公开(公告)号：CN1252823C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN02130478.5

申请日：2002-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  蔡洙杜

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7883 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明提供了一种用量子器件形成的存储器及其制造方法。存储器包括：一衬底；形成在该衬底上的一源极区和一漏极区，以彼此隔开一预定间隔；一存储单元，形成在该衬底的表面上以连接该源极区和该漏极区，并具有填充有用于储存电子的材料的多个纳米尺度的量子点；以及一控制栅极，该控制栅极形成在存储单元上，并控制储存在该存储单元中的电子数。通过提供具有纳米尺度的量子点的存储器及其制造方法，可以实现高效且高度集成的存储器。

公开(公告)号：CN1542920A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410034828.5

申请日：2004-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  裵恩珠 ,  堀井秀树

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8239 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/28562 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/16 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/16 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S977/75 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开一种使用碳纳米管来形成用于半导体装置的导电线的方法以及用该方法制造的半导体装置。该方法包括：采用表面预处理法活化半导体装置的电极的表面；在电极表面上形成一绝缘层并在该绝缘层中形成一接触孔，以使得电极的部分活化表面暴露在外；通过接触孔向电极的活化表面通入含碳元素的气体，以在电极的活化表面上生长形成导电线的碳纳米管。电极表面的活化过程可被在电极表面上形成催化金属层的步骤所代替。按照该方法，具有高电流密度的碳纳米管可形成用于半导体装置的导电线，并因此可制造出超高集成化的半导体装置。

公开(公告)号：CN1427083A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02143346.1

申请日：2002-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜成浩 ,  朴维槿 ,  崔原凤

IPC: C12Q1/68 ,  G01N33/50 ,  G01N33/68

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B01L3/502761 ,  B01L2300/0681 ,  B01L2300/0896 ,  B82Y5/00 ,  C12Q1/6806

Abstract: 所披露的是一种生物芯片以及一种在生物芯片中分离包含在样本中的目标物质的方法。该生物芯片包括：一个衬底；一个放在衬底上的样本装载部分；以及多个在通道中按照预定间隔排列的碳纳米管。所述方法包括如下步骤：在样本装载部分上装载包含目标物质的样本；使样本流过通道；以及根据碳纳米管之间的间隔有选择地分离包含在样本中的目标物质。按照本发明，可以方便地对通道中的各种样本进行分离或者过滤，因此可以防止样本污染和实验数据误差。