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公开(公告)号：CN111254402A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010164031.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂ZnS的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，然后将ZnS靶材与Cr2S3靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上，再将清洗干净的钠钙玻璃衬底固定在载物台上，抽真空，然后依次交替溅射ZnS和Cr2S3，在钠钙玻璃衬底上沉积Cr-ZnS得到层叠膜，最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到Cr-ZnS中间带薄膜。本发明的Cr掺杂ZnS的中间带薄膜的制备方法，采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理制备出的Cr-ZnS薄膜，其具有闪锌矿与纤锌矿相混合的结构，在其UV-vis-NIR光吸收谱中，位于650nm和459nm附近,具有两个额外吸收峰出现，表明在原能带结构中有中间带形成，导致光吸收系数的增加，光吸收强度提高，进一步为Cr-ZnS中间带薄膜太阳电池的制备提供指导方向。
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公开(公告)号：CN119101505A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411028171.5
申请日：2024-07-30
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院 , 内蒙古大学
IPC: C09K11/62 , H01L31/0328 , H01L31/032 , H01L31/09 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开一种Zn掺杂CuInS2@TiO2材料及其制备方法和应用，属于材料技术领域。该Zn掺杂CuInS2@TiO2材料的制备方法，包括以下步骤：将ZnxCuInS2量子点粉末溶于二氯甲烷，之后加入TiO2纳米颗粒在40‑45℃的水浴环境中加热并搅拌，之后加入二氯甲烷离心，之后干燥即可。此外，本发明还提出一种Zn掺杂CuInS2@TiO2材料，由上述制备方法制备得到。另外，本发明还提出一种上述制备方法制得的Zn掺杂CuInS2@TiO2材料在制备光电探测器器件的应用。制得的Zn掺杂CuInS2@TiO2材料光电转换效率高，而且能够显著改善光电探测器的响应时间。
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公开(公告)号：CN116632112A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310613278.5
申请日：2023-05-25
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0745
Abstract: 本发明涉及一种引入硫氰酸亚铜界面层的Gr/Si异质结太阳能电池及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.制备硅基底。S2.制备CuSCN/Si薄膜层。S3.制备Gr/CuSCN/Si器件。S4.制备TFSA/Gr/CuSCN/Si器件。S5.制备TFSA/Gr/CuSCN/Si异质结太阳能电池。本发明首次从实验上将CuSCN空穴传输层用于Gr/Si基太阳能电池作为界面层来改善该类太阳能电池的载流子迁移率、化学稳定性和热稳定性等特性。
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公开(公告)号：CN119080054A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411028163.0
申请日：2024-07-30
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院 , 内蒙古大学
Abstract: 本发明公开一种ZnCuInSexS2‑x或ZnSnyCuInS2量子点、组合物及其制备方法，属于量子点技术领域。该ZnCuInSexS2‑x或者ZnSnyCuInS2量子点的制备方法，包括：将Zn源前驱体溶液、In(OAc)3、CuI、油胺和十八烯混合，抽真空加热至55‑65℃，温度升至160‑170℃时注入Se/S离子混合物或者Sn/S离子混合物进行反应，之后降温到80‑90℃后加入石油醚得到ZnCuInSexS2‑x量子点或者ZnSnyCuInS2量子点。本发明还包括上述制备方法制得的量子点。本发明还提出一种组合物，包括上述两种量子点。本发明的制备方法制得的量子点的带隙窄。
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公开(公告)号：CN111341664B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010164015.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，再将CuGaS2靶材与过渡金属元素靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上；然后将钠钙玻璃衬底固定在载物台上抽真空；在溅射介质Ar流量为30sccm、工作压力为0.6Pa的条件下依次交替溅射CuGaS2和过渡金属元素靶材，在一定温度的钠钙玻璃衬底上沉积X‑CuGaS2得到层叠膜，其中X表示过渡金属元素；最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到X‑CuGaS2中间带薄膜。本发明的过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜的制备方法，采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理得到纯黄铜矿结构X‑CuGaS2中间带薄膜，组成元素及薄膜表面晶体颗粒尺寸分布均匀，有杂质带形成，从而提高了光吸收强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118553816A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410664988.5
