半导体器件
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105047715A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510219477.3

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括:第一多沟道有源图案,由场绝缘层限定并沿着第一方向延伸,第一多沟道有源图案包括第一部分以及在第一部分两侧的第二部分,第一部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出的顶表面,第二部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出并在向上方向上比第一部分的顶表面突出得少的顶表面,第二部分具有连续轮廓的侧壁;栅电极,在第一多沟道有源图案的第一部分上,该栅电极沿着不同于第一方向的第二方向延伸;以及第一源/漏区,在第一多沟道有源图案的第二部分上并接触场绝缘层。

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