一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法

    公开(公告)号:CN104883806B

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201510100653.1

    申请日:2015-03-06

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法,其包括接地的空心杆状金属外管体(2),其特征在于,还包括:绝缘管(3)、金属阴极体(4)、金属阳极体(6)、进气通道(8)。本发明能够阻挡封装玻璃中的钠离子进入硅片表面,从而防止钠离子在晶硅表面的堆积造成了晶硅表面微米级的缺陷位造成电池组件中载流子的大量复合,导致电池组件的功率输出降低,同时,也为了消除电池片表面的指纹等污染物。

    一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法

    公开(公告)号:CN104883806A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510100653.1

    申请日:2015-03-06

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法,其包括接地的空心杆状金属外管体(2),其特征在于,还包括:绝缘管(3)、金属阴极体(4)、金属阳极体(6)、进气通道(8)。本发明能够阻挡封装玻璃中的钠离子进入硅片表面,从而防止钠离子在晶硅表面的堆积造成了晶硅表面微米级的缺陷位造成电池组件中载流子的大量复合,导致电池组件的功率输出降低,同时,也为了消除电池片表面的指纹等污染物。

    一种用于智能服装的可拉伸导线制备方法

    公开(公告)号:CN117831857A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410088217.6

    申请日:2024-01-22

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明提供一种用于智能服装的可拉伸导线制备方法,包括以下步骤:对柔性导电线材进行连续绝缘封装、对绝缘封装导电线材进行连续可拉伸包缠及对线状柔性电子器件进行连接;本发明通过连续绝缘封装方法能连续在导电线材表面形成均匀的绝缘涂层,避免环境因素对导电线材的干扰;提高其伸缩弹性和柔性,实现可拉伸导线的批量化生产;通过打结、微管串套、压紧夹持、弹性封装的方式在可拉伸导线和线状柔性电子器件间构建结构稳定、柔软且尺寸微小、抗形变干扰能力强的电极,实现了两者的一体化,该发明使智能服装在稳定传输柔性电子器件能量和信号的同时,保持外观和服用性能与常规服装相似,并且制备工序简单,易于规模化生产。

    具有不对称膜结构的载药聚合物囊泡及制备方法与在制备治疗急性髓系白血病药物中的应用

    公开(公告)号:CN112076159B

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202010963969.4

    申请日:2020-09-14

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了具有不对称膜结构的载药聚合物囊泡及制备方法与在制备治疗急性髓系白血病药物中的应用。将带有聚天冬氨酸PAsp的两亲性三嵌段聚合物、靶向两亲性嵌段聚合物和小分子药物共同组装,制备得到靶向具有不对称膜结构的载小分子药物聚合物囊泡。本发明的载药聚合物囊泡拥有许多独特的优点,包括尺寸小、制备简单可控、可逆交联、体内稳定、靶向递送、细胞内药物富集浓度高、还原敏感、高效杀伤肿瘤细胞、肿瘤生长抑制效果显著等,尤其是本发明载药囊泡无论针对急性髓系白血病细胞株还是病人细胞,都具有有效的抑制。因此,该聚合物囊泡有望成为简单且集多功能于一身的纳米平台,用于高效及特异性靶向递送药物至肿瘤细胞。

    一种等离子射流装置和组件

    公开(公告)号:CN205017675U

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201520131434.5

    申请日:2015-03-06

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本实用新型公开了一种等离子射流装置和组件,其包括接地的空心杆状金属外管体(2),其特征在于,还包括:绝缘管(3)、金属阴极体(4)、金属阳极体(6)、进气通道(8)。本实用新型能够阻挡封装玻璃中的钠离子进入硅片表面,从而防止钠离子在晶硅表面的堆积造成了晶硅表面微米级的缺陷位造成电池组件中载流子的大量复合,导致电池组件的功率输出降低,同时,也为了消除电池片表面的指纹等污染物。

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