公开(公告)号：CN103988380A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280061315.6

申请日：2012-09-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 朝仓健作 ,  铃木真吾 ,  藤森敬洋

IPC: H01T4/12 ,  H01T1/20 ,  H01T4/10

CPC classification number: H05F3/04 ,  H01T4/12

Abstract: 根据本发明的结构，提供静电电容小，在短路率或耐久性上优异，且能够抑制短路破坏或峰值电压的静电应对元件。本发明提供静电应对元件，所述静电应对元件具有绝缘性基板、在该绝缘性基板上相互分离而相对配置的电极、以及配置在该电极间的放电触发部，所述放电触发部由微小空隙不连续散布的多孔质构成，且具有中空构造，该中空构造具有至少1个以上的中空部，形成该中空构造的面具有致密构造。

公开(公告)号：CN100339335C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410075182.5

申请日：2004-09-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 朝仓健作 ,  青木卓也 ,  村濑琢

IPC: C04B35/30 ,  C22C29/12 ,  H01F1/34

CPC classification number: C04B35/6261 ,  C01G49/00 ,  C01G49/0063 ,  C01G49/009 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/265 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  H01F1/344

Abstract: 本发明提供具有高Q值、同时在-40～160℃的较宽范围的温度区域αμir的绝对值小的铁氧体材料。本发明提供含有由Fe2O3：45.5～48mol%、CuO：5～10.5mol%、ZnO：26～30mol%、余量实质上为NiO组成的主成分，且按CoO换算计为0.005～0.045wt%的氧化钴作为副成分的铁氧体材料。根据本发明的铁氧体材料，能够得到αμir-40～20的绝对值以及αμir20～160的绝对值均为3ppm/℃或以下、125kHz的Q值为170或以上的特性。