公开(公告)号：CN110023438A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780072984.6

申请日：2017-11-16

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: C09J7/29 ,  B32B27/00 ,  C09J133/06 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明的粘着性层叠膜(50)依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)，按照JIS Z0237通过下述方法测得的、耐热性树脂层(10)与柔软性树脂层(20)之间的剥离强度P0为0.01N/25mm以上2.0N/25mm以下，并且，将粘着性层叠膜(50)在160℃热处理4小时后的、耐热性树脂层(10)与柔软性树脂层(20)之间的剥离强度P1为0.05N/25mm以上1.5N/25mm以下。(剥离强度的测定方法)以使粘着性树脂层(30)与硅晶片相接的方式将粘着性层叠膜(50)粘贴于上述硅晶片。接着，使用拉伸试验机，在25℃、拉伸速度300mm/分钟的条件下沿180度方向将耐热性树脂层(10)从柔软性树脂层(20)剥离，测定此时的强度(N/25mm)，测定2次，将其平均值设为剥离强度。

公开(公告)号：CN109906385A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201780066817.0

申请日：2017-10-24

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: G01R31/26 ,  C09J7/29 ,  C09J7/25 ,  H01L21/301 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明的电子装置的制造方法具备下述工序：工序(A)，准备结构体，所述结构体具备粘着性膜以及粘贴于其粘着面上的1个或2个以上的电子部件；工序(B)，将结构体配置在具备具有电子部件搭载区域的试样台以及探针卡的电子部件试验装置内，以使电子部件隔着粘着性膜而位于电子部件试验装置中的试样台的电子部件搭载区域上，所述探针卡设置于与试样台对置的位置，并且具有探针端子；工序(C)，在被粘贴于粘着性膜上的状态下，使探针端子与电子部件的端子接触来评价电子部件的特性；工序(D)，然后，从粘着性膜拾取电子部件。而且，至少在工序(C)中，结构体被配置在框架的框内，并且粘着性膜的端部被固定于框架，在试样台的垂直方向上，使框架的上表面配置于比试样台的电子部件搭载区域的上表面靠下方。

公开(公告)号：CN109075085A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780021681.1

申请日：2017-03-27

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/301 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。所述工序为：工序(A)，准备第1结构体(100)，所述第1结构体(100)具备依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)的粘着性层叠膜(50)、以及粘贴于粘着性树脂层(30)上且具有第1端子(65)的第1半导体部件(60)；工序(B)，在粘贴于粘着性树脂层(30)上的状态下，对第1结构体(100)进行回流焊处理；工序(C)，在工序(B)之后，将耐热性树脂层(10)从粘着性层叠膜(50)剥离。

公开(公告)号：CN108966672A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201780019314.8

申请日：2017-03-14

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: H01L21/301 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/683 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明的课题是提供即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也可以在吸附停止后易于从平台面取下，使与平台面的密合状态稳定的半导体部件制造用膜和电子部件制造用膜。进一步提供使用了这样的半导体部件制造用膜的半导体部件的制造方法，以及使用了这样的电子部件制造用膜的电子部件的制造方法。作为解决本发明课题的方法，本部件制造用膜1是半导体部件或电子部件的制造方法所使用的膜，具备基层11以及设置于其一面11a侧的粘着材层12，基层的未设置粘着材层的一面的表面的Ra(μm)为0.1～2.0，Rz(μm)为1.0～15。本方法使用部件制造用膜1，具备单片化工序和拾取工序，在拾取工序前具备评价工序。

公开(公告)号：CN103748664B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201280038816.2

申请日：2012-08-09

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司 ,  尾崎胜敏 ,  酒井充 ,  森本哲光 ,  小野博之 ,  国重仁志

IPC: H01L21/304 ,  C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/08

CPC classification number: C08F220/18 ,  B32B27/08 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B2457/14 ,  C08F222/1006 ,  C09J7/29 ,  C09J133/14 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/006 ,  C09J2467/006 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  C08F2220/1858 ,  C08F2220/1808 ,  C08F2220/325 ,  C08F220/14 ,  C08F2222/104 ,  C08F2222/1046

