公开(公告)号：CN100474607C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN03822556.5

申请日：2003-08-11

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 和田和司 ,  原田耕一 ,  大塚修司 ,  佐藤充

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 可以通过其中在衬底深处设有溢出阻挡层的结构防止相邻像素之间的串扰。在纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域的预定位置处提供一部分P型区域(150)。该P型区域(150)用于调节纵向转移寄存器(124)和沟道停止区域(126)的下层区域中的电势，以从纵向转移寄存器(124)的最小电势位置到溢出阻挡层(128)的范围内使得该电势可以变得比光传感器122的下层区域的电势小。因此，由于纵向转移寄存器124和沟道停止区域126的下层区域中的电势在下层区域两侧都低，由传感器区域光电转换得到的电荷被该势垒阻挡，不能容易地扩散。这样就可以防止相邻像素之间的串扰。

公开(公告)号：CN101252140A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810005990.2

申请日：2008-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 原田耕一

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887

Abstract: 可以防止混色，获得高感光度，并使像素细微化。固体摄像装置具有在第一导电型的半导体衬底上配置有多个受光像素的图像区域，其特征在于，包括：多个光传感器部，通过在半导体衬底上设置构成所述受光像素的受光区域和光电转换区域而形成；第二导电型的第一阱区域，形成在夹着所述光传感器部的所述光电转换区域而与所述受光区域相反的一侧，并与形成溢漏阻隔层的所述第一导电型相反；第二导电型的第二阱区域，在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧，形成在除了与所述光传感器部相对应之处以外的区域上；以及第一导电型区域，在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧，形成在与所述光传感器部相对应的区域上。