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公开(公告)号：CN113387705B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110835865.X
申请日：2021-07-23
Applicant: 郑州航空工业管理学院
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种碳化硼陶瓷的制备方法，该制备方法首先对碳化硼施加较低的恒定压力，然后在最高烧结温度时将恒定压力调整为振荡压力，最后在冷却阶段调整为较低的恒定压力得到碳化硼陶瓷。该方法将振荡压力施加在烧结中期至烧结末期，其改变了碳化硼烧结过程的致密化机理，能够在1700‑1800℃实现纯碳化硼的致密化，且烧结压力较小，此种烧结方式可引入大量晶体缺陷，实现材料性能的大幅提升，所制备得到的碳化硼陶瓷致密度高。且本发明采用的较低的烧结压力降低了对烧结设备和所用石墨模具的要求，有助于制备更大尺寸的高性能碳化硼陶瓷构件。
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