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公开(公告)号:CN103992327B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201410137432.7
申请日:2014-04-08
Applicant: 许昌学院
IPC: C07D487/22
Abstract: 本发明涉及一种溶剂热反应一步制备锰酞菁晶体的方法。它包括以下步骤:将摩尔比为4:1的邻苯二甲腈和四水合乙酸锰加入到反应釜中,然后加入无水乙醇溶剂,搅拌均匀,将反应釜密封后于180-200℃进行不低于1小时的溶剂热反应,反应结束后停止加热,自然冷却至室温;将上述制备得到的样品取出,使用热水及热乙醇反复冲洗锰酞菁晶体表面吸附的剩余反应物,然后再干燥即可得到锰酞菁晶体。该方法制备得到的锰酞菁晶体具有规则的晶体外观,整个制备过程操作简单、成本低廉、不产生有害污染物,反应过程易于控制,符合实际生产需要。
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公开(公告)号:CN100545081C
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200710052721.7
申请日:2007-07-12
Applicant: 许昌学院
Abstract: 一种树枝状硒化银纳米晶薄膜材料及制备方法。该材料的制法是把具有金属银表面的基底材料,单质硒粉,以及有机醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中,在120℃-180℃下反应,在基底材料的金属银表面原位制得由树枝状结构的硒化银纳米晶组成的薄膜材料,反应结束后,自然冷却至室温,产物用无水乙醇清洗,50℃以下干燥。所述的基底材料是指金属银箔片,表面镀了一层纳米金属银的半导体硅片、导电玻璃ITO等;本发明通过一步化学反应直接在具有金属银表面的基底上原位生长硒化银纳米晶薄膜,使用最简单的有机醇作为反应介质,环境友好;没有用到任何添加剂及表面活性剂,不需要后续的提纯步骤且晶型完美;反应快捷,操作方便,具有广泛的工业应用前景。
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公开(公告)号:CN101121504A
公开(公告)日:2008-02-13
申请号:CN200710052721.7
申请日:2007-07-12
Applicant: 许昌学院
Abstract: 一种树枝状硒化银纳米晶薄膜材料及制备方法。该材料的制法是把具有金属银表面的基底材料,单质硒粉,以及有机醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中,在120℃-180℃下反应,在基底材料的金属银表面原位制得由树枝状结构的硒化银纳米晶组成的薄膜材料,反应结束后,自然冷却至室温,产物用无水乙醇清洗,50℃以下干燥。所述的基底材料是指金属银箔片,表面镀了一层纳米金属银的半导体硅片、导电玻璃ITO等;本发明通过一步化学反应直接在具有金属银表面的基底上原位生长硒化银纳米晶薄膜,使用最简单的有机醇作为反应介质,环境友好;没有用到任何添加剂及表面活性剂,不需要后续的提纯步骤且晶型完美;反应快捷,操作方便,具有广泛的工业应用前景。
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公开(公告)号:CN106478644B
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201510544628.2
申请日:2015-08-31
Applicant: 许昌学院
IPC: C07D487/22
Abstract: 本发明公开一种金属酞菁晶体的制备方法。它包括以下步骤:将邻苯二甲腈和金属铜片依次加入到反应釜内,然后加入无水乙醇溶剂,将反应釜密封后置于180‑200 oC的烘箱中进行不低于3小时的溶剂热反应,反应结束后停止加热,自然冷却至室温。使用吸管小心将得到的铜酞菁针状晶体吸取出,用热乙醇浸泡并冲洗铜酞菁表面吸附的剩余反应物,产物经干燥后即可完成铜酞菁晶体的纯化操作。该方法可通过一步反应直接获得具有规则针状外观的铜酞菁晶体,无需再经重结晶过程。整个制备过程操作简单、绿色无污染,不产生有害污染物。另外,该方法使用铜片作反应物,纯化过程中避免了传统方法使用铜盐而带来的繁琐后处理操作,纯化过程简便易行,符合实际生产需要。
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公开(公告)号:CN105929603B
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201610365358.3
申请日:2016-05-26
Applicant: 许昌学院
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管光调制器及其制备和工作方法。本发明通过一定含量的羧基化碳纳米管与向列型液晶复合使无序聚集形成的碳纳米管集群处于非约束状态,然后给处于非约束状态的碳纳米管施加电场,非约束状态下的碳纳米管集群沿电场方向完成拉伸取向,然后在去除电场后,取向的碳纳米管集群在液晶相作用下恢复原始取向状态,在取向转动过程中实现对光波状态进行调控的目的。与现有光调制器相比,本发明的光调制器件具有无偏振依赖、电场响应效率高且制备流程简单等优点并可大规模迅速实现。
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公开(公告)号:CN106478644A
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201510544628.2
