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公开(公告)号：CN108615775A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810715221.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/074
Abstract: 本发明公开了一种叉指背接触异质结单晶硅电池，包括：一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；设于N型单晶硅基体正面的掺杂N+层和正面N型非晶硅层；间隔设于N型单晶硅基体背面的P型非晶硅层和背面N型非晶硅层。本发明的叉指背接触异质结单晶硅电池，减薄常规背接触异质结N型单晶硅电池正面N型非晶硅层的厚度，并在非晶硅氧合金层下设置轻掺杂的N+层，既可减少N型非晶硅层的光吸收、光损失，又可利用N+层实现部分场钝化功能，提高了电池的光电转换效率；同时N+层还可提供光生载流子的横向低阻导电通道，从而降低串联电阻损耗，提高电池的短路电流、填充因子和转换效率。
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公开(公告)号：CN107785460A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201711181087.7
申请日：2017-11-23
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , C23C16/04
CPC classification number: H01L31/202 , C23C16/042 , H01L31/0747
Abstract: 本发明公开了一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，包括：底座和盖板。所述底座包括容置凹槽，所述容置凹槽用于容置HIBC电池中待沉积异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上，所述盖板上设置有露出所述容置凹槽的开口，开口上设置有多个间隔排列的遮挡件，遮挡件将开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备P区时，遮挡区用于遮挡P区和所述N区的间隔区域以及N区；在制备N区时，遮挡区用于遮挡P区和N区的间隔区域以及P区。所述掩膜板可避免对其他工序生成的非晶硅层的特性产生影响，起到保护已生成的非晶硅层的作用；而且所述掩膜板结构简易，操作难度低，有利于提高生产效率。
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公开(公告)号：CN108666387B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201810713687.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本发明的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
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公开(公告)号：CN110739368A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911050691.5
申请日：2019-10-31
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种颗粒状晶硅太阳能电池清洗容器的反冲洗槽及其使用方法，反冲洗槽包括冲洗槽主体，冲洗槽主体的左右两侧嵌有多个反冲洗管路，冲洗槽主体的中间位置横向设有用于清洗容器嵌套且转动的工装篮传动机构，工装篮传动机构的两端固定在支架上。反冲洗槽在使用时，将工装篮放置于反冲洗槽中，通过反冲洗管路进行反冲洗，从而降低内衬网罩的堵塞程度，减少内衬网罩的消耗。本发明的反冲洗清洗槽，保持少量流失，避免了原料因为粘附在内衬网罩上而造成的浪费，提升了废旧晶硅太阳能电池的回收利用率。
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公开(公告)号：CN110405683A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910743289.9
申请日：2019-08-13
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: B25B27/00
Abstract: 本发明提供了一种晶硅光伏组件的铝边框拆除装置及拆除方法，属于光伏组件技术领域。包括拆除装置框架、拆除装置底座、光伏组件摆放台、组件固定机构和机械拆除机构；采用机械方式固定光伏组件后，利用机械传动系统将卡住光伏组件边框多个部位的机械部件向组件外方向水平拉动或者推动，从而将组件的各边框拆下，并保持较好的组件层压件及边框状态，组件层压件无破损，边框无变形，解决目前晶硅光伏组件返修及回收时组件铝边框拆除困难，耗时长的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108550703A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810524781.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 黄河水电光伏产业技术有限公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 , 青海黄河上游水电开发有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池，包括依次设置在透明衬底上的阳极层、空穴传输层、光吸收层电子传输层和阴极层，所述阳极层为具有网格状结构的金属层。本发明解决了钙钛矿太阳能电池在大尺寸的设计下，具有更好的延展性、导电性和透光性的问题。
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公开(公告)号：CN108493265A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810232993.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种背电极网版，包括多个用于制备背电极的印刷区。多个印刷区相互平行，所述印刷区均分为多个相互间隔设置的印刷分段，且所述印刷分段分为两个以上且相互间隔设置的区域。本发明还公开了一种无主栅太阳能电池片，包括基片、设置于所述基片正面上的无主栅的正面电极和设置于基片背面上的多个背电极。多个背电极相互平行，所述背电极均分为多个相互间隔设置的背电极分段，且背电极分段分为两个以上且相互间隔设置的区域。上述无主栅太阳能电池片的背电极和背电极网版制得的背电极，能与正面电极形成的图案相匹配，方便封装。而且，所述背电极相比于常规背电极节省了大量的电极浆料，大幅压缩了生产成本。
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公开(公告)号：CN107342333A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710592002.8
申请日：2017-07-19
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0682 , H01L31/02167 , H01L31/202 , H01L31/208
Abstract: 本发明公开了一种HIBC电池及其制备方法，所述HIBC电池包括硅衬底、电极和依次设置在所述硅衬底的背表面上的第一本征非晶硅层以及掺杂非晶硅层，所述电极与所述掺杂非晶硅层连接，所述硅衬底与所述第一本征非晶硅层之间设置有氢化非晶氧化硅层。本发明通过在所述HIBC电池的硅衬底与第一本征非晶硅层之间设置上述氢化非晶氧化硅层，提高了所述HIBC电池的界面钝化效果，遏制了由于引入本征非晶硅层造成的所述HIBC电池的串联电阻增大以及填充因子降低，提高了所述HIBC电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN208093567U
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201820395775.7
申请日：2018-03-22
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 , 黄河水电光伏产业技术有限公司
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本实用新型公开了一种太阳能电池正面电极结构，包括多个副栅线结构和与副栅线结构电连接的细栅线，每个副栅线结构包括导电的正方形边框和由正方形边框中心向边框处发射的多条副栅线，多条副栅线的一端在正方形边框的中心处汇集形成一发散点，另一端与多边形边框内壁连接，其中，所有的副栅线结构在行方向和列方向上均阵列设置，形成相连的多行多列的矩阵结构，其中，细栅线设有多条，一条细栅线连接一列副栅线结构的所有发散点。本实用新型太阳能电池正面电极结构，电池正面电极结构，不仅增大了焊接面积，降低了焊接难度，避免了焊带与副栅线接触点过小导致的焊接异常，提高了光伏组件功率，而且总体上遮光面积更小，实现了效率的提升。
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公开(公告)号：CN207116442U
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201720879107.7
申请日：2017-07-19
Applicant: 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/20
Abstract: 本实用新型公开了一种HIBC电池，所述HIBC电池包括硅衬底、电极和依次设置在所述硅衬底的背表面上的第一本征非晶硅层以及掺杂非晶硅层，所述电极与所述掺杂非晶硅层连接，所述硅衬底与所述第一本征非晶硅层之间设置有氢化非晶氧化硅层。本实用新型通过在所述HIBC电池的硅衬底与第一本征非晶硅层之间设置上述氢化非晶氧化硅层，提高了所述HIBC电池的界面钝化效果，遏制了由于引入本征非晶硅层造成的所述HIBC电池的串联电阻增大以及填充因子降低，提高了所述HIBC电池的光电转换效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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