公开(公告)号：CN111919083B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201980022374.4

申请日：2019-04-01

Applicant: 美蓓亚三美株式会社

Inventor： 浅川寿昭 ,  丹羽真一 ,  高田真太郎 ,  户田慎也

IPC: G01B7/16 ,  G01L1/22

Abstract: 本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；其中，所述电阻体包括作为最下层的第一层、以及层叠在所述第一层上的作为表面层的第二层，所述第二层是密度高于所述第一层的层。

公开(公告)号：CN111919083A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980022374.4

申请日：2019-04-01

Applicant: 美蓓亚三美株式会社

Inventor： 浅川寿昭 ,  丹羽真一 ,  高田真太郎 ,  户田慎也

IPC: G01B7/16 ,  G01L1/22

Abstract: 本应变片包括：基材，具有可挠性；以及电阻体，在所述基材上，由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；其中，所述电阻体包括作为最下层的第一层、以及层叠在所述第一层上的作为表面层的第二层，所述第二层是密度高于所述第一层的层。