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公开(公告)号：CN111996406A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010865434.3
申请日：2020-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C1/05 , C22C1/10 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/26 , B22D23/04 , C22C21/08 , C22C21/14 , C22F1/047 , C22F1/057 , B21B37/74 , B21B37/56
Abstract: 一种原位自生氧化铝-氮化铝协同石墨烯增强铝基复合材料的制备方法，涉及一种石墨烯增强铝基复合材料的制备方法。目的是解决现有方法制备的石墨烯增强铝基复合材料存在大量脆性相的问题。方法：将石墨烯和铝金属粉末混合球磨，分散到乙醇水溶液中，添加分散剂得到石墨烯-铝混合粉末，冷压得到石墨烯/铝预制体；氮气和氧气的混合气体条件下进行浸渗得到复合材料铸锭，最后进行大塑性变形处理和成分均匀化处理在烧结过程中引入氧气-氮气混合气体并扩散进入石墨烯-铝界面层间形成氧化铝和氮化铝的混合薄层薄，保证了界面结合，避免了界面有害产物的生成。本发明适用于制备铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN111805319A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010628564.5
申请日：2020-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 硬脆单晶微细圆柱外圆超声辅助磨床的全自动上料装置，它涉及机械设备领域。本发明解决了现有磨床在外圆磨削加工时存在自动化程度及批量生产的工作效率较低，且对于工件尺寸较小的YAG单晶微细圆柱外圆磨削时,存在准确定位装夹困难，容易导致加工工件破碎，难以获得这类硬脆材料较好的表面完整性的问题。本发明的料斗装置设置在振料盘的上方，料斗装置的出料口正对振料盘，振料盘安装在振料盘支架上，振料盘的出口与工件分离机构相连，第一光电传感器固定安装在工件分离机构左侧，上料机构设置在工件分离机构的右上方，超声椭圆振动辅助磨削装置设置在工件分离机构的正前方。本发明用于硬脆单晶微细圆柱外圆磨削的自动传动和自动装夹。
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公开(公告)号：CN108930053B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810962690.7
申请日：2018-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铝基层状屏蔽材料的制备方法，本发明涉及一种铝基层状屏蔽材料的制备方法。本发明的目的是为了解决现有屏蔽材料屏蔽性能不高、屏蔽功能单一的问题，本发明的制备方法为：一、除去铝合金表面氧化膜；二、除去铝合金表面油污；三、酸洗出光；四、浸锌；五、酸洗；六、二次浸锌；七、电沉积铁镍合金。本发明同时实现了电磁屏蔽和地磁屏蔽，屏蔽性能优异，在750MHz～2GHz的测试范围内电磁屏蔽效能，远高于2A12铝合金基体，增量最高可达25dB，地磁屏蔽性能达到12.21dB，提升效果显著。本发明应用于表面电沉积处理技术领域。
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公开(公告)号：CN107652601B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201711065757.9
申请日：2017-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，涉及一种SiC纳米线的薄片的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中SiC纳米线断裂严重、SiC纳米线因比表面积高而导致SiC纳米线极易团聚，难以在浆料中均匀分散的问题。方法：一、称料；二、SiC纳米线预分散；三、SiC纳米线低损伤球磨分散；四、除气处理；五、流延成型；六、干燥。本发明方法给出了一种制备低损伤、定向排列的SiC纳米线的薄片的方法，该方法工艺简单，SiC纳米线沿流延成型方向排列，能够解决SiC纳米线极易团聚的问题，对SiC纳米线损伤较小。本发明适用于制备SiC纳米线薄片。
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公开(公告)号：CN108677051B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810244857.6
申请日：2018-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用回收的SiCp/Al复合材料制备团簇型铝基复合材料的方法，涉及一种团簇型(SiCp/Al)/Al复合材料的制备方法。目的是解决现有方法制备的SiCp/Al复合材料塑性韧性差和SiCp/Al复合材料的回收利用难度大的问题。方法：一、复合材料废料清洗、烘干和分筛；二、预制体冷压制备；三、模具预热和铝金属熔融；四、液态铝浸渗。有益效果：本发明制备的复合材料为团簇型复合材料，致密度高，抗拉强度以及塑性好，成本低，工艺难度低，易于实现材料的微观组织设计；本发明适用于回收SiCp/Al复合材料废料制备团簇型(SiCp/Al)/Al复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108642314B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201810244825.6
