公开(公告)号：CN115902723A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211157122.2

申请日：2022-09-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高杉圭祐 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁场检测装置具备基板、第一凸部、第二凸部、第一磁阻效应膜、第二磁阻效应膜、第一布线和第二布线。基板包括平坦面。第一凸部和第二凸部各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在平坦面上，第一斜面对平坦面倾斜，第二斜面对平坦面和第一斜面的双方倾斜。第一磁阻效应膜设置在第一斜面上，第二磁阻效应膜设置在第二斜面上。第一布线连接设置在第一凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜与设置在第二凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜，第二布线连接设置在第一凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜与设置在第二凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜。第一布线与第二布线在第一斜面和第二斜面的至少一方上交叉。

公开(公告)号：CN115144799A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210331501.2

申请日：2022-03-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  宫崎州平

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器装置包括：包含第1磁传感器的第1芯片；包含第2磁传感器和第3磁传感器的第2芯片；和具有基准平面的支承体。第1磁传感器包含至少1个第1磁检测元件，并且检测外部磁场的第1分量。第2磁传感器包含至少1个第2磁检测元件，并且检测外部磁场的第2分量。第3磁传感器包含至少1个第3磁检测元件，并且检测外部磁场的第3分量。第1芯片和第2芯片安装在基准平面上。

公开(公告)号：CN110260770B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201811456750.4

申请日：2018-11-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  梅原刚

IPC: G01B7/00 ,  G01R33/09 ,  H01L43/08 ,  H01L43/06

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，该磁传感器产生检测信号，该检测信号根据基准平面内的检测位置处的对象磁场的强度而变化。磁传感器包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：具有第一方向上的磁化的磁化固定层；具有能够根据作用磁场的方向而变化方向的磁化的自由层，该作用磁场是合成作用于其上的所有磁场而得到的磁场。自由层具有单轴磁各向异性，其中易磁化轴朝向平行于第二方向的方向。在基准平面内与第二方向正交的两个方向都不同于目标磁场的方向。

公开(公告)号：CN113960508A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202110824391.9

申请日：2021-07-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器包括第1至第4电阻部和多个MR元件。多个MR元件各自属于第1至第4组中的任一个。第1至第4组基于MR元件的上表面的面积来规定。第1电阻部、第2电阻部、第3电阻部和第4电阻部分别由第1组、第2组、第3组和第4组构成，或者由第2组、第1组、第4组和第3组构成，或者由第1组、第4组、第3组和第2组构成，或者由第3组、第2组、第1组和第4组构成。

公开(公告)号：CN113495233A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110247384.7

申请日：2021-03-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小林尚史 ,  太田宪和 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备：磁阻效应元件和线圈。线圈包含第一阶层部分和第二阶层部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应元件形成沿着第二轴向施加的感应磁场，该第一阶层部分和第二阶层部分在第一轴向上以夹着磁阻效应元件的方式相对。第一阶层部分具有多个第一导体，该多个第一导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第二阶层部分具有1个第二导体或多个第二导体，该1个第二导体在第三轴向上延伸，该多个第二导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第一导体的宽度比第二导体的宽度窄。

公开(公告)号：CN112946538A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011338458.X

申请日：2020-11-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田宪和 ,  牧野健三 ,  平林启

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备磁阻效应元件和导线。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜，磁阻效应膜具有第一前端部、第二前端部和中间部，中间部夹在第一前端部和第二前端部之间。导线具有各自在第二轴向上延伸的第一部分和第二部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第二轴向正交。在此，第一部分和第二部分设置为在第四轴向上分别与第一前端部和第二前端部互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。

公开(公告)号：CN111381202A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911256952.9

申请日：2019-12-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  平林启

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明的磁场检测装置具备：磁检测元件，具有沿着第一方向的灵敏度轴；调制部，可以对磁检测元件施加应力，应力包括与第一方向正交的第二方向的分量且以第一频率振动；以及解调部，对来自磁检测元件的第一频率的输出信号进行解调，并且根据输出信号的振幅检测磁检测元件受到的被测定磁场的强度。

公开(公告)号：CN114814672B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202210048800.5

申请日：2022-01-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥宏和 ,  牧野健三

IPC: G01R33/06

Abstract: 本发明的磁传感器具备MR元件。MR元件包含自由层。自由层具有在一个方向上较长的形状的第一面、和配置在与第一面为相反侧的第二面，并且具有作为与第一面垂直的方向的尺寸的膜厚。第一面具有位于第一面的短边方向的两端的第一端部以及第二端部。在任意的截面中，第一端部处的膜厚比第一端部与第二端部之间的第一面上的规定的点处的膜厚小。

公开(公告)号：CN113495233B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202110247384.7

申请日：2021-03-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小林尚史 ,  太田宪和 ,  牧野健三

IPC: G01R33/09 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备：磁阻效应元件和线圈。线圈包含第一阶层部分和第二阶层部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应元件形成沿着第二轴向施加的感应磁场，该第一阶层部分和第二阶层部分在第一轴向上以夹着磁阻效应元件的方式相对。第一阶层部分具有多个第一导体，该多个第一导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第二阶层部分具有1个第二导体或多个第二导体，该1个第二导体在第三轴向上延伸，该多个第二导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第一导体的宽度比第二导体的宽度窄。

公开(公告)号：CN112858964B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202011346355.8

申请日：2020-11-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 牧野健三 ,  太田宪和

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器具有至少一个MR元件和线圈。线圈包含至少一个导体部分。至少一个导体部分各自处于由该导体部分产生的部分磁场能够施加于至少一个MR元件中的与该导体部分对应的MR元件的位置，并且沿着以在远离对应的MR元件的方向上成为凸部的方式弯曲的虚拟曲线延伸。