公开(公告)号：CN100465704C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN03164805.3

申请日：2003-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白范基 ,  崔权永 ,  李荣埈 ,  姜奉周 ,  林承泽 ,  孔香植 ,  金垣炷

IPC: G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a-Si层，非本征a-Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a-Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a-Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。

公开(公告)号：CN100422830C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410073732.X

申请日：2004-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明在 ,  孔香植 ,  李荣埈 ,  朴亨俊

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：绝缘基片、在该绝缘基片上形成并具有栅极的栅极线、在该栅极线上形成的栅极绝缘层、在该栅极绝缘层上形成的半导体层、具有至少一部分与半导体层重叠的源极且与栅极线交叉的数据线、至少一部分与半导体层重叠且以栅极为中心与源极保持一定间距的漏极、在漏极及数据线上形成的钝化层、在钝化层上形成且与漏极电连接的像素电极。像素电极具有与像素电极连接且与数据线重叠的辅助图案。

公开(公告)号：CN1575525A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02820938.9

申请日：2002-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  孔香植 ,  朴旻昱 ,  全相镇

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明涉及一种制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基片的方法。在该方法中，在基片上形成包括栅极线、栅极、和栅极衬垫的横向栅极布线。然后，形成栅极绝缘层，在其上部顺次形成半导体层及欧姆接触层。接着，将导电层沉积在基片上，并制作布线图案形成包括与栅极线交叉的数据线、源极、漏极、和数据衬垫的数据布线。接着，将保护层和有机绝缘层沉积在基片上。将有机绝缘层进行曝光和显像，从而形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫上部保护层的接触孔。接着，将有机绝缘层作为掩膜蚀刻露出的保护层，露出漏极、栅极衬垫、以及数据衬垫。接着，通过固化收缩或回流有机绝缘层，以便在接触区域除去底切结构。在固化步骤之前抛光有机绝缘层。接着，将ITO或IZO沉积在有机绝缘层上，并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫连接的像素电极、辅助栅极衬垫、及辅助数据衬垫。