一种面向SiC/高温合金一体化构件的强韧化碳化硅陶瓷基体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110903090A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201911223363.0

    申请日:2019-12-03

    Abstract: 本发明公开了一种面向SiC/高温合金一体化构件的强韧化碳化硅陶瓷基体及其制备方法,属于先进制造技术领域。该方法通过向SiC制备材料中添加SiC短纤维实现了增韧,另一方面通过拓扑优化方法在基体的连接部位设计出一种增强基体结构强度的拓扑结构,从原材料和基体结构上实现了对SiC陶瓷基体的双重增韧。同时SiC陶瓷基体上的这种拓扑结构在实现与高温合金的铸造连接时,不仅可以使陶瓷/金属之间形成一种冶金结合,还可以通过一种机械咬合的方式增强陶瓷/金属材料之间的连接强度,使陶瓷/金属之间形成一种“物化双强耦合”的机制,提高陶瓷/金属连接的强度与稳定性。本发明是对现有异种材料连接技术的巨大改进,具有广阔的市场前景与市场价值。

    一种用于复杂零件制造的氧化钙基陶瓷铸型快速制备方法

    公开(公告)号:CN105732007B

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201610050776.3

    申请日:2016-01-25

    Abstract: 本发明公开了一种用于复杂零件制造的氧化钙基陶瓷铸型快速制备方法,属于快速精密铸造领域。采用碳酸钙粉体和适量矿化剂为原料制造陶瓷铸型素坯,将素坯脱脂后,和适量金属钙一起放入真空烧结炉中进行反应烧结,最后再将铸型放入大气烧结炉中终烧。金属钙单质与碳酸钙分解产生的二氧化碳反应生成氧化钙,提高了陶瓷铸型的致密度。适量的矿化剂促进了陶瓷铸型的烧结,提高了陶瓷铸型的抗水化性。使用上述方法制得的氧化钙基整体式陶瓷铸型具有优良的高温综合性能,解决了氧化铝基陶瓷铸型脱芯难、废品率高的技术难题,尤其适用于复杂零件的快速制造。

    一种面向单晶高温合金零件的陶瓷铸型制备方法

    公开(公告)号:CN107243590A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201710283890.5

    申请日:2017-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种面向单晶高温合金零件的陶瓷铸型制备方法,本发明采用基于面曝光法的新型光固化快速成型技术来实现单晶高温合金零件陶瓷铸型的制备,无需型芯型壳装配及蜡模的制备及组装,可直接制备出满足要求的高精度整体式陶瓷铸型,大大简化工艺流程。选晶系统与铸型为一体成型,避免了传统熔模铸造中选晶系统和零件蜡模组装带来的异物夹杂或装配位置不良而产生杂晶缺陷,并且可通过对铸型结构及壁厚的设计来实现对高温合金定向凝固过程的准确控制,减少铸造缺陷的产生。

    用于单晶叶片垂直度定位的校正仪

    公开(公告)号:CN112161599B

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202011209245.7

    申请日:2020-11-03

    Abstract: 本发明属于单晶叶片铸造应用技术领域,具体公开了用于单晶叶片垂直度定位的校正仪,包括底座、横支撑座、限位凸块、敞开形限位凹槽、定位螺孔、圆盘、若干个限位凸柱、L形校正支架、腰形通槽、锁紧螺钉、若干个校正限位横板和横校正限位凹槽等。本发明的用于单晶叶片垂直度定位的校正仪的有益效果在于:其设计结构合理,实现模壳垂直度预先的精准、高效和可靠的校正作业,进而保证后续单晶叶片铸造加热过程中不存在现有的问题,即单晶叶片铸造时完成平行或线性方式加热,加热受热均匀,有效的提高单晶叶片铸造的成品品质、降低成本。

