基于神经网络理论的非线性系统自适应比例积分控制方法

    公开(公告)号:CN106647271B

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201611206707.3

    申请日:2016-12-23

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络理论的非线性系统自适应比例积分控制方法,包括:步骤一、建立非线性系统的数学模型;步骤二、利用光滑的函数逼近非光滑的执行器饱和函数;步骤三、设计神经网络自适应PI控制器进行控制;本发明针对具有输入饱和的非线性系统,利用光滑函数逼近执行器饱和函数;引用BLF,可保证神经网络的输入保持在有界紧集范围内,保证了神经网络的正常运行;并且与传统的PI增益调节相比,本发明提出的调节方法还具有:1)PI控制器的比例积分增益不是固定的常数而是时变的;2)比例增益和积分增益不是单独设计的,而是通过一定系数联系起来,有利于系统的分析;3)针对系统存在的不确定性及输入饱和都有一定的鲁棒性。

    一种高阻抗表面结构与一种单边核磁共振传感器

    公开(公告)号:CN106785395B

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201611187179.1

    申请日:2016-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种高阻抗表面结构,包括绝缘材质的介质板,介质板的一侧表面周期性排列有多个金属材质的贴片单元,介质板的另一侧表面铺设有与贴片单元材质相同的底部金属层,介质板设有与多个贴片单元一一对应的过孔,每个过孔的一端连接于贴片单元且另一端连接于底部金属层,过孔内填充有与贴片单元材质相同的金属,每相邻两个贴片单元之间连接有电容,每个贴片单元包括中心贴片和与中心贴片相连的多个分支贴片,分支贴片还连接有一个或多个末端贴片,贴片单元为对称结构,相邻末端贴片之间连接有电感。该结构可提高目标区域内的射频磁场,并阻止射频磁场进入到磁体腔中,从而大大提高射频线圈的信噪比。本发明还公开了一种单边核磁共振传感器。

    一种基于电光效应的非接触式过电压传感器的壳体装置

    公开(公告)号:CN105606866A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201510846741.6

    申请日:2015-11-27

    Abstract: 一种基于电光效应的非接触式过电压传感器的壳体装置,包括用于放置电容分压单元和光电传感单元的放置箱和整机箱,所述电容分压单元引出电压信号至光电传感单元,所述光电传感单元中的光纤设置在光纤槽内,所述放置箱和整机箱均由导电材料制成,所述电容分压单元设置有感应金属板和低压臂电容,所述感应金属板设置于放置箱的开口上,所述放置箱设置于整机箱内,整机箱上还设置有绝缘体制成的箱盖。本装置中的放置箱和整机箱能够对传感器起到基础的防护作用,不仅可以减震,还可以在很大程度上减少由于意外事故造成的冲击等外界因素而直接导致传感器中某个单元被破坏而失效。

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