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公开(公告)号:CN101228640A
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200680002125.1
申请日:2006-01-09
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L29/26 , H01L21/00 , H01L31/12 , H01L23/495
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/4918 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014
Abstract: 一种垂直型发光二极管(LED)包含:金属基板(70);连接于该金属基板的p型电极(72);连接于该p型电极的p型接点(面)(74);连接于该p型电极的p型GaN部分(76);连接于该p型GaN部分的活性区域(78);连接于该活性区域的n型GaN部分(82);以及连接于该n型GaN的荧光体层(96)。
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公开(公告)号:CN101103457A
公开(公告)日:2008-01-09
申请号:CN200680002135.5
申请日:2006-01-09
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
IPC: H01L23/34 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L21/58
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L25/0753 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光二极管的制造系统及制造方法,包含:于承载基板上形成一多层磊晶结构;于多层磊晶结构上沉积至少一金属层并于其上形成热量移除鳍片;移除承载基板。
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公开(公告)号:CN100550287C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200680002142.5
申请日:2006-01-09
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0095
Abstract: 本发明披露一种半导体发光二极管(LED)装置的制造系统与方法,其通过在LED装置上形成一n型氮化镓(n-GaN)层制造而成;以及使n-GaN层的表面粗糙化以自LED装置内部取出光。
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公开(公告)号:CN101099223A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200580046415.1
申请日:2005-12-21
Applicant: 美商旭明国际股份有限公司
Inventor: 段忠
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/647
Abstract: 一种发光二极管的制造系统与方法,包括:在承载衬底(carrier substrate)上形成多层磊晶结构;在所述多层磊晶结构上沉积至少一层金属层;移除所述承载衬底。
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