具有局域表面等离子体共振吸收的金属氧化物纳米晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN110078114A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201910407990.3

    申请日:2019-05-16

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 马万里 刘泽柯

    Abstract: 本发明公开了一种具有局域表面等离子体共振吸收的金属氧化物纳米晶及其制备方法。利用金属化合物、油酸和1-十八烯制备金属化合物前驱体,再加入反应添加剂、1-十八烯,通过加热分解制备金属氧化物纳米晶;本发明通过调控反应条件可以获得尺寸大小为5.2~40.3 nm,LSPR吸收峰在2.40~5.88μm范围内可调的金属氧化物纳米晶材料,覆盖具有重要应用价值的3~5μm中红外区域。本发明制备的金属氧化物由于在中红外区域有可调控的局域等离子体共振吸收,因此,在中红外区域光电探测、光通讯等方面有着巨大的应用前景。

    一种自掺杂局域表面等离子体共振Cu3-xP纳米晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN104532346B

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201510023547.8

    申请日:2015-01-16

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 马万里 刘泽柯

    Abstract: 本发明公开了一种自掺杂局域表面等离子体共振Cu3‑xP纳米晶及其制备方法。具体而言,本发明的方法包括铜前驱体的制备、Cu3‑xP纳米晶的合成以及高温加热后处理三个步骤,通过调控反应条件可以获得尺寸大小为5.3~44.2nm,局域表面等离子体共振吸收峰在1390~1710nm范围内可调的Cu3‑xP纳米晶材料,正好覆盖光通信的C波段(1530~1565nm)和L波段(1565~1625nm),而且共振吸收的强度也可以通过高温加热进行调控,这使得此材料在光通信和脉冲激光器方面有着巨大的应用前景。

    一种卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN105742384A

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201610155626.9

    申请日:2016-03-18

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 马万里 刘泽柯

    Abstract: 本发明公开了一种卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶及其制备方法和用途。具体而言,本发明的方法包括以下步骤:1)利用铅试剂、油酸和1?十八烯制备铅前驱体;2)利用三甲基硅烷基卤族化合物、二(三甲基硅烷基)氧族化合物、1?十八烯和步骤1)中得到的铅前驱体进行反应;3)通过后处理得到卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶。本发明使用了含卤族元素的前驱体,与含氧族元素的前驱体具有良好的相容性,几乎可以任意互溶,制备方法简单、易行。与传统的肖特基结构相比,大幅提高器件的开路电压和短路电流,同时保证填充因子只有极小的衰减,转换效率提高了将近75%。

    一种吸光范围可调的硫化铅量子点、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN119391402A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202411353724.4

    申请日:2024-09-26

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种吸光范围可调的硫化铅量子点、制备方法及其应用。将将硫源溶解于短链胺类溶剂中,加入溶解于有机极性溶剂中的铅源和有机小分子配体溶液,再加入硫源溶液,在温度为0~100℃的条件下搅拌反应,得到反应产物;加入反溶剂,经洗涤、干燥处理,得到粒径均一、吸光范围可调的硫化铅量子点。本发明通过调节前驱体含量,反应溶剂以及温度,在正丁胺的作用下,一步直接合成吸光范围可调的PbS量子点,解决了量子点墨水直接合成吸光范围较小以及产量较低的局限性,获得吸光范围达到1000nm~2000nm波长的量子点,合成得到的量子点在光电探测器中实现了初步的应用。

    一种AgBiS2纳米晶墨水、制备方法及在光电器件中的应用

    公开(公告)号:CN118978827A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411000376.2

    申请日:2024-07-24

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种AgBiS2纳米晶墨水、制备方法及在光电器件中的应用。在极性有机溶剂中,以银、铋金属为阳离子源,引入巯基分子作为协同钝化剂,采用一步注射硫源引发反应,得到AgBiS2纳米晶;通过调节卤化物前驱体投料比实现AgBiS2纳米晶光电性质调控,将其作为光电器件的光活性层,尤其是在太阳能电池中实现了初步应用,光电转换效率可到达7.66%。本发明基于直接合成制备的硫铋银纳米晶质量优异,纳米晶溶液稳定性好,保存十月以上不发生团聚;可单次批量化制备超过10g的AgBiS2纳米晶,成本低,有利于规模化生产及应用。

