-
公开(公告)号：CN112185959A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010887541.6
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/20 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种与GaN HEMT电力电子器件单片集成的CMOS反相器及制备方法，该CMOS反相器包括：衬底、复合缓冲层、沟道层、复合势垒层、P‑InGaN层、PMOS源电极、PMOS漏电极、PMOS绝缘介质层54、PMOS栅电极、NMOS源电极、NMOS漏电极、NMOS绝缘介质层、NMOS栅电极和互联金属。该CMOS反相器在复合势垒层上制备P‑InGaN层，可以产生空穴，耗尽复合势垒层和沟道层之间的二维电子气，与复合势垒层的界面处形成二维空穴气，从而形成PMOS的导电沟道，提高了PMOS器件的输出电流。
-
公开(公告)号：CN117411496A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311346836.2
申请日：2023-10-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04B1/10 , H04B1/12 , G06F18/2321
Abstract: 本发明提供了一种基于肘部法和DBSCAN的通信抗干扰方法及装置，通过肘部法确定分类个数，将分类个数作为聚类算法参数选取标准，将DBSCAN聚类算法、DPC聚类算法与K‑means聚类算法相结合进行聚类算法改进，并利用已知的一部分信号信息选出最优DBSCAN聚类算法参数找出最优噪声点筛选结果，提升混合矩阵估计值的准确性从而实现对目标信号分离结果的修正。在信号预处理阈值不恰当的情况下，本发明仍能实现目标信号的准确分离并提高准确性，具有现实意义和良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111834454A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010514600.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/20
Abstract: 本发明涉及一种具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管及其制备方法，其中，具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管包括：衬底、复合缓冲区、沟道层、复合势垒区、源极、漏极和栅极，其中，栅极包括栅脚和栅头，栅头的宽度大于栅脚的宽度；源极靠近栅极的侧面与栅头的第一侧面位于同一垂直平面内；漏极靠近栅极的侧面与栅头的第二侧面位于同一垂直平面内。本发明的具有自对准源漏电极的氮化镓晶体管，通过源极、漏极与栅极的自对准，实现了与栅头宽度尺寸类似的源漏间距，最大程度的减小了源漏间距，降低了晶体管的源极接入电阻和漏极接入电阻，从而减小了晶体管的功率损耗和提高了晶体管的频率特性。
-
公开(公告)号：CN111710715A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010409092.4
申请日：2020-05-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种具有空气腔的氮化镓微波毫米波晶体管结构，其特征在于，包括：具有氮化镓外延结构的晶圆；栅电极、源电极和漏电极，栅电极、源电极和漏电极均位于晶圆上；表面钝化层，位于晶圆上；第一中间介质层和第二中间介质层，分别位于漏电极和源电极上；掩膜层，掩膜层位于第一中间介质层和第二中间介质层上，且掩膜层、第一中间介质层和第二中间介质层、表面钝化层、漏电极和源电极在栅电极周围围绕成一空气腔；表面保护层，表面保护层位于掩膜层上。本发明去除了源电极和漏电极之间的介质，形成一个空气腔，显著减少了源电极、栅电极和漏电极之间的寄生电容，提升了器件的频率性能。
-
公开(公告)号：CN111668101A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010496654.3
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，其中，所述增强型氮化镓高电子迁移率晶体管包括：晶圆，设置在所述晶圆上的源电极和漏电极，设置在所述晶圆上且位于所述源电极和所述漏电极之间的栅电极；其中，所述晶圆包括氮化镓外延结构；所述晶圆内设有一非晶材料区域，所述非晶材料区域位于所述栅电极下面。本发明提供的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管通过对栅电极下面的部分势垒层进行离子注入，破坏晶格结构，形成非晶材料，从而对栅电极下面的二维电子气形成耗尽，以实现增强型晶体管的设计，其结构简单，工艺过程易于控制，成本较低，且器件可靠性高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111640795A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010350442.4
