-
公开(公告)号：CN101452172A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178938.7
申请日：2008-12-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2001/133388
Abstract: 本发明提供了显示装置和电子设备。该显示装置包括：具有像素区域的基体，像素以矩阵形式布置在该像素区域中；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在基体上；干式蚀刻膜，其设置在有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法形成；导电膜，其设置在干式蚀刻膜上；以及位于像素区域周边外侧的有机膜除去区域，在该有机膜除去区域中的有机平坦化膜被除去。在上述显示装置中，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前形成的膜在有机膜除去区域中终止。根据本发明，当利用干式蚀刻方法来形成干式蚀刻膜时，能够防止有机平坦化膜在干式蚀刻膜的膜端部处具有倒锥形形状，这样就能够防止由放电所引起的缺陷的形成。
-
公开(公告)号：CN101447460B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810178424.1
申请日：2008-11-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78633 , G02F1/133555 , G02F1/13394 , G02F1/136227 , H01L27/1248
Abstract: 本发明提供一种制造电子装置的方法以及电子装置，该电子装置在设有薄膜晶体管的基板上设有抗蚀图。所述方法包括以下步骤：在基板上通过涂敷形成处于覆盖薄膜晶体管的状态的抗蚀膜，通过对抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图，并在薄膜晶体管的沟道部分不会受到波长短于260nm的光的照射的情况下，在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射抗蚀图，其中，在以至少紫外光和可见光之一照射之后实施热硬化抗蚀图的步骤。使用所述方法可以避免在热硬化期间抗蚀材料回流，且抗蚀图的表面形状保持为通过曝光和显影被图形化后的形状。所述电子装置用所述方法形成，至少在P沟道型的薄膜晶体管的沟道部分上设有适合于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜。
-
公开(公告)号：CN101661178A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910167576.6
申请日：2009-08-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/13338 , G02F2001/13312 , G02F2001/13398 , G02F2001/134372 , G02F2201/50 , G02F2201/503
Abstract: 本发明提供了一种通过防止出现像素缺陷以实现提高的可靠性的液晶显示设备。该液晶显示设备包括第一和第二基板。隔离物维持第一和第二玻璃基板之间的距离。在第一和第二基板之间设置液晶层。在第一基板的基底绝缘膜上形成像素电极膜和共电极膜以将像素绝缘膜夹在中间。共电极膜、像素电极膜或这两者在对应于隔离物的区域中被部分去除，且像素绝缘膜在该区域中被部分去除。这防止膜结构由于由施加到隔离物上的压力引起的柔软材料所制成的基底绝缘膜的变形而引起的破裂。
-
公开(公告)号：CN100592183C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810006339.7
申请日：2008-02-26
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F1/134363 , G02F2201/40
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示装置和显示设备，其中，该液晶显示装置包括介于第一基板和第二基板之间的液晶层，并且在第一基板侧上具有用于向所述液晶层施加电场的共电极和像素电极，该液晶显示装置包括：多条扫描线和多条信号线；驱动元件；第一绝缘膜；共电极；第二绝缘膜；以及像素电极，其中，共电极覆盖第一绝缘膜上除接触孔的形成区域外的像素区域、以及扫描线和信号线中的至少一条。
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.02 seconds)
