公开(公告)号：CN101154007A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710163020.0

申请日：2007-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正浩 ,  朴旻昱

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/133 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/133707 ,  G02F1/1343 ,  G02F2201/122

Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器(LCD)及改进该LCD的视角的方法，该LCD包括第一基底、第二基底和置于第一基底和第二基底之间的液晶层。像素电极形成在第一基底上并设置有第一范围划分件。共电极形成在第二基底上并设置有第二范围划分件。第二范围划分件沿着第一方向和与第一方向对称的第二方向延伸，以具有第二范围划分件的弯曲部分。在共电极的平面图中，共电极具有锯齿形状的凹凸部分，凹凸部分设置在形成有弯曲部分的区域中。

公开(公告)号：CN101114092A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710130041.2

申请日：2007-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东奎 ,  金仁雨 ,  梁丙德 ,  朴旻昱 ,  孙宇成 ,  秋玟亨 ,  郑敬锡

IPC: G02F1/1362 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136259 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，该液晶显示器包括：基板；栅极导体，其形成在该基板上且包括栅极线和栅电极；数据导体，包括与栅极线交叉的数据线和设置在栅电极上的源电极；以及像素电极，其形成在所述基板上，其中数据线和源电极与第一内部连线和第二内部连线相连接。

公开(公告)号：CN101110436A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710139014.1

申请日：2007-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秋玟亨 ,  朴旻昱 ,  宋荣九 ,  金仁雨

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136209 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种阵列基底。该阵列基底包括形成在半导体线下方的光阻挡部分。光阻挡部分的电势小于发生短路的临界电势，从而使向光阻挡部分施加静电场时光阻挡部分和邻近的线之间的电势差最小化。

公开(公告)号：CN1904725A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610106176.0

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金爀珍 ,  朴旻昱 ,  金仁雨

IPC: G03F1/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/13625 ,  G03F1/00 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/70791 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开了一种用于形成显示器基板的掩模，使用该掩模制造显示器基板的方法和显示器基板，其能够通过避免色斑和色移提高色泽复现性。所述掩模包括第一子掩模、第二子掩模、第一交叠部分和第二交叠部分。第一子掩模包括彩色标线，从而在显示器基板的第一有源区内形成彩色像素。第二子掩模包括彩色标线，从而在显示器基板的第二有源区内形成彩色像素。第一交叠部分位于与第二子掩模交叠的第一子掩模的部分上。以不同于第一子掩模的其余部分的密度排列第一交叠部分内的彩色标线。第二交叠部分位于与第一子掩模交叠的第二子掩模的部分上。以基本等于第一交叠部分的密度排列第二交叠部分内的彩色标线。因此，改善了图像显示质量。

公开(公告)号：CN1901209A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610128565.3

申请日：2006-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金景旭 ,  朴旻昱

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(“TFT”)阵列面板。TFT阵列面板包括绝缘基板、形成在绝缘基板上并包括栅电极的栅线、与栅线绝缘并交叉且包括源电极的数据线、在栅线上与源电极相对配置的漏电极、和形成在数据线和栅线之间的层中并具有在漏电极之下延伸的伸出部分的半导体，其中该半导体的从数据线占据的区域向漏电极延伸的部分设置在包括栅电极的栅线的占据区域内。