公开(公告)号：CN117186728A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311073453.2

申请日：2023-08-24

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 宋强 ,  张若茜 ,  杨伟光 ,  张守阳 ,  周兆凡 ,  沈瑾 ,  孔垂毅 ,  薛正航 ,  连雪凡

IPC: C09D161/06 ,  C09D7/61 ,  C09D7/63 ,  B05D7/24

Abstract: 本发明公开了一种碳/碳复合材料表面高红外发射率与强结合力涂层及其制备方法和应用，涉及红外辐射涂层材料技术领域。涂层组分及各组分的质量份数为：碳纳米管22‑26份，碳纳米管分散剂6‑8份，纳米炭黑15‑20份，酚醛树脂3‑5份，尿素8‑11份，异丙醇5000‑6100份。本发明通过对碳纳米管应用和利用尿素发泡效应进行孔隙调控，有利于减小涂层的面密度，可取得较好的减重效益。并选用价格低的原材料作为涂层的主要材料，优化涂层的构成，通过简单的制备工艺制备出与碳/碳复合材料界面结合好、抗热震性能佳的红外高发射率涂层。

公开(公告)号：CN115717326A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202211380935.8

申请日：2022-11-05

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 殷学民 ,  刘慧敏 ,  张雨雷 ,  宋强 ,  李克智 ,  李贺军

IPC: D06M11/74 ,  C04B41/87 ,  D06M101/40

Abstract: 本发明涉及一种超高温陶瓷@垂直石墨烯核壳结构纳米线及一步高效合成方法，通过低压化学气相沉积方法，一步高效合成超高温陶瓷@垂直石墨烯核壳结构纳米线，实现核壳结构纳米线在基底上的均匀分布，获得在超高温陶瓷纳米线上均匀且垂直生长的石墨烯阵列。与传统分步工艺制备核壳结构纳米线相比，该工艺可实现一步合成，达到简单、高效及可控的目的。本发明所提出的技术方案操作简单，工艺可控，原材料用量少、利用率高，制备效率高，普适性强。所制备的超高温陶瓷@垂直石墨烯核壳结构纳米线在各领域特别是在极端环境中将具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN113480321B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110492850.8

申请日：2021-05-07

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 李伟 ,  宋强 ,  强琪 ,  张橙 ,  李贺军 ,  付前刚

IPC: C04B35/83 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及一种核壳结构碳纳米管增强碳/碳复合材料及制备方法，由CNT增强C/C复合材料“外壳”层和不含CNT的纯C/C复合材料“核心”层组成，壳层与核层厚度之比满足一定数值。该“核壳”结构由催化化学气相沉积(以下简称CCVD)结合等温化学气相沉积(以下简称ICVD)两步工艺制备而来。本发明制备的“核壳”多尺度C/C复合材料相比于纯C/C复合材料，其弯曲强度和弯曲模量可分别提高50％和13％以上。

公开(公告)号：CN114573330A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210184279.8

申请日：2022-02-24

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 叶昉 ,  宋强 ,  梁杰 ,  曹雨宸 ,  张立同

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/583 ,  C04B35/584 ,  C04B35/628 ,  C01B32/186 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  H01Q17/00 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明一种缺陷石墨烯/透波陶瓷复合吸波材料、方法及应用，属于吸波材料的领域；通过在透波纳米线上原位沉积缺陷石墨烯，再在缺陷石墨烯上原位沉积透波陶瓷，交替循环形成缺陷石墨烯/透波陶瓷多层结构，构筑多单元、大数量纳米尺度异质界面，在交变电场下产生丰富的界面极化，高效衰减、吸收电磁波，满足严峻的应用条件对材料宽频吸波、高温稳定的高性能要求。本发明工艺简单可控，各层材料厚度均在纳米尺度，因此制备周期短、成本低，具有有能力实现大规模生产的有益效果；该材料基本不改变纳米线原有的柔韧性和强度，所以能够被制成柔性吸波薄膜、弹性吸波泡沫等特殊防护材料，具有广泛应用的有益效果。

公开(公告)号：CN106518091B

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201610948547.3

申请日：2016-10-27

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 李贺军 ,  沈庆凉 ,  付前刚 ,  宋强 ,  李克智

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/83

Abstract: 本发明涉及一种提高二维碳/碳复合材料力学性能的方法，将不同织构热解碳交替引入不同的纤维层内，同时保留了低织构热解碳弯曲模量高和高织构热解碳韧性好的特点，同时利用两种热解碳热膨胀系数之间的差异，在低织构热解碳层中引入压缩应力，提高了低织构热解碳层的临界破坏应力。通过该方法，可以获得高强度和高韧性的C/C复合材料，与采用纯高织构基体的C/C复合材料相比，强度和模量分别提高约60％～120％和30％～60％。本发明的显著优点在于：本发明的制备方法简单、成本低、制备过程无污染，能够应用于大规模生产，具备显著的经济和社会效益。

公开(公告)号：CN108546157A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810550738.3

