膜的介电常数大于第二介电膜的介电常数。
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