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公开(公告)号：CN104129985B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410322592.9
申请日：2014-07-08
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种表面具有纳米颗粒析出相的高温超导涂层导体Eu0.6Sr0.4BiO3缓冲层及其制备方法。采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备。目标物高温超导涂层导体缓冲层材料其名义组分为Eu0.6Sr0.4BiO3，其表面具有均匀弥撒分布的纳米析出相SrO2,析出相尺寸在100nm左右。本发明通过过饱和掺杂在缓冲层表面直接获得析出相颗粒，纳米析出相SrO2赋予了为其上超导层提供钉扎中心的可能。方法具有成本低廉，适合大规模沉积等优点，为其上超导层提供钉扎中心的性能得到验证。
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公开(公告)号：CN102723141B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210181622.X
申请日：2012-06-05
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层，其特征在于，为对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代进而外延成相热处理生成氧化物Gd1-xCaxBiO3固溶体，其中0.1≤x≤0.4。本发明所述高温超导涂层导体的Gd1-xCaxBiO3缓冲层，它是对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代后，将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整，并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明所述的Gd1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，具有成本低廉，操作控制容易，适合大规模沉积等优点。
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公开(公告)号：CN102745983A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210150303.2
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的Eu1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。对高温超导涂层导体EuBiO3缓冲层进行Eu的Ca的替代后，使EuBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整EuBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Eu1-xCaxBiO3，其中0.1≤x≤0.4。此外，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明Eu1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积。
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公开(公告)号：CN102701728A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210149549.8
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Gd1-xPbxBiO3缓冲层及其制备的方法，对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代后，将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Gd1-xPbxBiO3，其中0.1≤x≤0.2。此外，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。公开了Gd1-xPbxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积等优点。
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公开(公告)号：CN102222761A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110090543.3
申请日：2011-04-12
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法，包括以下步骤：将硝酸镧(La(NO3)3·6H2O)和硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)溶解在乙二醇甲醚中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙二醇-20000(polyethylene glycol，PEG-20000)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锆氧(La2Zr2O7)高温超导涂层导体缓冲层。该方法的制作成本低，易制得高品质的La2Zr2O7薄膜，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119789371A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411830183.X
申请日：2024-12-12
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明涉及仿星器冷却技术领域，提供了一种0.1T准环对称仿星器线圈的水冷装置及其控制方法，利用两个不同高度的水平管道分别对应供水给仿星器的模块化线圈，并通过垂直管道实现联通，既节省了空间又提升了供水效率。同时，集成电阻率检测仪的水箱、冷水机、循环泵、传感器、去离子设备与去离子水制备装置，共同构成了一个闭环的冷却水循环系统，能够实时监测水质、精确调节流量与压力、持续降温并保持去离子水的充足供应，从而确保了线圈的高效冷却与系统的稳定运行。
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公开(公告)号：CN119513949B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510088142.6
申请日：2025-01-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: G06F30/10 , G06F30/20 , G06F17/11 , G06F119/14 , G06F113/08
Abstract: 本申请涉及磁约束核聚变设备加料领域，提供了准环对称仿星器超声分子束注入系统喷嘴的设计方法，基于等离子体的物理特性和磁约束聚变装置的几何结构，通过日本LHD装置的实验数据，估算出在预设气源压强下装置中等离子体的体积平均密度，并据此计算了准环对称仿星器的气体注入速率。再通过对拉瓦尔喷嘴喉部半径的计算，以及对喷嘴内气流状态的分析，获取喷嘴喷口处的马赫数，以确保气体状态转变过程中的能量最大转换效率。在此基础上，利用Foelsch方法，通过对喷嘴入口到喉部、喉部到拐点以及拐点延伸到喷嘴出口三部分的详细设计，构建了优化的拉瓦尔喷嘴物理模型。提升了气体在喷嘴内的等熵膨胀效率和高速流动性能。
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公开(公告)号：CN119513949A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202510088142.6
申请日：2025-01-21
Applicant: 西南交通大学
IPC: G06F30/10 , G06F30/20 , G06F17/11 , G06F119/14 , G06F113/08
Abstract: 本申请涉及磁约束核聚变设备加料领域，提供了准环对称仿星器超声分子束注入系统喷嘴的设计方法，基于等离子体的物理特性和磁约束聚变装置的几何结构，通过日本LHD装置的实验数据，估算出在预设气源压强下装置中等离子体的体积平均密度，并据此计算了准环对称仿星器的气体注入速率。再通过对拉瓦尔喷嘴喉部半径的计算，以及对喷嘴内气流状态的分析，获取喷嘴喷口处的马赫数，以确保气体状态转变过程中的能量最大转换效率。在此基础上，利用Foelsch方法，通过对喷嘴入口到喉部、喉部到拐点以及拐点延伸到喷嘴出口三部分的详细设计，构建了优化的拉瓦尔喷嘴物理模型。提升了气体在喷嘴内的等熵膨胀效率和高速流动性能。
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公开(公告)号：CN118762855A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411245260.5
申请日：2024-09-06
Applicant: 西南交通大学
Inventor： 张欣 , 李晓龍 , 崔子麟 , 许宇鸿 , 刘三秋 , 王先驱 , 刘海峰 , 刘海 , 胡军 , 栗珏彩 , 吴丹妮 , 程钧 , 常相辉 , 唐昌建 , 李恒 , 朱怡亲 , 郑华清 , 刘小乔
IPC: G21B1/13 , G06F30/28 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了准环对称仿星器磁岛偏滤器位形下优化热沉积方法及系统，涉及磁约束核聚变装置偏滤器技术领域，包括输出对应等离子体比压值下的三维平衡磁场分布；分析自举电流的规模和分布情况，计算不同密度部面所对应的的三维磁流体动力学的第一平衡状态情况；构建准环对称仿星器磁岛偏滤器位形，计算边界参数以获得所对应的三维磁流体动力学的第二平衡状态情况；通过对第二平衡状态情况进行分析得到第二平衡状态情况所对应的第二特征情况；优化准环对称仿星器磁岛偏滤器位形下的器壁热沉积分布。本发明模拟准环对称仿星器磁岛偏滤器位形下不同等离子体比压值所对应的边界等离子体输运，以系统性的方法优化准环对称仿星器偏滤器位形。
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公开(公告)号：CN118070561A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410459344.2
申请日：2024-04-17
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了三维仿星器真空磁场位形中磁力线示踪模拟方法，涉及仿星器技术领域，包括通过样条插值法对获取到的三维仿星器线圈的原始数据进行预处理；将所有数据点中每相邻两个线圈数据点设置为一个有限长度电流线，采用毕奥沙伐尔定理计算任意三维空间中某一点的磁场大小及方向；根据磁力线方程得到三维柱坐标随环向角变换的磁场磁力线方程；采用亚当姆斯预测矫正法对磁场磁力线方程进行迭代计算，得到一个磁面的几何位形和整个磁面的磁场大小数据，进而判断是否满足仿星器位形对称。本发明的有益效果为通过不同的磁场位形对仿星器各项重要的物理性质进行分析，来验证实验的结论与成果，对研究仿星器的相关物理性质起到十分重要的作用。
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