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公开(公告)号：CN116755845B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311064524.2
申请日：2023-08-22
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本申请一个或多个实施例提供一种数据处理方法和装置，该方法包括：基于WebAssembly应用模块创建第一应用实例，为第一应用实例中的数据分配第一安全存储空间中的第一存储子空间，并为第一存储子空间设置第一访问控制属性；在虚拟机中执行第一应用实例，为第一应用实例中的变量分配第一安全存储空间中的第二存储子空间，并为第二存储子空间设置第一访问控制属性，以及将虚拟机对应的访问控制属性更新为第一访问控制属性；在虚拟机中响应于针对第二安全存储空间的访问操作，确定第一访问控制属性与第二安全存储空间的第二访问控制属性是否相关联，如果第一访问控制属性与第二访问控制属性相关联，执行访问操作。
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公开(公告)号：CN116680014B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310961377.2
申请日：2023-08-01
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本申请一个或多个实施例提供一种数据处理方法和装置，该方法包括：响应于获取到的与任一程序模块的程序代码对应的WebAssembly二进制文件，从该二进制文件中删除由程序模块提供给其他程序模块进行调用的导出函数的函数标识；确定由程序模块调用的其他程序模块，并获取与其他程序模块对应的调用信息；其中，调用信息包括由程序模块提供的可调用函数的函数标识和函数索引；根据该二进制文件中由程序模块从其他程序模块中调用的导入函数的函数标识，从调用信息中确定出与函数标识对应的函数索引，并将该二进制文件中导入函数的函数标识替换为函数索引；将更新后的该二进制文件作为与程序模块的程序代码对应的该二进制文件进行存储。
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公开(公告)号：CN116700629B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310961363.0
申请日：2023-08-01
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本申请一个或多个实施例提供一种数据处理方法和装置，应用于电子设备上搭载的WebAssembly虚拟机；电子设备上还搭载了NVM和RAM；该方法包括：从NVM中加载与任一程序模块的程序代码对应的WebAssembly二进制文件，从该二进制文件中确定出内存数据总量；从该二进制文件中确定出至少一个内存数据片段，以及各个内存数据片段的数据属性；基于数据属性从至少一个内存数据片段中确定出只读数据片段，并确定只读数据片段的数据量之和；将内存数据总量与只读数据片段的数据量之和的差值确定为全局数据量，以在执行程序模块时按照全局数据量在RAM中创建存储空间，并将只读数据片段保持存储在NVM中。
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公开(公告)号：CN114172632B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202110949456.2
申请日：2021-08-18
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H04L9/06
Abstract: 本发明提出一种提高AES加解密效率的方法和装置，该方法打破原先每轮加解密所需要执行的四个子流程，采用错轮次流程合并的方式，使所有行操作连续执行并形成一个整体，使所有列操作连续执行并形成一个整体，以更加简洁的电路设计合并实现所有行以及列运算流程，以加快算法的运行时间，并减少了硬件电路的规模。同时对算法中所有操作数据在执行方法上进行转置，以去掉原始算法中对数据处理前和处理后的两次转置行为，进一步提升速度和减少硬件电路规模。本发明主要解决依照算法原理实现时效率不够高的问题。
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公开(公告)号：CN116168749B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310204047.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种嵌入式Flash存储器的驱动电路，嵌入式Flash存储器包括多个扇区，每个扇区包括至少一行的多个存储单元，各行存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线，各行存储单元的选择栅极连接于同一条选择栅线；各列存储单元的漏端连接于同一条位线，同一扇区的多个存储单元的源端连接于同一条源线，同一扇区中的多个存储单元的控制栅极连接于同一条控制栅线；驱动电路向选中扇区和非选中扇区提供相同的选择电压、相同的位线电压、相同的源线电压以及相同的阱区电压，向选中扇区和非选中扇区提供不同的控制电压。本公开可以降低非选中扇区的阱区电压和源线电压之间的压差以及控制电压和源线电压之间的压差从而减小擦除干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116486849A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310457056.9
申请日：2023-04-24
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 公开了一种用于存储器的驱动电路及存储器，所述驱动电路包括：参考电压模块，根据电源电压产生参考电压并输出；镜像模块，根据所述参考电压、电源电压产生多路驱动电流；补偿控制模块，在使能信号变为有效状态开始的预设时间内根据所述使能信号产生控制信号；以及补偿模块，与所述参考电压的输出端连接，根据所述控制信号调节所述输出端处的电流，以调节所述参考电压。本申请提供的用于存储器的驱动电路及存储器，可以降低使能信号切换时参考电压受到的波动干扰和减少参考电压恢复到目标值的时间，进而提高读取数据的可靠性。
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公开(公告)号：CN113689635B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202110798342.2
申请日：2021-07-15
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G07G1/00
Abstract: 本发明公开了一种防止误触发的防拆电路结构及方法，包括供电电路模块、防拆检测电路模块、互补型防拆检测电路模块、防拆信号稳定电路模块、冗余判断电路模块、安全芯片。防拆检测电路输出信号和互补型防拆检测电路的输出信号同时进入防拆信号稳定电路，防拆信号稳定电路的输出信号到安全芯片相应的检测端口，同时，冗余判断电路输出的信号输出到安全芯片另一个端口。本发明设置了互补型防拆检测电路和防拆信号稳定电路，可以有效地防止防拆电路本身故障引起的误触发；结合冗余判断电路，在安全芯片端对接收到的触发信号进行冗余判断，可以有效地保障电路通路上触发信号的正确性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111008391B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201911356169.X
申请日：2019-12-25
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 闫志锋
Abstract: 对于支持加解密的接口电路，flash写操作中，先对数据加密，将加密结果写入flash；flash读操作中，将读出数据解密后送出；当读flash中未写区域时，仍会将flash默认值读出并解密后送出，从而导致无法读出正确的默认值，同时默认值被解密为其他值也会引起未知错误(正常写入的数据加密后可能与默认值相同，故默认值也会被解密为一个有意义的值，从而导致出错)。本发明提供一种特殊加解密方法及电路设计，可有效解决该问题，保证数据加密结果与flash默认值不同，且对flash中读出的默认值不解密。
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公开(公告)号：CN116027182A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211603053.3
申请日：2022-12-13
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/311
Abstract: 本发明公开了一种激光故障注入系统及方法。根据本发明实施例的激光故障注入系统包括执行装置，用于向被测装置注入激光；以及控制装置，与所述执行装置相连接，用于所述执行装置的控制，其中，所述执行装置包括连接端口，所述连接端口包括不同类型的连接子端口；所述被测装置通过至少一个所述连接子端口与所述执行装置通信连接；所述控制装置根据所述连接子端口不同的端口类型设置有不同的通信参数。根据本发明实施例的激光故障注入系统及方法，支持多种接口的激光故障注入，可以连接不同的物联网、车联网设备以验证设备安全性，且无需通信转接板，连接方式简便。
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公开(公告)号：CN115656601A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211209757.2
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种高精度低功耗抗干扰电压检测电路装置。在电源管理系统中，需要对电压进行实时监测，当超过/低于一定值后，给系统发送报警信号，这就需要电压检测电路。本发明提出的电压检测电路在可以做到检测点精确的同时，具有低功耗的优点，且其内部有脉宽产生和锁存电路，在外界激励变化时可以防止输出误翻转(抗干扰)，其主要由低功耗的比较器、高方阻的电阻网络、脉宽屏蔽信号产生电路、锁存电路、滞回功能模块和检测点选择电路组成。
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