深度时延储备池计算系统
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN117669649B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202410143537.7

    申请日:2024-02-01

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及深度时延储备池计算系统,包括输入层、输出层和深度时延储备池层;输入层发射第1光信号;深度时延储备池层包括储备池单元和残差反馈光路单元;储备池单元包括响应组件和自反馈环路组件,自反馈环路组件接收响应信号并将其分为第一路光信号和第二路光信号,第一路光信号注入回响应组件,第二路光信号注入输出层;第a1‑2个响应组件用于发射第三路光信号并注入第a1‑1个响应组件;残差反馈光路单元用于将第a2‑2个响应组件发射的第四路光信号延迟注入第a2个响应组件;第1光信号仅注入第1个和第2个响应组件;输出层用于接收第二路光信号,获得输出权重。本发明通过自反馈环路组件和残差反馈光路单元提升系统状态丰富度。

    深度时延储备池计算系统
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117669649A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202410143537.7

    申请日:2024-02-01

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及深度时延储备池计算系统,包括输入层、输出层和深度时延储备池层;输入层发射第1光信号;深度时延储备池层包括储备池单元和残差反馈光路单元;储备池单元包括响应组件和自反馈环路组件,自反馈环路组件接收响应信号并将其分为第一路光信号和第二路光信号,第一路光信号注入回响应组件,第二路光信号注入输出层;第a1‑2个响应组件用于发射第三路光信号并注入第a1‑1个响应组件;残差反馈光路单元用于将第a2‑2个响应组件发射的第四路光信号延迟注入第a2个响应组件;第1光信号仅注入第1个和第2个响应组件;输出层用于接收第二路光信号,获得输出权重。本发明通过自反馈环路组件和残差反馈光路单元提升系统状态丰富度。

    一种咔唑稠合的硼氮衍生物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115433217B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202210969389.5

    申请日:2022-08-12

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明属于有机合成领域,具体涉及一种咔唑稠合的硼氮衍生物及其制备方法和应用。本发明提出了一种新型咔唑稠合的硼氮衍生物的制备方法及其在高效有机电致发光器件中的应用。通过巧妙的路线设计,可以高效合成具有DABNA‑1咔唑的稠合结构的硼氮衍生物TCZ‑F‑DABNA,不仅可以有效地实现光谱的较大红移,且能在一定程度上增强分子的扭曲,有利于制备高效,高色纯度且具有抗浓度淬灭的光电器件。该体系扩展了MR‑TADF材料分子库,推动了具有高效率、高色纯度以及具有抑制浓度淬灭效应的有机发光二极管的应用,为日后能设计更接近商业化需求的热活化延迟荧光OLED材料提供了一定的基础。

    一种羰基稠合的硼氮衍生物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115433217A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202210969389.5

    申请日:2022-08-12

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明属于有机合成领域,具体涉及一种羰基稠合的硼氮衍生物及其制备方法和应用。本发明提出了一种新型咔唑稠合的硼氮衍生物的制备方法及其在高效有机电致发光器件中的应用。通过巧妙的路线设计,可以高效合成具有DABNA‑1咔唑的稠合结构的硼氮衍生物TCZ‑F‑DABNA,不仅可以有效地实现光谱的较大红移,且能在一定程度上增强分子的扭曲,有利于制备高效,高色纯度且具有抗浓度淬灭的光电器件。该体系扩展了MR‑TADF材料分子库,推动了具有高效率、高色纯度以及具有抑制浓度淬灭效应的有机发光二极管的应用,为日后能设计更接近商业化需求的热活化延迟荧光OLED材料提供了一定的基础。

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