公开(公告)号：CN1847305A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610073199.6

申请日：2006-04-12

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  共荣社化学株式会社

Inventor： 熊泽光章 ,  平井俊晴 ,  细井弘之 ,  竹中直巳

IPC: C08L33/14 ,  C08K3/36 ,  G02B1/11

Abstract: 本发明提供作为防反射膜有用的耐擦伤性、耐化学试剂性、透明性、防反射性能等优良的用于形成低折射率膜的组合物。该用于形成低折射率膜的组合物由含有全氟基团的(甲基)丙烯酸酯树脂、和经通式RnSiX(4－n)表示的硅烷偶合剂处理的中空二氧化硅类微粒组成。式中，R：碳原子数为1～4的烷氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、全氟(甲基)丙烯酰基，X：碳原子数为1～4的烷氧基、硅烷醇基、卤原子或氢原子。

公开(公告)号：CN1608986A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410084010.4

申请日：2004-10-13

Applicant: 触媒化成工业株式会社

Inventor： 村口良 ,  熊泽光章 ,  西田广泰 ,  平井俊晴

IPC: C01B33/18

CPC classification number: H01B1/08 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C09C1/3054 ,  Y10T428/2991

Abstract: 本发明提供一种折射率低并且具有导电性的氧化锑被覆氧化硅类微粒。此氧化锑被覆氧化硅类微粒由多孔质的氧化硅类微粒或内部具有空洞的氧化硅微粒上被覆氧化锑而形成。此氧化锑被覆氧化硅类微粒的折射率在1.35～1.60的范围内，体积电阻值在10～5000Ω/cm的范围内，平均粒径在5～300nm的范围内，氧化锑被覆层的厚度在0.5～30nm的范围内。