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公开(公告)号：CN103189403A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180053151.8
申请日：2011-10-24
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L51/5259 , B01D53/28 , B01D2253/202 , B01J20/223 , C08F220/04 , C08F222/1006
Abstract: 本发明的组合物含有下述通式(1)所示的化合物(A)和自由基产生剂(C)。(R1)nM (1)上述式(1)中，R1可以相同也可以不同，但是多个存在的R1之中的至少一个为具有一个以上不饱和键的基团。n为2或3，等于M的化合价。M为从铝、硼、镁以及钙中选出的一种。
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公开(公告)号：CN101889063A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119770.0
申请日：2008-12-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09D185/00 , B32B15/20 , C09D5/00 , C09D7/12 , C07C211/65 , C07F5/06
CPC classification number: C09D185/00 , B32B15/20 , C07C211/65 , C07F5/069 , C09D5/00 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/14
Abstract: 本发明涉及铝膜形成用组合物，该组合物含有下式(1)所示的络合物和下式(2)所示的络合物，下式(1)所示的络合物与下式(2)所示的络合物的摩尔比为40∶60-85∶15，AlH3·NR1R2R3(1)；AlH3·(NR1R2R3)2(2)。式(1)和(2)中，R1、R2和R3各自独立地为氢原子、烷基、环烷基、烯基、炔基、芳基或芳烷基。
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公开(公告)号：CN100585882C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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公开(公告)号：CN1294626C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN00800438.2
申请日：2000-03-29
IPC: H01L21/208 , C01B33/02
CPC classification number: C23C18/06 , C08G77/60 , C09D183/16 , C23C18/08 , H01L21/0242 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L21/02636 , H01L29/6675 , H01L51/0005 , Y02P20/582
Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。
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公开(公告)号：CN1722475A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510091746.9
申请日：2000-03-29
IPC: H01L31/18
Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102639642B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201080053173.X
申请日：2010-10-15
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H05B33/04 , C08G77/12 , C08G77/58 , C08K5/057 , C08K5/5419 , H01L23/296 , H01L51/5246 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的组合物包括下述通式(1)所示的化合物(A)和具有下述通式(2)所示的结构的化合物(B)。(R1)nM？？...(1)
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公开(公告)号：CN103456964A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310211605.0
申请日：2013-05-31
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01M4/62
CPC classification number: H01M4/622 , C08G73/1042 , C08G73/105 , C08G73/1064 , C08G73/1071 , C08L79/08 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及蓄电装置的电极用粘合剂组合物，其特征在于，含有：(A)选自由聚酰胺酸及酰亚胺化率为50%以下的其酰亚胺化聚合物组成的组中的至少一种聚合物、和(B)水，并且将上述(A)聚合物的含量设为Ma质量份、上述(B)水的含量设为Mb质量份时，两者之比Ma/Mb为500～5000。本发明的电极用粘合剂组合物提供充放电容量大、由于充放电循环的重复所导致的容量劣化的程度小的蓄电装置。
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公开(公告)号：CN102639642A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080053173.X
申请日：2010-10-15
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H05B33/04 , C08G77/12 , C08G77/58 , C08K5/057 , C08K5/5419 , H01L23/296 , H01L51/5246 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的组合物包括下述通式(1)所示的化合物(A)和具有下述通式(2)所示的结构的化合物(B)。(R1)nM ...(1)
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公开(公告)号：CN102089357A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127026.X
申请日：2009-07-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC classification number: C08G77/60 , C07F7/0896
Abstract: 本发明涉及聚合物的制造方法，其特征在于，使下述式（1）所示的化合物在下述式（2）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。R4-nMHn（1）（式（1）中，R为1价有机基团，M为硅原子或锗原子，n为2或3。) ［CpM（μ-CH2）］2 （2）（式（2）中，Cp为环戊二烯基系配位体，Ｍ为选自Rh及Ir的金属原子，Ｍ-Ｍ间为双键。)。
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公开(公告)号：CN101516970A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034461.9
申请日：2007-09-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08G77/12 , C04B41/81 , C09D183/05 , H01L21/316 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/3124 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/16 , C09D183/04 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/316 , H01L21/76224
Abstract: 本发明涉及有机硅树脂，其特征在于：由下述示性式(1)表示：(H2SiO)n(Si1.5)m(SiO2)k(1)；(式(1)中，n、m和k分别为数，n+m+k＝1时，n为0.05以上，m超过0但为0.95以下，k为0～0.2)，该树脂在120℃下为固态。本发明的有机硅树脂适合在用于形成长宽比较大的沟槽隔离的组合物中使用。
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