公开(公告)号：CN111722165B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202010079081.4

申请日：2020-02-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐

IPC: G01R33/12 ,  G01R33/09 ,  G01R33/00 ,  G01N33/543

Abstract: 用于检测试样中的检测对象物质的磁传感器具备：基板，其具有第一面及与第一面相对的第二面；磁阻效应元件，其设置于基板的第一面上，并且根据输入磁场而电阻值变化；及保护层，其覆盖磁阻效应元件上，磁阻效应元件构成为沿基板的第一面上的第一方向延伸的线状，并且具有俯视时位于外周缘的第一区域和被第一区域包围的第二区域，磁阻效应元件的第一区域上的保护层的上表面的高度比磁阻效应元件的第二区域上的保护层的上表面的高度高。

公开(公告)号：CN113267620A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110085420.4

申请日：2021-01-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐

IPC: G01N33/543

Abstract: 一种磁传感器，用于检测试样中的被检测物质，其具备：基板，其具有第一面及与第一面相对的第二面；检测部，其设置于基板的第一面上，检测部包括：磁阻效应元件，其设置于基板的第一面上，电阻值根据输入磁场变化；保护层，其至少覆盖磁阻效应元件，磁阻效应元件构成为沿基板的第一面上的第一方向延伸的线状，检测部具有第一宽度及大于第一宽度的第二宽度，所述第一宽度是在基板的第一面上与第一方向正交的第二方向上的长度，第一宽度是检测部在基板的第一面上的长度，第二宽度是检测部的上表面的长度。

公开(公告)号：CN108414954A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201711159549.5

申请日：2017-11-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  高杉圭祐

IPC: G01R33/09 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: G01R33/093 ,  G01R33/0011 ,  G01R33/091 ,  G07D7/04 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种具有能够实现较大磁通密度并且可以精确地形成的磁轭的磁传感器。磁传感器包括检测第一方向(X)上的磁场的磁场检测元件(21)和位于磁场检测元件(21)附近并在正交于第一方向(X)的第二方向(Z)上延伸的第一磁轭(23)。第一磁轭(23)包括定位为至少在第一方向(X)上远离磁场检测元件(21)的第一部分(23a)和定位为在第二方向(Z)上比第一部分(23a)更远离磁场检测元件(21)的第二部分(23b)。第二部分(23b)具有和其与第一部分(23a)的界面(23d)相反的表面(23f)，表面(23f)具有在远离第一部分(23a)的方向上突出的弯曲形状。