申请日：2018-03-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用回收的SiCp/Al复合材料制备团簇型铝基复合材料的方法，涉及一种制备团簇型铝基复合材料的方法。目的是解决现有方法制备的SiCp/Al复合材料塑性韧性差、SiCp/Al复合材料的回收利用难度大以及团簇型结构的SiCp/Al复合材料制备过程中复合材料的破碎效率低的问题。方法：一、复合材料废料清洗、烘干和分筛；二、复合材料粉末液氮球磨：三、预制体冷压制备：四、模具预热和铝金属熔融；五、液态铝浸渗。有益效果：本发明制备的复合材料为团簇型复合材料，致密度高，抗拉强度以及塑性好，成本低，工艺难度低，易于实现材料的微观组织设计；本发明适用于制备团簇型(SiCp/Al)/Al复合材料。
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公开(公告)号：CN109593995A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811621031.3
申请日：2018-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种复杂构件仪表级复合材料基体铝合金及其制备方法，它涉及铝合金材料制备领域，具体涉及复杂构件仪表级复合材料基体铝合金及其制备方法。本发明是要解决现有仪表级铝基复合材料热处理过程经过淬火及冷热冲击过程中，存在由于内应力释放而导致开裂的问题。铝合金由Mg、Mn、Cu、Fe、Ti、和余量为Al组成。方法为：1、铝合金熔炼，按准备Mg锭、铝铜合金、铝锰合金、铝铁合金、铝钛合金及铝硅合金依次加入熔炼炉中熔炼，经过精炼剂精炼和除渣过程，将铝合金熔体浇铸成铝合金锭。2、进行退火热处理。本发明适用于复杂构件仪表级铝基复合材料基体铝合金的选用。
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公开(公告)号：CN109487114A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201910004844.6
申请日：2019-01-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C22C1/1036 , C22C1/1015 , C22C21/00 , C22C29/06 , C22C2001/1073 , C22F1/00 , C22F1/04
Abstract: 一种复杂构件仪表级复合材料及其制备方法，本发明涉及铝合金材料制备领域，具体涉及复杂构件仪表级复合材料及其制备方法。本发明是要解决现有仪表级铝基复合材料热处理过程经过淬火及冷热冲击过程中，存在由于内应力释放而导致开裂的问题。它由SiC增强体和铝合金基体通过挤压铸造复合而成；所述SiC增强体的体积分数为40～60％。方法为：1、预制体制备；2、基体铝合金熔炼；3、挤压铸造；4、热处理。本发明采用了新型固溶强化型铝合金作为仪表级复合材料制备，该复合材料的热处理过程无需经过淬火等冷热冲击过程，消除淬火开裂的风险，本发明制备的复杂构件仪表级复合材料适合高精度、复杂结构件的制造。
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公开(公告)号：CN107009045B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710363564.5
申请日：2017-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料及其制备方法，它涉及一种电子封装用Sn‑Bi系复合钎料及其制备方法。本发明是要解决Sn‑58Bi钎料中硬脆性质的富Bi相所导致的合金延展性能降低，以及重熔服役和时效过程中，过厚的金属间化合物导致钎焊接头可靠性能变差的问题。方法：一、制备石墨烯/氧化铈复合增强体；二、增强体与钎料基体球磨混合；三、向增强体与钎料中加入助焊膏搅拌均匀；四、将上述混合物置于坩埚中于180℃下加热，取出倒入磨具冷却得到复合钎料块。本发明的复合钎料细化了焊点微观组织，大大提高了钎料的硬度，降低了钎料与基体界面的金属间化合物厚度，从而提高焊点的剪切强度。本发明用于制备Sn‑Bi系复合钎料。
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公开(公告)号：CN106711484B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201611168661.0
申请日：2016-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01M8/1088 , H01M8/1048 , H01M8/18
Abstract: 本发明涉及一种用于全钒液流电池的质子交换膜的改性方法，涉及电池技术领域。其包括以下步骤：S1、Na‑A型沸石的制备：以硅酸钠和氢氧化铝分别作为制备Na‑A型沸石的硅源和铝源，采用水热合成法制备Na‑A型沸石；S2、NH4‑A型沸石的制备：对Na‑A型沸石进行离子交换处理，得到NH4‑A型沸石；S3、H‑A型沸石的制备：对NH4‑A型沸石采用水蒸气加热法制备H‑A型沸石；S4、SPEEK原料的制备：通过后磺化法制备SPEEK原料；S5、SPEEK复合膜的制备：将H‑A型沸石掺杂到SPEEK原料中，制备出SPEEK复合膜。本发明的改性方法简单可靠，可操作性强，采用该方法制备的SPEEK复合膜分布均匀，质子导电性、钒离子渗透率和选择性等性能更优异。
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