申请日:2015-08-31
Applicant: 许昌学院
IPC: C07D487/22
Abstract: 本发明公开一种金属酞菁晶体的制备方法。它包括以下步骤:将邻苯二甲腈和金属铜片依次加入到反应釜内,然后加入无水乙醇溶剂,将反应釜密封后置于180-200oC的烘箱中进行不低于3小时的溶剂热反应,反应结束后停止加热,自然冷却至室温。使用吸管小心将得到的铜酞菁针状晶体吸取出,用热乙醇浸泡并冲洗铜酞菁表面吸附的剩余反应物,产物经干燥后即可完成铜酞菁晶体的纯化操作。该方法可通过一步反应直接获得具有规则针状外观的铜酞菁晶体,无需再经重结晶过程。整个制备过程操作简单、绿色无污染,不产生有害污染物。另外,该方法使用铜片作反应物,纯化过程中避免了传统方法使用铜盐而带来的繁琐后处理操作,纯化过程简便易行,符合实际生产需要。
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公开(公告)号:CN102151529B
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201110035827.2
申请日:2011-02-11
Applicant: 许昌学院
IPC: B01J13/02
Abstract: 一种酚醛树脂包覆碳纳米管复合材料及其化学制备方法。该复合材料由苯酚、六次甲基四胺、碳纳米管及蒸馏水,经过水热反应在碳纳米管表面原位生长得到,为电缆状包覆结构,碳纳米管为芯,酚醛树脂为包覆在芯外部的壳层,其壳层厚度由苯酚的用量来控制。制备方法是首先将苯酚加入到容器中,然后加入六次甲基四胺及溶剂蒸馏水,苯酚与六次甲基四胺质量比为1-10∶6,溶剂蒸馏水的体积大于容器容积的一半,苯酚浓度为6~60mg/35ml,再将碳纳米管加入到上述容器中,碳纳米管与苯酚质量比为1-10∶1.5,搅拌数分钟后,在160℃温度下水热反应20-24小时,反应产物用无水乙醇洗涤3次以上后,室温干燥即得。本发明无需用到毒性溶剂,环境友好,低温能耗低,方便,快捷。
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公开(公告)号:CN115636440A
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202211537730.6
申请日:2022-12-02
Applicant: 许昌学院
IPC: C01G29/00 , B82Y40/00 , B01J27/125
Abstract: 本发明公开了一种In+掺杂(001)晶面暴露含氧空位BiOCl纳米片可见光光催化剂及其制备方法。它以硝酸铋、硝酸铟和氯化钾为前躯体(铟元素与铋元素的物质的量比为1:100~5:100,以体积比为1:8~1:3的乙二醇和水的混合溶液为溶剂,在160oC~180oC反应10~30小时得到In3+掺杂(001)晶面暴露BiOCl纳米片,所得样品经紫外光照1~4小时得到In+掺杂(001)晶面暴露含氧空位BiOCl纳米片,其尺寸小于200 nm,厚度为15~25 nm。使用本发明方法制备的(001)晶面暴露BiOCl纳米片中In+与氧空位共存,铟元素取代了铋元素的位置,在可见光下能高效降解杀虫剂五氯酚钠。本发明工艺简单,成本低,环境友好,产率高,适合大规模生产,符合实际生产需要,有较大的应用潜力。
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公开(公告)号:CN105929603A
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201610365358.3
申请日:2016-05-26
Applicant: 许昌学院
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133784
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管光调制器及其制备和工作方法。本发明通过一定含量的羧基化碳纳米管与向列型液晶复合使无序聚集形成的碳纳米管集群处于非约束状态,然后给处于非约束状态的碳纳米管施加电场,非约束状态下的碳纳米管集群沿电场方向完成拉伸取向,然后在去除电场后,取向的碳纳米管集群在液晶相作用下恢复原始取向状态,在取向转动过程中实现对光波状态进行调控的目的。与现有光调制器相比,本发明的光调制器件具有无偏振依赖、电场响应效率高且制备流程简单等优点并可大规模迅速实现。
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公开(公告)号:CN105807452A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201610299997.4
申请日:2016-05-05
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: G02F1/0102 , G02F1/1313
Abstract: 本发明一种可高速响应的石墨烯光调制器的制备方法:将功能化石墨烯固体分散后与具有低介电各向异性常数的商业化液晶超声复合,得到功能化石墨烯质量分数为0.001~0.01wt%的复合材料;在一面有ITO的玻璃基板的ITO面上水平取向,然后将两块处理后的将膜厚约为35~45μm的聚丙烯薄膜双面胶带粘贴于经过步骤三处理的玻璃基板边缘上,按反平行于摩擦取向方向粘接制作上下玻璃基板间距为40μm的空白液晶盒;然后将含功能化石墨烯薄片的复合材料灌注于上述液晶盒中,最后用环氧树脂B胶封盒,得到光调制器VA1。与现有光调制器相比,本发明的光调制器件可具有电场响应速率高、无偏振依赖且制备流程简单等优点并可大规模迅速实现。
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