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公开(公告)号：CN115261690A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210857887.0
申请日：2022-07-20
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种含微量Sc元素的Al‑Cu‑Mn系耐热铝合金及其变形热处理工艺，涉及铝合金材料技术领域，其技术方案要点是：由以下组分组成：质量百分比为4.0％的Cu；质量百分比为0.8％的Mn；质量百分比为0～0.2％的Sc；以及，余量为Al。本发明通过冷轧变形和加入微量Sc元素的方法可以将Al‑Cu‑Mn合金的性能进一步地提升，实现以低成本和冷轧变形的简单处理方式达到比其他Al‑Cu‑Mn系耐热合金更好的室温和耐热性能。
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公开(公告)号：CN108709897A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810766996.5
申请日：2018-07-13
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2202
CPC classification number: G01N23/2204 , G01N23/2202 , G01N2223/07
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种3DTEM与3DAP跨尺度表征通用样品台设置有：样品台底座；样品台底座尾端呈矩形，前端呈燕尾形，与后端呈直角，样品台底座尾端开设有圆孔，样品台底座前端焊接有外铜管，外铜管前端套设有内铜管，外铜管和内铜管之间通过摩擦力固定，内铜管前端卡接有三维原子探针针状试样。本发明设计巧妙，容易拆卸，操作方便，成本较低，样品台可以重复利用，该样品台容易与两种三维原子探针针状样品的制备方法结合起来，制样和电子显微分析有效率地联系了起来，将三维原子探针的化学成分信息与三维透射电子显微镜的微观组织信息充分结合，具有较好的适用性，能够得到更为普遍的应用。
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公开(公告)号：CN107063786A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611106563.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: G01N1/286 , G01N1/32 , G01N2001/2866
Abstract: 本发明提供了一种纳米梯度结构材料表层EBSD样品的制备方法，属于电镜样品制备技术领域。本发明针对当前纳米梯度结构材料表层EBSD样品制备周期长、成本高、标定效果差、最表层信号遮挡等不足，提出了一种操作简单、快速、成本低、抛光效果好的纳米梯度结构材料表层EBSD样品的制备方法，且成功解决了纳米梯度材料最表层微米尺度区域内标定时保护层遮挡信号的问题。具体工艺为：(1)电镀；(2)砂纸研磨；(3)机械抛光；(4)短时间电解抛光。砂纸研磨之前先对样品进行电镀以保护材料表面的纳米梯度结构，然后经砂纸研磨至5000目，机械抛光至0.25μm的粒度、时间3‑4分钟，最后进行短时间电解抛光，时间取该类金属正常电解抛光工艺所用时间的1/3‑1/5。
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公开(公告)号：CN104451566A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410776759.9
申请日：2014-12-17
Applicant: 重庆大学
CPC classification number: C23C14/3414 , C22F1/043
Abstract: 本发明公开了一种高纯铝硅靶材的制备方法，它包括步骤1的固溶处理，将高纯铝硅材料在520-550℃下保温2-6小时后，取出后水淬；步骤2的轧制，经过固溶处理的高纯铝硅材料在轧机上冷轧，厚度变形量为75-90%，轧制过程中用水冷却；步骤3的再结晶退火，经轧制后的高纯铝硅材料在温度350-450℃下保温1-10小时。与现有技术相比，本发明的技术效果是：所得的高纯铝硅溅射靶材的晶粒尺寸控制在60um以内，晶粒取向为随机织构，该溅射靶材的晶粒尺寸和织构分布完全能满足工业生产需求，加工简单，加工参数控制可靠。
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公开(公告)号：CN119643597A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411635050.7
申请日：2024-11-15
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N23/02 , G06T7/00 , G06T7/80 , G06N3/0464 , G06T7/73 , G01N23/20058
Abstract: 本发明公开了一种在透射电子显微镜中快速实现晶体学取向成像的方法，上述方法包括以下步骤：通过透射电镜采集3～5个样品倾角下前8～10个衍射环的圆锥扫描暗场像；对不同样品倾角下的暗场像进行漂移矫正后对所有暗场像二值化；搭建入射电子束圆锥扫描模型，模拟不同样品倾角下任意取向的电子衍射花样，构建电子衍射花样数据库；重构同一个样品倾角下暗场像中每个像素的衍射花样并对所有的像素的取向进行标定；结合多个样品倾角的数据完成所有像素的取向标定。本发明基于透射电镜圆锥扫描暗场成像技术和晶体学取向标定算法实现了晶粒取向的快速表征，适用于透射电镜下晶体材料的晶体学取向表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118822961B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410805685.0
