一种铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115028450B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202210648728.X

    申请日:2022-06-09

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法,铌酸钠基陶瓷材料的化学式为:(Na1‑2xBix)(Nb1‑x‑yTayTix)O3,其中0<x≤0.1,0<y≤0.2。本发明铌酸钠基陶瓷材料实现了高效的储能特性,通过掺杂钽改性后,提高了陶瓷晶粒和晶界的电阻率,减小了陶瓷在高电场下的漏电流,提高了陶瓷的击穿场强、能量密度和能量效率。

    一种电极片、固态电池和电子设备

    公开(公告)号:CN114843434A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202110545644.9

    申请日:2021-05-19

    Abstract: 本申请提供一种电极片、固态电池和电子设备,固态电池包括正极片和负极片;所述正极片包括正极集流体和设置在所述正极集流体至少一功能表面的正极活性层,所述正极活性层包括内部具有锂盐的第一凝胶电解质;所述负极片包括负极集流体和设置在所述负极集流体至少一功能表面的负极活性层,所述负极活性层包括内部具有锂盐的第二凝胶电解质,所述第一凝胶电解质和第二凝胶电解质不同;或者,所述负极片为锂金属。在应用固态电池中时,凝胶电解质能够实现电极‑固态电解质界面接触性能的优化,使固态电池的安全性能和循环性能得到进一步改善。

    聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112480451B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202011158928.4

    申请日:2020-10-26

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法,所述方法包括:(1)采用溶液法制备P(VDF‑TrFE)薄膜;(2)将所述P(VDF‑TrFE)薄膜置于150~300摄氏度下静置,退火,以便得到聚合物基太赫兹空间光调制器。与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:本发明制备的空间光调制器以高取向度的结晶P(VDF‑TrFE)作为功能层,具有良好的稳定性;具有高空间分辨率,最小分辨尺寸为200nm;对于太赫兹波段光具有空间选择性吸收,开关比可达10。本发明有效开拓了空间光调制作用在太赫兹波段的应用,具有良好的开关效应与空间分辨率,有利于其在太赫兹空间光调制器件与其柔性器件领域的实际应用。

    高熵陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112723888B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202110167968.3

    申请日:2021-02-07

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种高熵陶瓷材料及其制备方法,该高熵陶瓷材料的化学式为TiaVbCrcNbdTaeAlC,其中,a+b+c+d+e=2,并且a、b、c、d、e数值不完全相同。由此,该高熵陶瓷材料具有强度高、硬度高、抗氧化性强、热稳定性好等优点,在载人航天、国防军工、汽车制造和微纳电子等领域具有十分广阔的应用前景。

Patent Agency Ranking