公开(公告)号：CN107036741A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710298326.0

申请日：2017-05-01

Applicant: 苏州科技大学

Inventor： 赵博文 ,  沈伟 ,  刘涵 ,  周兴 ,  王丽丽 ,  李珅 ,  曹丰 ,  宋冠宇 ,  杜逸纯 ,  汤强

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06 ,  C08L77/08 ,  C08K7/06 ,  C08K3/04 ,  C08G69/34 ,  C08J5/18

Abstract: 本发明公开了一种自修复石墨烯基压力传感器及其制备方法。本发明通过在自修复高分子基体中加入石墨烯@银纳米线复合导电体，制得具有自修复功能的导电弹性体；然后将该自修复导电弹性体封装成压力传感器。本发明解决了传统的自修复导电高分子材料的导电性能和自修复性能难以同时优化的矛盾问题。本发明具有以下优点：1、石墨烯@银纳米线复合导电体后处理中无需烘干处理，可减少了石墨烯@银纳米线的硬团聚难题；2、石墨烯@银纳米线复合导电体在自修复高分子基体中更易形成三维交联网络结构；3、自修复石墨烯基压力传感器具有寿命长、导电性高、灵敏度高的优点。