申请日：2020-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有弧形栅电极的氮化镓高频晶体管及制作方法，包括：晶圆结构；栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极设置于所述晶圆结构上，其中，所述栅电极包括栅脚和设置于所述栅脚上的栅头，所述栅头的体积大于所述栅脚的体积，所述栅头与所述栅脚的连接处为弧形。本发明的晶圆结构为氮化镓高迁移率晶体管外延结构，包括衬底层、复合缓冲区、沟道层和复合势垒区，栅电极采用弧形结构，可提高器件的工作频率、增加器件的击穿电压，使器件具有更低的导通电阻和更高的输出电流。
-
公开(公告)号：CN103607112B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310643640.X
申请日：2013-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M1/44
Abstract: 本发明公开了一种自适应开关频率调整电路，主要解决现有技术存在的开关变换器仅在较窄负载范围内保持较高效率的问题。其包括模式判别模块，阈值选择模块，基本振荡逻辑，抖频控制逻辑及受控电流源。模式判别模块通过检测外部反馈电压FB，产生两个比较逻辑信号，这两个比较逻辑信号在阈值选择模块中进行逻辑运算，确定基本振荡器逻辑中比较器的低阈值电压，基本振荡器逻辑输出时钟信号并作为抖频控制逻辑的驱动并产生一组控制信号对受控电流源的输出电流进行控制，实现频率抖动，降低开关式变换器的电磁干扰。本发明所述的自适应开关频率调整电路可靠性高，所有功能可完全集成在芯片内部，可应用于各种电源管理系统中。
-
公开(公告)号：CN103607112A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310643640.X
申请日：2013-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M1/44
Abstract: 本发明公开了一种自适应开关频率调整电路，主要解决现有技术存在的开关变换器仅在较窄负载范围内保持较高效率的问题。其包括模式判别模块，阈值选择模块，基本振荡逻辑，抖频控制逻辑及受控电流源。模式判别模块通过检测外部反馈电压FB，产生两个比较逻辑信号，这两个比较逻辑信号在阈值选择模块中进行逻辑运算，确定基本振荡器逻辑中比较器的低阈值电压，基本振荡器逻辑输出时钟信号并作为抖频控制逻辑的驱动并产生一组控制信号对受控电流源的输出电流进行控制，实现频率抖动，降低开关式变换器的电磁干扰。本发明所述的自适应开关频率调整电路可靠性高，所有功能可完全集成在芯片内部，可应用于各种电源管理系统中。
-
公开(公告)号：CN112466934A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011217956.9
申请日：2020-11-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/45 , H01L29/20 , H01L29/872 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种n型AlN欧姆接触结构、AlN肖特基二极管及AlN场效应晶体管，其中，所述n型AlN欧姆接触结构包括晶圆结构和欧姆接触电极，其中，所述欧姆接触电极设置于所述晶圆结构上，所述晶圆结构包括自下而上依次设置的衬底层、过渡层、沟道层、渐变AlGaN层和n型GaN层，所述渐变AlGaN层中Al组分的含量自下而上逐渐从1变化到0。本发明使用n型掺杂的渐变AlGaN层，降低了欧姆接触电极与AlN之间的势垒高度，从而实现欧姆接触电极与n型AlN之间较低的欧姆接触电阻，有效降低了金属电极与n型AlN的欧姆接触电阻阻值。
-
公开(公告)号：CN111969046A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010683068.X
申请日：2020-07-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及制备方法，高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，包括：晶圆，晶圆包括三族氮化物异质结，异质结界面形成二维电子气；位于晶圆上两端的源电极和漏电极；栅电极，设置在晶圆上，且位于源电极和漏电极之间；若干p型三族氮化物区，间隔设置在三族氮化物异质结内，且位于栅电极的下方，若干p型三族氮化物区与三族氮化物异质结形成纳米沟道带状结构。本发明的晶体管，在栅电极下设置有纳米沟道带状结构，实现了p型三族氮化物区对三族氮化物异质结的二维电子气的耗尽，形成了增强型的氮化镓高电子迁移率晶体管，而且提高了晶体管的跨导曲线的平坦度和线性度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.031 seconds)
