公开(公告)号：CN112281138A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011077350.X

申请日：2020-10-10

Applicant: 许昌学院

Inventor： 张羽翔 ,  姚川 ,  李会 ,  张时星 ,  吕春杰 ,  梁晓雪 ,  莫美娟 ,  湛亚琴 ,  刘娜 ,  王恒

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供了一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法，包括以下步骤：1)将半导体衬底置于反应腔中，在真空且载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Co源进行沉积，得到沉积有Co源的衬底；2)向反应腔中充入惰性气体对沉积有Co源的衬底进行吹扫；3)在载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔通入硅源，所述硅源为气相硅源，与沉积在衬底上的Co源进行单原子反应，得到纳米CoSix薄膜；4)向反应腔中充入惰性气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；重复步骤一至步骤四的操作1～3000次，即可得到生长有不同厚度的CoSix沉积层。本发明可以在衬底上沉积形成保型性好、表面粗糙度低的含CoSix沉积层。

公开(公告)号：CN114560886B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202210187151.7

申请日：2022-02-28

Applicant: 许昌学院

Inventor： 张羽翔 ,  姚川 ,  张艳鸽 ,  张时星 ,  李会 ,  刘玲煜 ,  王恒 ,  阴文玉 ,  李雪仃 ,  郭鑫 ,  瞿轩轩 ,  秦娜 ,  王潚君

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基Ni(II)化合物，该化合物可以用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出Ni基薄膜。本发明信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物的方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；并且有较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，良好的成膜性能，可形成良好的CVD Ni薄膜。#imgabs0#

公开(公告)号：CN114605656A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210198324.5

申请日：2022-03-02

Applicant: 许昌学院

Inventor： 李会 ,  刘欣 ,  顾文 ,  王宏胜

IPC: C08G83/00 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明公开了一种钕基金属有机骨架材料Nd‑MOF的制备方法及其应用，属于荧光传感材料的制备工艺领域。本发明方法利用简单的溶剂热法得到产率和相纯度较高的浅紫色Nd‑MOF晶体，该Nd‑MOF晶体属于单斜晶系P 12/c 1空间群，晶胞参数分别为：α＝90°，β＝107.532°(5)，γ＝90°。本发明Nd‑MOF材料具有较好的近红外荧光，并且当环境的温度低至110K时，其荧光发射强度有较小的变化，说明Nd‑MOF的近红外荧光性质具有较好的耐低温性。

公开(公告)号：CN114573642A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210187207.9

申请日：2022-02-28

Applicant: 许昌学院

Inventor： 张羽翔 ,  姚川 ,  张艳鸽 ,  张时星 ,  李会 ,  刘玲煜 ,  张慧 ,  徐莉佳 ,  张雅鑫 ,  王恒 ,  阴文玉 ,  秦娜 ,  王潚君

IPC: C07F15/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物，有良好的耐空气水分稳定性，较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，以及良好的成膜性能，可用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出良好的Ni基薄膜。同时本发明合成方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本。

公开(公告)号：CN113717233A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202111171426.X

申请日：2021-10-08

Applicant: 许昌学院

Inventor： 张羽翔 ,  姚川 ,  张时星 ,  李会 ,  阴文玉 ,  张慧 ,  徐莉佳 ,  张雅鑫 ,  王恒 ,  秦娜 ,  李雪仃

IPC: C07F15/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种新型的信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，合成方法简单、合成条件温和。该氨基吡啶基氯化Co(II)化合物具有良好的耐空气水分稳定性，有良好的挥发性和热稳定性，具有良好的成膜性能。本发明以氨基吡啶基氯化Co(II)化合物作为CVD/ALD的前驱体，通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺，制备Co基薄膜如Co金属薄膜等，大大降低了前驱体材料的成本；该前驱体材料所具有的良好耐空气水分稳定性使得前驱体材料操作性、运输、输送以及加工过程变得简单易操作。

公开(公告)号：CN112326748A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011003681.9

申请日：2020-09-22

Applicant: 许昌学院

Inventor： 孙红 ,  姚川 ,  许志红 ,  李浩 ,  李会 ,  杨玲 ,  张时星

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明提供一种溶菌酶蛋白质变性过程的监测方法，包括以下基本步骤：电解池的构建；溶菌酶蛋白分子折叠过程检测；数据处理；溶菌酶蛋白分子变性前后脉冲信号对比分析，本发明可实现天然蛋白质的折叠中间态以及展开态的检测与区分，可揭示变性剂作用于蛋白分子的方式，进而有助于深入理解蛋白质折叠方式以及蛋白质相关疾病药物的研发，相比于传统技术，本发明所提供的方法具有简单、快速、低成本、高灵敏度、数据重现性好的优点，可广泛用作生物学和临床医学关于蛋白质相关研究的辅助分析手段。

公开(公告)号：CN112300400A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011003684.2

申请日：2020-09-22

Applicant: 许昌学院

Inventor： 李会 ,  姚川 ,  张羽翔 ,  张时星 ,  孙红 ,  杨玲 ,  陈盼 ,  郝壮 ,  郝海静

IPC: C08G83/00 ,  C09K11/06 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明提供一种镉基金属有机骨架Cd‑MOF材料的制备方法及其应用，其特征在于，所述Cd‑MOF材料的制备方法为：步骤一：将硝酸镉溶解在水中，将配体5‑(双(4‑羧基苄基)氨基)‑间苯二甲酸溶解到N,N‑二乙基甲酰胺中，并将两者与乙醇混合；步骤二：将混合后的溶液倒入聚四氟乙烯反应釜内衬中进行超声处理；步骤三：将反应釜放入鼓风干燥箱中进行加热；步骤四：将反应釜冷却至室温后，将反应液过滤，得到黄色花瓣状的Cd‑MOF晶体。本发明合成的述Cd‑MOF荧光材料的合成方法简单，且产量和纯度较高，通过单晶衍射可解析出MOF的准确结构，且本发明合成的Cd‑MOF荧光材料在区分检测α，β－不饱和醛和饱和醛时，具有操作简单、耗时少、成本低的特点。

公开(公告)号：CN114560886A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210187151.7

申请日：2022-02-28

Applicant: 许昌学院

Inventor： 张羽翔 ,  姚川 ,  张艳鸽 ,  张时星 ,  李会 ,  刘玲煜 ,  王恒 ,  阴文玉 ,  李雪仃 ,  郭鑫 ,  瞿轩轩 ,  秦娜 ,  王潚君

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基Ni(II)化合物，该化合物可以用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出Ni基薄膜。本发明信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物的方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；并且有较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，良好的成膜性能，可形成良好的CVD Ni薄膜。