电极结构和光检测元件
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114497312A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111235166.8

    申请日:2021-10-22

    Abstract: 本发明的光检测元件(1)具备第1电极(10A)和第2电极(20)、以及配置于第1电极与所述第2电极之间的磁性元件(30)。第1电极(10A)具有金属膜(11A)、设置于金属膜(11A)的一部分的开口部(12A)、和配置于开口部(12A)的透明导电性膜(13A)。透明导电性膜(13A)与磁性元件(30)电连接,在从透明导电性膜(13A)的厚度方向俯视时,以与磁性元件(30)重叠的方式配置。

    磁阻效应器件及高频器件
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109473545A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201811036497.7

    申请日:2018-09-06

    Inventor: 山根健量

    Abstract: 本发明提供作为高频滤波器等的高频设备发挥功能的磁阻效应器件。该磁阻效应器件包括:磁阻效应元件、第一信号线路、直流施加端子以及独立磁性体;所述磁阻效应元件具有:第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及夹在所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层之间的间隔层;所述第一信号线路通过高频电流的流动产生高频磁场;所述直流施加端子能够连接用于向所述磁阻效应元件的层叠方向流入直流电流的电源;所述独立磁性体通过接收第一信号线路产生的高频磁场而磁化振动,将该磁化产生的磁场施加到所述磁阻效应元件。

    光器件
    13.
    发明公开
    光器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116828966A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310297871.3

    申请日:2023-03-24

    Abstract: 本发明提供一种新型的光器件。该光器件包括磁性元件和光照射部,上述光照射部向上述磁性元件照射光,上述磁性元件包括被照射光的第一铁磁性层、第二铁磁性层、以及被上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层夹着的间隔层,上述第一铁磁性层的磁化在未从上述光照射部向上述磁性元件照射光的状态下,相对于上述第一铁磁性层扩展的面内方向以及与上述第一铁磁性层扩展的面正交的面垂直方向的任一者均倾斜。

    光检测元件、接收装置和光传感器装置

    公开(公告)号:CN114812627A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210036932.6

    申请日:2022-01-13

    Abstract: 本发明提供光检测元件、接收装置和光传感器装置。该光检测元件包括:磁性元件,其具有被照射光的第一铁磁性层、第二铁磁性层以及被上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层夹着的间隔层;第一电极和第二电极,上述第一电极与上述磁性元件的层叠方向上的上述第一铁磁性层侧的第一面接触,上述第二电极与上述第一面的相反侧的第二面接触;以及第一高热传导层,其位于上述第一铁磁性层的外侧,与上述第一电极相比热传导率高。

    磁电阻效应器件
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107689363A

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201710650266.4

    申请日:2017-08-02

    Abstract: 本发明公开了一种能够实现利用磁电阻效应元件的高频滤波器等高频器件的磁电阻效应器件。磁电阻效应器件(101)包括第一磁电阻效应元件(1a)、第二磁电阻效应元件(1b)、第一接口(9a)、第二接口(9b)、信号线路(7)及直流电流输入端子(11),其中,通过信号线路(7)按顺序串联连接第一接口(9a)、第一磁电阻效应元件(1a)及第二接口(9b),第二磁电阻效应元件(1b)以相对第二接口(9b)并联的方式连接于信号线路(7),第一磁电阻效应元件(1a)及第二磁电阻效应元件(1b)形成为在第一磁电阻效应元件(1a)及第二磁电阻效应元件(1b)的每一个中流动的直流电流的方向与每一个中的磁化固定层(2)、间隔层(3)及磁化自由层(4)的配置顺序在第一磁电阻效应元件(1a)中和在第二磁电阻效应元件(1b)中相反。

    光检测装置及信号处理方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118730291A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202410358507.8

    申请日:2024-03-27

    Abstract: 本发明提供一种照射脉冲光后的输出的下降时间短的光检测装置及信号处理方法。该光检测装置具备:第1光电转换元件,其在被照射光脉冲时输出第1输出;以及第2光电转换元件,其在被照射所述光脉冲时输出第2输出。光检测装置构成为在满足第1条件和第2条件的状态下合成将相同的所述光脉冲照射于所述第1光电转换元件和所述第2光电转换元件时的由所述第1输出引起的第1信号和由所述第2输出引起的第2信号。所述第1条件为所述第1信号的峰的时间位置和所述第2信号的峰的时间位置不同这样的条件。所述第2条件为达到所述第1信号的峰的变化量的正负和达到所述第2信号的峰的变化量的正负不同这样的条件。

    磁阻效应器件
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106559039B

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201610457512.X

    申请日:2016-06-22

    Abstract: 本发明提供一种能够实现高频器件的磁阻效应器件(100),其特征为,具有:具有磁化固定层(2)、间隔层(3)及磁化自由层(4)的磁阻效应元件(1a)、第一端口(9a)、第二端口(9b)、信号线路(7)、电感器(10)、直流电流输入端子(11),第一端口(9a)、磁阻效应元件(1a)及第二端口(9b)经由信号线路(7)依次串联连接,电感器(10)与磁阻效应元件(1a)和第二端口(9b)之间的信号线路(7)、接地线(8)连接,直流电流输入端子(11)连接于夹着磁阻效应元件(1a)与电感器(10)为相反侧的信号线路(7),形成含磁阻效应元件(1a)、信号线路(7)、电感器(10)、接地线(8)及直流电流输入端子(11)的闭合电路。

    磁阻效应器件以及高频器件

    公开(公告)号:CN109390464A

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201810877475.7

    申请日:2018-08-03

    Abstract: 本发明所涉及的磁阻效应器件具备:磁阻效应元件,其具有磁化固定层、磁化方向相对于所述磁化固定层的磁化方向能够相对性地变化的磁化自由层、以及被夹持于所述磁化固定层与所述磁化自由层之间的间隔层;第1信号线路,其通过流过高频电流而发生高频磁场,并且将高频磁场施加于所述磁化自由层;以及直流施加端子,其能够连接用于在所述磁阻效应元件的层叠方向上施加直流电流或者直流电压的电源,所述磁阻效应元件以在其中从所述磁化固定层向所述磁化自由层流通所述直流电流的方式、或者以施加所述磁化固定层成为比所述磁化自由层更高电位的所述直流电压的方式相对于所述直流施加端子而配置。

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