申请日：2018-05-31

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 张磊磊 ,  管科杰 ,  李贺军 ,  宋强

IPC: C04B41/89

CPC classification number: C04B41/89 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B35/83 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/5001 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/455 ,  C04B41/4564 ,  C04B41/5015

Abstract: 本发明涉及一种炭/炭复合材料的表面改性方法，首先在炭/炭复合材料表面制备C-Si-SiC相结构，用做炭/炭复合材料与后续CaP相的过渡结构，其次在C-Si-SiC相结构表面构建超薄片状碳层，用作后续CaP相的增强相，再次，对超薄状碳层进行接枝含氧官能团，用于促进超薄片状碳层和CaP相之间的化学键合，然后制备丝绒状CaP，丝绒状CaP可以形成自增强互锁结构，从而形成C-Si-SiC-C-CaP复合涂层，实现对炭/炭复合材料的表面改性。本发明制备的C-Si-SiC-C-CaP改性涂层与炭/炭复合材料基体的界面结合强度最大值为16.26MPa，该界面结合强度最大值比背景技术报道的界面结合强度最大值提高了159.3％。

公开(公告)号：CN103225203B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201310169646.8

申请日：2013-05-09

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 李克智 ,  宋强 ,  张磊磊 ,  李贺军

IPC: D06M11/74 ,  D06M101/40

Abstract: 本发明涉及一种碳纤维-氧化石墨烯-碳纳米管多尺度增强体的制备方法，特别是涉及碳纤维表面经氧化石墨烯涂覆改性后原位生长碳纳米管，制备多尺度增强体的制备方法。将氧化石墨烯涂覆在碳纤维表面，在不损失碳纤维的前提下改善了其表面活性，进而降低了催化剂在碳纤维表面均匀加载的难度，改善了碳纳米管在碳纤维表面分布的均匀性，同时避免了金属催化剂粒子与碳纤维的直接接触，进而避免了高温条件下炉内气氛对碳纤维的冲蚀和催化剂对碳纤维的固溶侵蚀，所制备的多尺度混杂增强体具有优异的拉伸性能。

公开(公告)号：CN103451708A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310390962.8

申请日：2013-08-31

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 李贺军 ,  林红娇 ,  宋强 ,  褚衍辉 ,  李克智 ,  沈庆凉

IPC: C25D13/02 ,  C25D15/00 ,  C04B41/85

Abstract: 本发明提出的一种介电电泳技术制备碳纳米管/碳/碳复合材料的方法，利用介电电泳将碳纳米管沉积在碳/碳基体表面，再通过化学气相沉积等方法在碳/碳表面形成一层致密的涂层，进而提高碳/碳复合材料的抗氧化性能和力学性能。在电泳过程中，为了使碳纳米管更快速有效的电泳到碳/碳复合材料表面，采用碳/碳复合材料本身作为阴阳极材料，这种方法不但工艺简单，而且不会引入杂质。制备方法工艺简单合理，效率高且安全稳定可靠，碳纳米管在碳/碳表面分散均匀无团聚，是十分理想的在碳/碳复合材料表面电泳碳纳米管的方法。

公开(公告)号：CN119347209A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411477693.3

申请日：2024-10-22

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 宋强 ,  曹宾瑶 ,  张守阳 ,  刘文琪 ,  沈庆凉 ,  王晓霜

IPC: B23K35/362 ,  B23K35/40

Abstract: 本发明公开了一种纳米多孔碳包覆SiC晶须改性AgCuTi钎料及其制备方法和应用，属于钎焊连接技术领域。本发明公开的方法，首先对SiC晶须进行纳米多孔碳包覆处理，并将其与AgCuTi构成复合钎料，多孔碳包覆处理的SiC晶须周围区域的空间得到优化，多孔碳分散的多形核位点在钎焊反应过程中与钎料发生多点接触，使晶须周围的脆性Ti‑Cu相断续分布并抑制其长大，最终达到细化钎焊层中脆性相的效果；同时，多孔碳的包覆使其在钎焊温度下阻止钎料与SiC晶须的过度反应，降低钎料对SiC纳米相的损耗程度，最大程度发挥纳米增强相的力学性能，使接头的抗剪切强度增加。

公开(公告)号：CN114959905B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202210216794.X

申请日：2022-03-07

Applicant: 西北工业大学

Inventor： 张守阳 ,  郭瑶 ,  宋强

IPC: C30B29/62 ,  C30B29/36 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种无催化剂合成碳化钽纳米晶须及制备方法，该方法生产工艺不借助催化剂，无金属杂质引入，TaC纳米晶须具有高纯度。同时，所需要的生产设备简单，工艺过程简单，参数易于控制，可靠性和重复性好，易于实现规模化生产。本发明工艺方法制备的TaC纳米晶须具有高纯度、大长径比(125‑2000)的明显优点，因而具有较高的比强度，可作为一种理想的纳米增强体应用于各种复合材料中，以显著提高材料的强度与抗热震性，也可提高其导电性能。