    一种基于激光粉末床熔融成形锆基非晶合金复杂构件的方法

    公开(公告)号:CN119657925A

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411843767.0

    申请日:2024-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于激光粉末床熔融成形锆基非晶合金复杂构件的方法,属于非晶合金3D打印技术领域。包括:构建待加工锆基非晶合金复杂构件的三维模型;对温度场和应力场的仿真,并进行热应力计算;对热应力计算结果进行分析,设计针对锆基非晶合金复杂构件的大平面结构、悬臂梁及微小结构;对结构修正后的锆基非晶合金复杂构件模型进行切片分层、工艺参数设置以及扫描策略选定,得到设置好的切片模型;导入激光粉末床熔融成形设备中进行成形处理,再经过热处理和除杂处理,制得锆基非晶合金复杂构件。本发明通过工艺结构优化与工艺参数优化,降低了热应力的影响,消除了锆基非晶合金复杂构件在激光粉末床熔融成形过程中出现的开裂和变形的缺陷。

    用于不同晶体取向铸造单晶高温合金的籽晶切割装置及方法

    公开(公告)号:CN113232176A

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN202110490580.7

    申请日:2021-05-06

    Abstract: 本发明公开了一种用于不同晶体取向铸造单晶高温合金的籽晶切割装置及方法属于机械加工技术领域。籽晶切割装置由控制校正一次枝晶方向Gamma角的底部装置和控制校正一次枝晶方向Delta角、二次枝晶方向Alpha角及Beta角的顶部装置两部分组成。采用X衍射仪测一次枝晶和二次枝晶的角度,将顶部装置的中间角度分度盘旋定对应角度进行方向校正,将底部装置的角度分度盘旋定对应角度进行方向校正;获取单晶试棒方向准确校正后,通过切割机进行籽晶块切割,获取的籽晶块即为[001]、[011]或[111]取向的籽晶。该籽晶切割装置能够简便快捷的切取不同晶体取向的单晶试样籽晶,提高籽晶切割的成品率,设备操作简单,节省工时,在工业化量产籽晶方面有重要作用。

    一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法

    公开(公告)号:CN112479733A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011340311.4

    申请日:2020-11-25

    Abstract: 本发明公开一种适用于陶瓷/金属连接的陶瓷结合区表面改性方法,包括如下过程:在陶瓷构件表面进行磁控溅射镀膜,使陶瓷构件表面镀上金属镀膜;利用氢化钛粉对表面镀有金属镀膜陶瓷构件在真空条件下进行氢化钛烧结,在金属镀膜表面生成钛层,氢化钛烧结时,用氢化钛粉将陶瓷构件与周围填实;氢化钛烧结结束后,陶瓷/金属一体化构件制备的陶瓷结合区表面改性完成。使用该方法可在陶瓷与金属的结合区形成一层合金化过渡层,可以显著提高陶瓷结合区的表面能,改善陶瓷表面对金属材料的润性,从而提高陶瓷/金属一体化构件的接头性能和稳定性。

    一种基于3D打印技术的氧化钙基陶瓷铸型制造方法

    公开(公告)号:CN107021771B

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201710284229.6

    申请日:2017-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印技术的氧化钙基陶瓷铸型制造方法,该方法通过对颗粒级配后的氧化钙陶瓷粉末进行有机化处理后,再加入适量的烧结助剂和增强短纤维混合均匀制成3D打印用氧化钙基陶瓷粉末;然后利用光固化粘接剂与有机化处理后的氧化钙基陶瓷粉末进行3D打印,实现氧化钙基陶瓷铸型素坯的成形;再对氧化钙基陶瓷铸型进行脱脂、反应熔渗以及高温强化烧结,最终得到高强度的氧化钙基陶瓷铸型,并对制备的陶瓷铸型进行表面防水化处理。本方法提高了氧化钙基陶瓷铸型的抗水化性;本发明制得的氧化钙基陶瓷铸型具有优良的高温综合性能,可满足更高温度合金和高温化学性质活泼金属的铸造要求,且型芯易于脱除。

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