公开(公告)号：CN102741985A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180007853.2

申请日：2011-01-17

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 竹村彰浩 ,  吉尾浩平 ,  山中达也 ,  金野智久

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: B24B13/015 ,  B24B29/02 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明所涉及的化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，含有（A）具有选自磺基及其盐中的至少1种官能团的二氧化硅粒子、和（B）酸性化合物。

公开(公告)号：CN101542690A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000531.3

申请日：2008-02-20

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 安藤民智明 ,  金野智久

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其pH为4～5，用于同时对由选自多晶硅膜、氮化硅膜及氧化硅膜中的2种以上形成的被研磨面进行研磨，其含有：0.1～4质量％的(A)具有10nm～100nm的平均粒径的胶态二氧化硅、以及0.1～3质量％的(B)选自磷酸二氢铵、磷酸氢二铵及硫酸氢铵中的至少一种，所述(A)成分与所述(B)成分的质量比(A)/(B)为1～3。

公开(公告)号：CN1300828C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03103346.6

申请日：2003-01-24

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 金野智久 ,  元成正之 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B1/00 ,  C09K3/14 ,  C09G1/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置制造工序中，对设有配线图案的晶片化学机械抛光时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下，特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明的半导体基板的化学机械抛光方法，使用含有(A)磨料以及(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。

公开(公告)号：CN1434491A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN03103346.6

申请日：2003-01-24

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 金野智久 ,  元成正之 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B1/00 ,  C09K3/14 ,  C09G1/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明目的在于提供半导体装置制造工序中，对设有配线图案的晶片化学机械抛光时，在配线间、多层配线的层间等形成低介电常数的绝缘膜的情况下，特别适用的化学机械抛光方法以及为此使用的化学机械抛光用水分散液。本发明的半导体基板的化学机械抛光方法，使用含有(A)磨料以及(B)从具有杂环的多元羧酸及其酸酐中选出的至少一种化合物的化学机械抛光用水系分散液，和抛光垫，在固定该抛光垫的定板转数为50～200rpm、该抛光垫对固定在加压头上的半导体基板施加700～18000Pa压力的条件下，对半导体基板的被抛光面抛光。