公开(公告)号：CN115236603B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202210884601.8

申请日：2022-07-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛国强 ,  樊帅 ,  任效江 ,  李治明 ,  李一帆

IPC: G01S7/285 ,  G01S7/35 ,  G01S13/58 ,  G08G1/01

Abstract: 本发明公开了一种隧道内基于时空关系的毫米波雷达量测异常轨迹处理方法，主要解决现有技术确定隧道内道路平面在雷达坐标系中不准，以及毫米波雷达量测异常轨迹处理依赖相机等传感器时空对准困难的问题，本发明利用高速公路隧道的模型参数确定隧道内道路平面在雷达坐标系中的位置，使得本发明可以获取精确的隧道道路平面的位置信息，滤除隧道外的轨迹，本发明利用轨迹信息中的时间和空间特征，识别发生轨迹分裂的轨迹，对其中生存时间短的轨迹进行删除，识别发生轨迹id切换的轨迹，对缺失部分轨迹进行补齐，使得本发明在不依赖相机数据，就可以实现对异常轨迹的识别处理。

公开(公告)号：CN113948389B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202111004367.7

申请日：2021-08-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张雅超 ,  马金榜 ,  李一帆 ,  姚一昕 ,  张进成 ,  马佩军 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层SiSn外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置至少一层SiSn外延层，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiSn的热膨胀系数比Si大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。

公开(公告)号：CN113948391A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111006444.2

申请日：2021-08-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张雅超 ,  马金榜 ,  李一帆 ,  姚一昕 ,  张进成 ,  马佩军 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/02 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种硅基AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层SiGe外延层；S2、往反应室中通入三甲基铝和氨气，在目标温度和目标气体流量下对所述Si衬底的正面进行预处理；S3、在预处理后的所述Si衬底的正面依次外延生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaNHEMT器件；S4、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置SiGe外延层，SiGe的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiGe的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。

公开(公告)号：CN113937161A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111006463.5

申请日：2021-08-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张雅超 ,  马金榜 ,  李一帆 ,  姚一昕 ,  张进成 ,  马佩军 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种带有包裹埋层的Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，高电子迁移率晶体管包括依次层叠的Si衬底、AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，所述Si衬底中设置有N型埋层和隔离层，所述隔离层设置在所述Si衬底和所述N型埋层之间且包裹所述N型埋层。该高电子迁移率晶体管在Si衬底中设置N型埋层和隔离层，隔离层不会将N型埋层中的N型杂质完全掩蔽，N型杂质可以扩散进入Si衬底，从而抵消上层结构中Al扩散引入Si衬底的P型沟道浓度，从而提高衬底电阻率，降低器件的射频损耗。

公开(公告)号：CN113948390B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202111004388.9

申请日：2021-08-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马金榜 ,  张雅超 ,  李一帆 ,  姚一昕 ,  张进成 ,  马佩军 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该硅基AlGaN/GaN HEMT的制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面依次生长若干SiGe外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置若干SiGe外延层，SiGe的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiGe的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。

公开(公告)号：CN113948391B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202111006444.2

申请日：2021-08-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张雅超 ,  马金榜 ,  李一帆 ,  姚一昕 ,  张进成 ,  马佩军 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/02 ,  H01L29/778

公开(公告)号：CN113964034A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111006450.8

申请日：2021-08-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张雅超 ,  马金榜 ,  李一帆 ,  姚一昕 ,  张进成 ,  马佩军 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/02 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种基于衬底背面GeSnSi外延层的硅基AlGaN/GaNHEMT及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层GeSnSi外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置至少一层GeSnSi外延层，GeSnSi的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于GeSnSi的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaNHEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。

公开(公告)号：CN113948390A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202111004388.9

申请日：2021-08-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 马金榜 ,  张雅超 ,  李一帆 ,  姚一昕 ,  张进成 ,  马佩军 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该硅基AlGaN/GaN HEMT的制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面依次生长若干SiGe外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置若干SiGe外延层，SiGe的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiGe的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。