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公开(公告)号：CN101071628B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710097364.6
申请日：2007-05-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种存储元件，该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中，通过中间层为所述存储层设置磁化固定层；中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中；以及形成存储层的铁磁性层具有1×10-5或更大的磁致伸缩常数。
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公开(公告)号：CN101266831B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810084068.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器。该存储元件包括存储层和磁化固定层。存储层基于磁性材料的磁化状态来保持信息。磁化固定层通过由绝缘材料制成的中间层形成在存储层上。利用通过沿堆叠方向注入自旋极化电子引起的存储层的磁化方向的改变来将信息记录在存储层上。存储层受到的有效去磁场的等级小于存储元件的饱和磁化等级。
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公开(公告)号：CN101212018B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710302358.X
申请日：2007-12-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/935
Abstract: 本发明披露了一种存储元件，该存储元件具有：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有铁磁层；以及中间层，介于存储层与磁化固定层之间，并由绝缘体构成。在该存储元件中，自旋极化电子沿堆叠方向注入以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且形成存储层的铁磁层的电阻率为8×10-7Ωm或更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101060160B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710096904.9
申请日：2007-04-16
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y25/00 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/329 , H01F41/309 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件。该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层，其中，通过中间层为该存储层提供磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，以堆叠方向注入自旋极化电子来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层中，以及使微细氧化物分散在形成了存储层的铁磁层的整个或部分中。
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公开(公告)号：CN101202325B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710198739.8
申请日：2007-12-12
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/329 , H01F41/325 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器，其中，存储元件包括存储层、磁化固定层、自旋阻挡层、和自旋吸收层。存储层基于磁性材料的磁化状态来存储信息。通过隧道绝缘层对存储层设置磁化固定层。自旋阻挡层抑制自旋极化电子的扩散，并被设置在存储层与磁化固定层相对的一侧上。自旋吸收层由引起自旋抽运现象的非磁性金属层形成，并被设置在自旋阻挡层与存储层相对的一侧上。通过使电流沿层压方向流动注入自旋极化电子来改变存储层中的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且自旋阻挡层包括从氧化物、氮化物、氟化物中选出的至少一种材料。
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公开(公告)号：CN101266831A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810084068.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提供了一种存储元件和存储器。该存储元件包括存储层和磁化固定层。存储层基于磁性材料的磁化状态来保持信息。磁化固定层通过由绝缘材料制成的中间层形成在存储层上。利用通过沿堆叠方向注入自旋极化电子引起的存储层的磁化方向的改变来将信息记录在存储层上。存储层受到的有效去磁场的等级小于存储元件的饱和磁化等级。
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公开(公告)号：CN101212018A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710302358.X
申请日：2007-12-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , Y10S977/935
Abstract: 本发明披露了一种存储元件，该存储元件具有：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有铁磁层；以及中间层，介于存储层与磁化固定层之间，并由绝缘体构成。在该存储元件中，自旋极化电子沿堆叠方向注入以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中，并且形成存储层的铁磁层的电阻率为8×10－7Ωm或更大。
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公开(公告)号：CN101071628A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710097364.6
申请日：2007-05-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种存储元件，该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中，通过中间层为所述存储层设置磁化固定层；中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中；以及形成存储层的铁磁性层具有1×10－5或更大的磁致伸缩常数。
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