-
公开(公告)号:CN101281805B
公开(公告)日:2010-07-21
申请号:CN200810044628.6
申请日:2008-06-04
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其作法是:a、无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x 0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按,并溶解在N,N-二甲基甲酰胺中,形成无水溶液。b、胶体制备:在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸。c、胶体涂敷与干燥:将b步制得的胶体涂覆在基片上并干燥。d、烧结成相:将干燥后的基片放入烧结炉中,将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃,保温0.25-2小时,随后将炉温缓慢降至室温。该法制作工艺简单,操作控制容易,成本低,不污染环境;制得的氧化铈单层缓冲层的厚度可达到150-200nm。
-
公开(公告)号:CN101281806A
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200810044629.0
申请日:2008-06-04
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其具体作法是:a.无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x,0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰丙酮盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰丙酮铈,溶解于有机溶剂中形成无水溶液;b.胶体制备:在无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛或聚乙二醇或聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙烯醇或聚氧化乙烯形成胶体;c.胶体涂敷与干燥:将胶体涂覆在基片上并干燥;d.烧结成相:再将基片放入烧结炉,以5-100℃/min升至850℃-1150℃,保温0.25-2小时,以1-2℃/min降至室温。该方法制作工艺简单,操作控制容易,成本低,不污染环境;制备得到的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。
-
公开(公告)号:CN116765424A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202310772320.8
申请日:2023-06-27
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及合金材料的制备技术领域。公开了高硅铝合金件及其制备方法。高硅铝合金件的制备方法,包括:将铜含量为1~6wt%的高硅铝粉作为原料粉,采用激光选区熔化工艺制造高硅铝合金件。高硅铝合金件,采用上述制备方法制得。本申请提供的方法通过铜来达到熔池凝固过程中抑制硅相的生长以及促进硅相的球化,从而来抑制激光选区熔化过程中裂纹的萌生和扩展,进而获得力学性能好的高硅铝合金件的目的。该方法制备周期短,不存在刀具消耗,成本低。
-
公开(公告)号:CN100365740C
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200610020920.5
申请日:2006-04-27
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01B12/00 , C04B35/453 , C04B35/50 , H01L39/12
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的缓冲层。它由Re2O3和Bi2O3外延成相热处理生成的Re2-xBixO3氧化物固溶体构成;其中,0.65≤x≤1.35;Re为:Y(钇)、La(镧)、Pr(镨)、Nd(钕)、Sm(钐)、Eu(铕)、Gd(钆)、Tb(铽)、Dy(镝)、Ho(钬)、Er(铒)、Tm(铥)、Yb(镱)、Lu(镥)中的一种或一种以上的元素。它能在850℃以下的空气气氛中或在更低温度下的低氧环境中通过外延生成,制备成本低,而且其结构致密、表面平整,且在后续的ReBCO高温超导层的制备过程中保持结构稳定。
-
公开(公告)号:CN101281805A
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200810044628.6
申请日:2008-06-04
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其作法是:a.无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x 0.01≤x≤0.5称量稀土硝酸盐或硝酸锆与硝酸亚铈按,并溶解在N,N-二甲基甲酰胺中,形成无水溶液。b.胶体制备:在a步的无水溶液中加入聚丙烯酸或聚甲基丙烯酸。c.胶体涂敷与干燥:将b步制得的胶体涂覆在基片上并干燥。d.烧结成相:将干燥后的基片放入烧结炉中,将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃,保温0.25-2小时,随后将炉温缓慢降至室温。该法制作工艺简单,操作控制容易,成本低,不污染环境;制得的氧化铈单层缓冲层的厚度可达到150-200nm。
-
公开(公告)号:CN1931786A
公开(公告)日:2007-03-21
申请号:CN200610022016.8
申请日:2006-10-09
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/624 , H01B12/00
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种无氟的化学溶剂沉积制备钇钡铜氧高温超导涂层导体的方法。该方法包括以下步骤:将甲酸钇或乙酸钇、甲酸钡或乙酸钡或丙酸钡、甲酸铜或乙酸铜或丙酸铜溶解在乙酸或丙酸中,形成无水溶液;向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或聚乙二醇(PEG)或聚乙烯基吡咯烷酮(PVP),制成成膜性好的胶体;再将胶体涂覆在基片上,干燥后,放入烧结炉中烧结成相,并在氧气中退火即得钇钡铜氧YBCO涂层导体。该方法成本低,制作工艺简单,操作控制容易,且制备过程中不含严重污染环境的氟化物,不污染环境。
-
公开(公告)号:CN1862712A
公开(公告)日:2006-11-15
申请号:CN200610020920.5
申请日:2006-04-27
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01B12/00 , C04B35/453 , C04B35/50 , H01L39/12
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的缓冲层。它是由Re2O3和Bi2O3外延成相热处理生成的Re2-xBixO3氧化物固溶体;其中,0.65≤x≤1.35;Re为:Y(钇)、La(镧)、Pr(镨)、Nd(钕)、Sm(钐)、Eu(铕)、Gd(钆)、Tb(铽)、Dy(镝)、Ho(钬)、Er(铒)、Tm(铥)、Yb(镱)、Lu(镥)中的一种或一种以上的元素。它能在850℃以下的空气气氛中或在更低温度下的低氧环境中通过外延生成,制备成本低,而且其结构致密、表面平整,且在后续的ReBCO高温超导层的制备过程中保持结构稳定。
-
-
-
-
-
-