申请日：2024-05-27
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明涉及光伏材料技术领域，具体公开了一种Sn中掺杂ZnSe的薄膜光伏材料及其制备方法，包括如下步骤：S1：准备材料：准备Sn靶材与ZnSe靶材；S2：制备薄膜：使用磁控溅射法，将混合后的靶材均匀地涂覆在适当的基底上；S3：热处理：将涂覆有靶材的基底放入加热设备中，进行热处理，在热处理过程中，Sn靶材会均匀地掺杂在ZnSe靶材中；本发明通过磁控溅射法利用磁场来提高等离子体的密度和靶材的溅射率，从而加快薄膜的生长速度，磁控溅射还可以有效减少靶材的“非目标”溅射损耗，提高靶材的利用率，通过精确调控磁场强度和分布，实现更均匀、更紧密结合的薄膜结构，磁控溅射技术具有高效率、高材料利用率和优良的膜层质量控制的效果。
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公开(公告)号：CN111139441B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010163990.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种Ti掺杂CdIn2S4的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，然后将CdIn2S4靶材与TiS2靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上，再将清洗干净的钠钙玻璃衬底固定在载物台上，抽真空，然后依次交替溅射CdIn2S4和TiS2，在钠钙玻璃衬底上沉积Ti‑CdIn2S4得到层叠膜，最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到Ti‑CdIn2S4中间带薄膜。本发明的Ti掺杂CdIn2S4的中间带薄膜的制备方法，通过溅射法制备出纯尖晶石结构的Ti‑CdIn2S4薄膜，掺入Ti元素后形成杂质带，该薄膜可以吸收可见光‑红外光源范围内的光子，增多光生载流子降低电子‑空穴对复合，光吸收强度明显增强，并且随着Ti掺杂量的增加吸收强度也在增强。
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公开(公告)号：CN111254402B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010164031.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂ZnS的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，然后将ZnS靶材与Cr2S3靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上，再将清洗干净的钠钙玻璃衬底固定在载物台上，抽真空，然后依次交替溅射ZnS和Cr2S3，在钠钙玻璃衬底上沉积Cr‑ZnS得到层叠膜，最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到Cr‑ZnS中间带薄膜。本发明的Cr掺杂ZnS的中间带薄膜的制备方法，采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理制备出的Cr‑ZnS薄膜，其具有闪锌矿与纤锌矿相混合的结构，在其UV‑vis‑NIR光吸收谱中，位于650nm和459nm附近,具有两个额外吸收峰出现，表明在原能带结构中有中间带形成，导致光吸收系数的增加，光吸收强度提高，进一步为Cr‑ZnS中间带薄膜太阳电池的制备提供指导方向。
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公开(公告)号：CN111233029A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010164013.8
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: C01G15/00 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法。首先称取In2S3和Cr2S3粉末样品放入球磨罐中；然后球磨罐中加入无水乙醇，密封球磨罐，然后将球磨罐放入球磨机中球磨；再将球磨后的样品取出放入离心管中做离心处理，将离心后的样品中的上层无水乙醇倒出，然后干燥，然后取出，手工研磨，然后放入退火炉中退火，退火后得到Cr-In2S3中间带材料。本发明的Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法，其制备方法简单，采用球磨法结合退火处理制备了Cr-In2S3光吸收层材料，结构中各个元素符合化学计量比，组成元素分布均匀，其光反射强度低，从而导致光吸收强度强，而且能够吸收红外区的光生载流子，降低光生电子-空穴对复合。
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公开(公告)号：CN111139441A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010163990.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种Ti掺杂CdIn2S4的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，然后将CdIn2S4靶材与TiS2靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上，再将清洗干净的钠钙玻璃衬底固定在载物台上，抽真空，然后依次交替溅射CdIn2S4和TiS2，在钠钙玻璃衬底上沉积Ti-CdIn2S4得到层叠膜，最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到Ti-CdIn2S4中间带薄膜。本发明的Ti掺杂CdIn2S4的中间带薄膜的制备方法，通过溅射法制备出纯尖晶石结构的Ti-CdIn2S4薄膜，掺入Ti元素后形成杂质带，该薄膜可以吸收可见光-红外光源范围内的光子，增多光生载流子降低电子-空穴对复合，光吸收强度明显增强，并且随着Ti掺杂量的增加吸收强度也在增强。
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