    一种硫化铅胶体量子点导电墨水、太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN114196262B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202111364841.7

    申请日:2021-11-17

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明公开了一种硫化铅胶体量子点导电墨水、太阳能电池及其制备方法。本发明采用在硫化铅量子点导电墨水加入不同内在偶极动量的巯基剂的技术方案,调控硫化铅量子点在墨水溶液中的耦合力,并将其用于印刷制备胶体量子点光伏器件。本发明利用导电墨水中量子点表面配位化学对其表面静电双电层结构的影响规律,解决了量子点光伏器件面向产业化必须攻克的印刷浆料问题,获得了具有高耦合的量子点导电墨水,建立量子点表面化学与胶体耦合力的内在关联;依据量子点表面条件与自组装过程之间的动力学因素关联性,提供导电墨水的快速打印制备方法,制备得到基于快速打印技术的量子点太阳能电池,有利于推动量子点光伏电子器件的规模化、产业化。

    用于制备尺寸可调的铅硫族量子点的直接合成方法及其应用

    公开(公告)号:CN113122251A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110389701.9

    申请日:2021-04-12

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种用于制备尺寸可调的铅硫族量子点的直接合成方法及其应用。将铅卤化物,硫族前驱体和溶剂混合,完全溶解后得到前驱体溶液;加入丁胺,在温度为0℃~100℃的条件下持续反应后,加入非极性溶剂沉淀,再经离心弃去上层液及真空抽干,得到铅硫族量子点,应用于太阳能电池。本发明通过调节铅、硫族前驱体的浓度和不同溶剂,在丁胺的作用下,一步直接合成尺寸可调的铅硫族量子点,解决了量子点墨水直接合成尺寸不可调的局限性,可以获得更大尺寸调控范围的量子点,并且合成大尺寸量子点在太阳能电池中实现了初步的应用。

    具有局域表面等离子体共振吸收的金属氧化物纳米晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN110078114B

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN201910407990.3

    申请日:2019-05-16

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 马万里 刘泽柯

    Abstract: 本发明公开了一种具有局域表面等离子体共振吸收的金属氧化物纳米晶及其制备方法。利用金属化合物、油酸和1‑十八烯制备金属化合物前驱体,再加入反应添加剂、1‑十八烯,通过加热分解制备金属氧化物纳米晶;本发明通过调控反应条件可以获得尺寸大小为5.2~40.3 nm,LSPR吸收峰在2.40~5.88μm范围内可调的金属氧化物纳米晶材料,覆盖具有重要应用价值的3~5μm中红外区域。本发明制备的金属氧化物由于在中红外区域有可调控的局域等离子体共振吸收,因此,在中红外区域光电探测、光通讯等方面有着巨大的应用前景。

    一种共轭聚合物及其在杂化太阳能电池中的应用

    公开(公告)号:CN103172838B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201310111314.4

    申请日:2013-04-01

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种共轭聚合物及其在杂化太阳能电池中的应用。太阳能电池包括玻璃、附着在玻璃上的导电玻璃衬底层,与导电玻璃衬底层贴合的空穴传输层,与空穴传输层贴合的光敏层,与光敏层贴合的纯量子点层,与纯量子点贴合的电子传输层,与电子传输层贴合的电极;它以二噻吩并吡咯的聚合物与无机量子点按质量比1:1~1:19制备成光敏层。该太阳能电池的最大填充因子能达到65.8%,最大能量转换效率可达5.50%。

    一种自掺杂局域表面等离子体共振Cu3-xP纳米晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN104532346A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201510023547.8

    申请日:2015-01-16

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 马万里 刘泽柯

    CPC classification number: C30B29/10 B82Y40/00 C30B7/14

    Abstract: 本发明公开了一种自掺杂局域表面等离子体共振Cu3-xP纳米晶及其制备方法。具体而言,本发明的方法包括铜前驱体的制备、Cu3-xP纳米晶的合成以及高温加热后处理三个步骤,通过调控反应条件可以获得尺寸大小为5.3~44.2nm,局域表面等离子体共振吸收峰在1390~1710nm范围内可调的Cu3-xP纳米晶材料,正好覆盖光通信的C波段(1530~1565nm)和L波段(1565~1625nm),而且共振吸收的强度也可以通过高温加热进行调控,这使得此材料在光通信和脉冲激光器方面有着巨大的应用前景。

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