公开(公告)号：CN101242171A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710300200.9

申请日：2007-12-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： F·帕耶 ,  P·哈祖哈 ,  G·施罗姆 ,  T·卡尔尼克 ,  S·T·文 ,  D·S·加德纳

IPC: H03K7/08 ,  H03K5/156

CPC classification number: H03K7/08 ,  H02M3/156

Abstract: 根据一些实施例，提供了一种具有比较器的脉宽调制器电路，所述比较器利用所施加的可调波形生成具有可控可调占空比的比特流。所述脉宽调制器电路包括：比较器，其具有相关联的基准电平；以及可调波形发生器，其耦合到所述比较器，用于为所述比较器提供周期性波形，所述比较器生成具有可控可调占空比的比特流，其中所述可控可调占空比与对所述周期性波形的位置的调整相对应。

公开(公告)号：CN102906834B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201080066031.7

申请日：2010-04-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： D·S·加德纳 ,  E·C·汉娜 ,  R·陈 ,  J·L·古斯塔夫松

IPC: H01G4/005

CPC classification number: H01G11/86 ,  H01G2/02 ,  H01G9/048 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/36 ,  H01G11/52 ,  H01G11/54 ,  H01L28/82 ,  Y02E60/13

Abstract: 在一个实施例中，电荷存储设备包括通过分离器(130)相互分离的第一(110)和第二(120)导电结构。所述第一和第二导电结构中的至少一个包括包含多个通道(111、121)的多孔结构。所述通道中的每一个具有位于所述多孔结构的表面(115，125)上的开口(112、122)。在另一实施例中，所述电荷存储设备包括多个纳米结构(610)和与至少一些纳米结构物理接触的电解质(650)。介电常数至少为3.9的材料(615)可以设置在所述电解质与所述纳米结构之间。