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公开(公告)号：CN108364852A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810058645.9
申请日：2018-01-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种AlN外延薄膜及其制备方法和应用。所述AlN外延薄膜的制备方法，包括：(1)在(0001)面蓝宝石表面溅射AlN层；(2)制作具有纳米级凹面孔洞周期排列图形的AlN；(3)完成侧向外延聚合过程；(4)继续外延生长至目标厚度，得到AlN外延薄膜。本发明通过图形化溅射AlN模板和高温侧向外延两个核心环节，获得表面原子级平整、位错密度很低的AlN外延薄膜，对实现AlGaN基深紫外高性能光电器件及产业应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104733561B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510127695.4
申请日：2015-03-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种新型氮化物量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器，在衬底上的掩膜层具有周期性排布的孔洞结构，纳米柱阵列从孔洞中生长出来，多量子阱生长在纳米柱阵列的顶部和侧面，分别对应为半极性面和非极性面多量子阱。其中，多量子阱生长于位错密度极低的纳米柱阵列上，可实现极高晶体质量的多量子阱结构；半极性面和非极性面多量子阱的极化场强度远低于传统极性面多量子阱的极化场强度，可实现高效光电流信号的提取；正面入射探测器表面即可有光电响应，省去传统量子阱红外探测器制备表面光栅结构或端面45°抛光的工艺；多量子阱材料采用第三代半导体材料，可实现全红外光谱窗口的光子探测，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103762262B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410010267.9
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种氮化物宽势垒多量子阱红外探测器及其制备方法。本发明宽势垒多量子阱红外探测器，多量子阱中的每个量子阱为宽势垒，以阻挡暗电流通过；并且多量子阱的总宽度能够让光电流通过；多量子阱的势垒或者势阱中为重掺杂。本发明通过增厚势垒宽度，有效地降低了探测器的暗电流并实现了光电流的探测，增大了光谱探测范围；采用III族氮化物材料，可以实现全红外光谱窗口的光子探测；利用插入层调节有源区的应力分布，消除样品开裂现象，尽可能地降低应力组态对光电探测的影响；采用宽势垒，子带的数量增多，增加了光电流的通路。本发明的探测器在2.5K～80K的温度范围内均可测到光电流信号，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN212770941U
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202021390534.7
申请日：2020-07-15
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本实用新型公开了一种金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统，包括反应室、载气源、三族源、五族源、三族源总管路、五族源总管路和尾气处理单元，其特征在于，该MOCVD系统还包括外加碳源，载气源通过管路连接该外加碳源，该外加碳源再通过管路连接三族源总管路或者直接连接反应室，并在外加碳源连接三族源总管路或者反应室的管路上设有质量流量控制器。利用该MOCVD系统可以在最佳的GaN生长条件下进行GaN外延生长，在保持GaN材料高晶体质量的同时，通过控制外加碳源流量精确调控GaN材料中C杂质浓度，实现半绝缘高阻GaN材料的制备。
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公开(公告)号：CN209312705U
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201822123391.2
申请日：2018-12-17
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 一种紫外阴极射线光源系统，包括阴极射线发射装置、电子聚焦加速装置、第一反光杯、发光薄膜材料、光束整型器件、聚焦透镜和第二反光杯，光束整型器件设于第一反光杯内，发光薄膜材料同时位于第一反光杯焦点位置处和光束整型器件焦点位置处，聚焦透镜位于第一反光杯出口处、且聚焦透镜的聚焦点位于第二反光杯焦点位置处，阴极射线发射装置发出的电子束源经过电子聚焦加速装置加速、并注入发光薄膜材料，从发光薄膜材料发出的光经过第一反光杯反射和光束整型器件后形成平行光束出射光，该平行光束出射光经过聚焦透镜聚焦、并经过第二反光杯反射后形成相应尺寸的平行光束，大大提高了紫外光源的质量，可应用范围更广。
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公开(公告)号：CN216237371U
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202121824546.0
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长装置，包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元，升降式旋转支架包括升降杆装置和至少两组平行设置的旋转轴，旋转轴安装在升降杆装置的顶端；晶圆夹持单元用于将多片金刚石圆片同轴夹持成圆柱状，晶圆夹持单元放置在两个旋转轴之间。本实用新型的装置通过晶圆夹持单元夹持多片金刚石圆片，其中外面的两片作为配片用于保护夹在中间的金刚石圆片的底面，使得中间的金刚石圆片只在侧面外延生长，在长周期的生长过程中能很好地保持金刚石圆片的圆度及厚度。
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公开(公告)号：CN215310854U
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202121323718.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于氢化物气相外延反应炉的尾气处理系统。本实用新型采用进气管路系统、一级系统和二级系统，在一级系统和二级系统中分别设置有过滤器，逐级过滤尾气中的粉尘，并且在过滤器内设置有旋转叶片，将沉淀的粉尘刮下并掉入设置在底部的粉尘收集仓中；尾气依次经过一级系统和二级系统过滤后通过排气管路进入干泵，过滤效率高，对干泵损伤小；同时对一级和二级过滤器的维护不需要停机，只需要定期清理一级和二级过滤器底部的一级和二级粉尘收集仓；本实用新型设备单位时间内可处理大量尾气，防火性能强；此外，本实用新型结构简单成本低廉，使用寿命长，经济可靠，运行成本低，对尾气的处理干净不污染环境。
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