申请日：2024-06-21
Applicant: 重庆大学
IPC: G06T7/00 , G01N23/04 , G01N23/20 , G01N23/2202 , G01N23/2204 , G01N1/28 , G01N23/22 , G01N23/00 , G06V20/69 , G06V10/75 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的位错柏氏矢量智能分析方法，包括如下步骤：通过透射电镜获取样品的若干位错图像，标注获得位错信息，并建立数据集训练深度学习网络模型，以获得位错识别模型；通过透射电镜获取样品系列衍射矢量下的位错图像集合，通过位错识别模型获取位错图像集合的位错信息，结合各衍射矢量下的倾转角度对位错信息进行校准，得到校准后的位错信息；根据校准后的位错信息，获得各衍射矢量下的位错可见性信息，从而分析获得位错柏氏矢量。本发明提供的基于深度学习的位错柏氏矢量智能分析方法，能够实现位错的快速智能识别和标注，并且通过对各衍射矢量的位错信息进行校准，提高了柏氏矢量分析的精度和效率。
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公开(公告)号：CN117740630A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311771605.6
申请日：2023-12-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透射电镜的晶粒三维表征方法，首先通过透射电镜获取样品的晶粒系列倾转角度下的图像，重构晶粒的三维图像，并获得样品坐标系下晶粒的界面信息，然后倾转样品使其分别处于三个非共线晶带轴方向并获得倾转参量，根据三个非共线晶带轴的取向信息获得参考取向参量，并根据倾转参量和参考取向参量获得样品坐标系到样品的晶体坐标系的转换参量，进一步根据样品坐标系下晶粒的界面信息和转换参量获得在样品的晶体坐标系下晶粒的界面信息，对三维图像进行赋色，进而在三维图像中展示出晶粒界面的晶体学取向特征。本发明基于透射电镜三维重构技术和关联晶体学分析方法实现晶粒几何特征和晶体学特征的三维定量集成表征。
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公开(公告)号：CN115261752B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210855127.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种高强2024铝合金加工工艺及高强2024铝合金，涉及铝合金技术领域，其技术方案要点是：将固溶与峰时效处理后的样品在室温下进行冷轧变形，下压量为A；将S1中的样品放置在110‑130℃退火t时间后在室温下进行轧制，累计下压量为B；将S2中的样品放置在110‑130℃退火2t时间后在室温下进行轧制，累计下压量为C；将S3中的样品放置在110‑130℃退火4t时间后在室温下进行轧制，累计下压量为D；将S4中的样品放置在110‑130℃退火8t时间后在室温进行轧制，最后总下压量为E。本发明中的2024铝合金在室温时为层状界面组织，并且拥有较高的位错密度，具有842MPa的抗拉强度。
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公开(公告)号：CN112505071A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011604046.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透射电镜的位错三维定量表征方法及系统，首先通过透射电镜获取样品的位错多个不同角度的图像，根据获得的图像构建在预设坐标系下描述的、包含位错的几何信息的三维图像，然后获取透射电镜对样品成像时样品在预设坐标系的参考取向参量，并根据参考取向参量获得预设坐标系到样品的晶体坐标系的转换参量，进一步根据位错在预设坐标系下的三维图像以及转换参量，获得位错在样品的晶体坐标系下描述的三维图像。本发明通过基于关联晶体学分析实现样品坐标系和晶体坐标系之间的转换，能够实现在晶体坐标系中位错几何特征和晶体学特征的高精度定量集成表征。
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公开(公告)号：CN110987995A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911370804.X
申请日：2019-12-26
Applicant: 重庆大学
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2251 , G01N3/04 , H01J37/20
Abstract: 本发明的一种扫描电镜和原位力学测试及三维原子探针设备通用样品座，属于材料微纳尺度结构与性能原位表征技术领域，由相互凹凸配合并用于夹持片状样品的装载台和固定台组成，装载台在靠近于固定台的一侧顶部开设有侧开凹槽，固定台在靠近装载台的一侧设有与侧开凹槽卡合的凸块，且固定台上所设的凸块相对于装载台上所设的侧开凹槽轴向滑动配合；装载台面对固定台的对应面上并位于侧开凹槽两侧开设有安装孔，固定台面对装载台的对应面上并位于凸块两侧开设有与安装孔对应的通孔，且装载台上所设的安装孔与固定台上所设的通孔通过联接件连接；装载台在背离固定台的一侧顶部开设有用于放置三维原子探针样品的圆孔。本通用样品座适用于原位力学加载、扫描电镜和三维原子探针设备。
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