公开(公告)号：CN1838321A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610071461.3

申请日：2006-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵栢衡 ,  金杜应 ,  郭忠根 ,  赵佑荣 ,  吴泂录

IPC: G11C11/56 ,  G11C11/4193 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004

Abstract: 本发明公开了一种相变随机存取存储器(PRAM)设备，其包括多个行和列的PRAM存储器单元以及至少一个电耦合到一列PRAM存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。

公开(公告)号：CN1574092A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046553.7

申请日：2004-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴泂录 ,  赵栢衡 ,  金杜应 ,  赵佑荣

IPC: G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/144

Abstract: 一种包括多个存取晶体管和由多个存取晶体管共享的可变相薄膜的相随机存取存储器，每个存取晶体管包括漏极区。可变相薄膜通过第一电极连接到位线，并且通过多个第二电极中的至少一个连接到每个对应的漏极区。