Abstract: 本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量GA（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量GB（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量GB（40）为10MPa以上的软化层（B）。

公开(公告)号：CN118818245A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410811646.1

申请日：2017-10-24

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: G01R31/26 ,  C09J7/29 ,  C09J7/25 ,  H01L21/66 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及电子装置的制造方法、电子装置制造用粘着性膜及电子部件试验装置，该电子装置的制造方法具备：工序(A)，准备具备粘着性膜和粘贴于其上的电子部件的结构体；工序(B)，将结构体配置在电子部件试验装置内，以使电子部件隔着粘着性膜而位于电子部件试验装置中的试样台的电子部件搭载区域上，探针卡设置于与试样台对置的位置，且具有探针端子；工序(C)，在被粘贴于粘着性膜上的状态下，使探针端子与电子部件的端子接触来评价电子部件的特性；工序(D)，从粘着性膜拾取电子部件。至少在工序(C)中，结构体被配置在框架的框内且粘着性膜的端部被固定于框架，在试样台的垂直方向上，使框架的上表面配置于比试样台的电子部件搭载区域的上表面靠下方。

公开(公告)号：CN116848627A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280014507.5

申请日：2022-02-10

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明的目的在于提供一种评价效率优异的部件制造方法、该部件制造方法中所使用的部件制造用膜和部件制造用具，本方法具备：在具有基板和保持层的支撑体上，经由保持层将多个电子部件以电极露出的状态进行排列的工序；以及使露出的电极的全部或一部分与探针接触，对配置于支撑体上的电子部件中的80个以上的电子部件的电特性同时进行通电评价的工序。本部件制造用膜具备：树脂制基层；保持层，其设置于树脂制基层的一面侧；以及接合层，其设置于树脂制基层的对面侧，且用于将本部件制造用膜接合于基板。本部件制造用具具备：基板、以及设置于基板的一面的保持层。

公开(公告)号：CN108966672B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201780019314.8

申请日：2017-03-14

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: H01L21/301 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的课题是提供即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下，也可以在吸附停止后易于从平台面取下，使与平台面的密合状态稳定的半导体部件制造用膜和电子部件制造用膜。进一步提供使用了这样的半导体部件制造用膜的半导体部件的制造方法，以及使用了这样的电子部件制造用膜的电子部件的制造方法。作为解决本发明课题的方法，本部件制造用膜1是半导体部件或电子部件的制造方法所使用的膜，具备基层11以及设置于其一面11a侧的粘着材层12，基层的未设置粘着材层的一面的表面的Ra(μm)为0.1～2.0，Rz(μm)为1.0～15。本方法使用部件制造用膜1，具备单片化工序和拾取工序，在拾取工序前具备评价工序。

公开(公告)号：CN115053327A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180012793.7

申请日：2021-01-14

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  C09J7/25 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明的课题在于提供能够抑制吸附不良的发生的吸附辅助膜和半导体晶片的吸附方法，作为其解决手段，在将半导体晶片10的形成有电路的非磨削面11吸附于固定件41时，介于上述固定件41与上述半导体晶片10之间的吸附辅助膜30具有：粘贴于形成有上述电路的上述非磨削面11一侧的基材层31，以及以被上述基材层31支撑的状态与上述固定件41接触而辅助吸附的辅助层32。

公开(公告)号：CN113677480A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080025959.4

申请日：2020-03-18

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: B24B27/06 ,  H01L21/301

Abstract: 一种电子装置的制造方法，其包括下述工序：工序(A)，准备结构体(100)，所述结构体具备电子部件(70)以及粘贴于电子部件(70)的粘着性膜(50)；以及工序(B)，以粘贴于粘着性膜(50)的状态，通过切割刀对电子部件(70)进行切割，粘着性膜(50)依次具备基材层(10)、中间层(20)和粘着性树脂层(30)，在将基材层(10)的厚度设为X1，将中间层(20)的厚度设为X2时，满足X2＞X1的关系。