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公开(公告)号：CN119306476A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411243282.8
申请日：2024-09-05
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C04B35/622 , C04B35/626 , H10D62/17 , H10D30/67 , H10D30/01
Abstract: 本发明公开了一种锌基氧化物靶材及其制备方法和应用；该锌基氧化物靶材包括原料：氧化铟、氧化镓、氧化锡和氧化锌量子点。本发明以氧化铟、氧化镓、氧化锡和氧化锌量子点作为靶材的制备原料，能够有效降低烧结温度、提高靶材密度和减少挥发率。采用本发明的锌基氧化物靶材制备的薄膜具有更高的稳定性和高迁移率。
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公开(公告)号：CN118880253A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410898224.2
申请日：2024-07-05
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化镍基靶材及其制备方法和应用；涉及金属靶材技术领域；本发明的氧化镍基靶材包括氧化镍和氧化锶，以氧化镍基靶材的总质量计算，该氧化锶占总质量的0.1％～20％。本发明采用氧化锶作为氧化镍基靶材的掺杂剂，氧化锶的引入既能改善氧化镍靶材的烧结性和靶材质量，还能提高氧化镍基薄膜的性能，使其可应用于钙钛矿电池的空穴传输层。
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公开(公告)号：CN118598639A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410604413.4
申请日：2024-05-15
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明属于氧化物靶材技术领域，具体公开了一种氧化铟铈靶材及其制备方法和应用。本发明的氧化铟铈靶材的制备原料包括氧化铟、氧化铈、氧化钽和氧化铝，还包括分散剂和粘结剂。本发明通过在氧化铟基体中掺入适量的氧化铈、氧化钽和氧化铝，提高了靶材的烧结致密度，消除晶界间的气孔，并显著降低了靶材的电阻率，提高了载流子密度，优化靶材性能。本发明还提供该氧化铟铈靶材的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN118324514A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410336203.1
申请日：2024-03-22
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/638 , H10K30/50 , H10K59/10
Abstract: 本发明公开了一种多元掺杂氧化锡基靶材及其制备方法与应用。涉及光伏电池技术领域。上述氧化锡基靶材，包括以下质量比的组分：氧化锡，95‑98％；氧化锌，1‑3％；氧化锑，0.5‑1％；氧化铈，0.5‑1％。本发明的氧化锡基靶材，通过掺杂氧化锌，能够对氧化锡基靶材起到助烧的作用；掺杂氧化铈以促进了氧化锡晶格的生长，同时也产生了大量的电子，大大增加了烧结体的导电性能；掺杂氧化锑以提供大量自由电子，有效降低氧化锡的电阻率。
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公开(公告)号：CN118255577A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410244966.3
申请日：2024-03-05
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , H01L31/18 , H10K71/00 , H10K30/50 , H01L31/072
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟铈靶材及其制备方法与应用，包括以下步骤：S1、将金属氧化物粉末材料制成浆料后造粒后得到球型颗粒，其中所述金属氧化物粉末的制备原料包括In2O3和CeO2，按摩尔百分比计，In2O3为90‑97％，CeO2为3％‑10％；S2、将所述球型颗粒进行模压成型、等静压成型后得素坯靶材；S3、将所述素坯靶材分段烧结后降温即得。本发明提出一种氧化铟铈靶材的制备方法制备得到的氧化铟铈靶材优于同等条件下热压烧结的致密度，溅射后具有高迁移率、高透过率的特点可应用于光伏异质电池领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118026646A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410193760.2
申请日：2024-02-21
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本申请涉及靶材技术领域，具体公开了一种高密度高迁移率氧化铟掺杂靶材及其制备方法。一种高密度高迁移率氧化铟掺杂靶材，包括以下重量份的原料：氧化铟90‑98份，氧化锡5‑8份，稀土氧化物1‑3份，粘结剂0.5‑1.5份，分散剂0.5‑0.8份，稳定剂0.3‑0.5份，所述粘结剂为羧甲基纤维素和聚乙烯醇。本申请的一种高密度高迁移率氧化铟掺杂靶材，在各个组分的协同作用下，具有较高的致密度和迁移率。
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公开(公告)号：CN118007074A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410134664.0
申请日：2024-01-31
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种IGTO溅射靶材及其制备方法和应用，本发明的IGTO靶材包括如下质量百分比的组分：In2O3的含量为40％～80％，SnO2的含量为10％～30％，Ga2O3的含量为10％～30％，GaN的含量为0.01％～2％，TiO2的含量为0.1％～3％，其各组分之和为100％。本发明的IGTO溅射靶材采用Ti和N元素进行掺杂，对溅射后薄膜而言，对氧空位有较好的抑制作用和有效降低载流子浓度。尤其在特定含量Ti和N元素的配合下，对迁移率的影响不明显。使用Ti取代Ga可降低靶材原料成本，且本发明的溅射靶材可应用于显示领域薄膜晶体管中。
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公开(公告)号：CN116425514B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310244635.5
申请日：2023-03-15
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/63 , C23C14/08 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于光伏电池技术领域，提供了一种多元氧化物掺杂氧化铟基靶材及其制备方法和应用，本发明采用特定含量的SnO2、TiO2、CeO2、X的氧化物、ZrO2、HfO2对氧化铟进行掺杂制得多元氧化物掺杂氧化铟基靶材，X为V、Nb、Cr、Mo、Ta、W中的一种或几种，总掺杂浓度较低，降低烧结温度，多元氧化物掺杂氧化铟基靶材的密度在7.080‑7.121g/m3之间，晶粒尺寸9.8‑12.8μm，靶材具有低掺杂、高密度的特点，由其所制得的2TCO薄膜，迁移率达到在43‑75cm/(V.s)之间，透光率(@400‑1200nm)达到88.5‑90.8％，同时满足高透光率和高迁移率的要求。
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公开(公告)号：CN115522094B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211155517.9
申请日：2022-09-22
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多元掺杂的银合金靶材及其制备方法和应用，其包括如下按重量份计算的制备原料：银97.24～99.944份；铜0.05～2.5份；四氧化三锰0.005～0.25份；锡0.001～0.01份。本发明的银合金靶材，抗氧化性、耐蚀性良好、反射率高，能够实现在反光膜、导电膜、有机发光二极管中的应用。
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公开(公告)号：CN119462078A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411401367.4
申请日：2024-10-09
Applicant: 中山智隆新材料科技有限公司
IPC: C04B35/01 , C23C14/32 , C23C14/08 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于金属氧化物靶材技术领域，具体公开了一种钨掺杂氧化铟蒸镀靶材及其制备方法和应用。本发明的钨掺杂氧化铟靶材的制备原料包括氧化铟和氧化钨；其中，所述氧化铟为微米级氧化铟粉末，所述氧化铟粉末的D50为10～200μm；所述氧化钨为纳米级氧化钨粉末，所述氧化钨粉末的D50为10～100nm。本发明的钨掺杂氧化铟靶材具有适合用于RPD工艺镀膜的相对密度，并且具有良好的电导性，使用本发明的IWO靶材进行RPD镀膜得到的氧化物薄膜具有高透光率性能，适合应用于制备光伏太阳能电池。本发明还提供该IWO靶材的制备方法和应用。
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