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公开(公告)号：CN1318868A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN01116658.4
申请日：2001-04-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 平林幸哉
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F2001/13613 , G02F2202/105
Abstract: 本发明的课题是防止因由被绝缘膜覆盖的单晶硅层构成的晶体管的沟道区成为电浮置状态而发生的衬底浮游效应,能使元件的电特性稳定。解决方法是半导体层1a的沟道区1a’具有延伸部201。延伸部201的终端部与接触孔202连接。该接触孔202与连接布线203连接。连接布线203的一端如上所述与接触孔202连接,同时通过邻接地形成的接触孔204与遮光膜11a连接。
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公开(公告)号：CN1295343A
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：CN00131894.2
申请日：2000-07-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 平林幸哉
IPC: H01L21/84 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/14645 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F2001/13613 , H01L27/14609 , H01L27/14623
Abstract: 本发明的目的是使粘接在单晶硅层上的绝缘体层表面平坦化。对于电子光学装置201,在透光性基板202上形成遮光层204。该遮光层不仅形成在晶体管元件形成区域(象素部),而且还形成在其周边区域,因此,在使堆积在遮光层上的绝缘体层平坦化后再粘接单晶硅层时,可提高粘接界面的质量。
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公开(公告)号：CN101477991B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810190325.5
申请日：1998-06-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 平林幸哉
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 一种电光器件基片、电光器件、电子器件和投影显示设备，用于实现均匀的抛光速度，而不使夹层绝缘膜变厚的结构，该半导体基片上带有用于像素选择的晶体管区。液晶板基片带有隔离膜(12)，第二夹层绝缘膜(11)，导线膜(10)，像素电极，和连接插头(15)。下部模型图形A和上部模型图形B在非像素区中的输入接线端焊盘(26)的周边上形成。由于在模型图形A和B上形成的第三夹层绝缘膜(13)的表面高度升高，防止了在该位置处的过度抛光。结果在CMP处理中实现均匀的抛光速度。
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公开(公告)号：CN101477991A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810190325.5
申请日：1998-06-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 平林幸哉
IPC: H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 一种电光器件基片、电光器件、电子器件和投影显示设备，用于实现均匀的抛光速度，而不使夹层绝缘膜变厚的结构，该半导体基片上带有用于像素选择的晶体管区。液晶板基片带有隔离膜12，第二夹层绝缘膜11，导线膜10，像素电极，和连接插头15。下部模型图形A和上部模型图形B在非像素区中的输入接线端焊盘26的周边上形成。由于在模型图形A和B上形成的第三夹层绝缘膜13的表面高度升高，防止了在该位置处的过度抛光。结果在CMP处理中实现均匀的抛光速度。
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公开(公告)号：CN1336632A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN01124662.6
申请日：2001-07-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/133371 , G02F1/133707 , G02F1/133753 , G02F2001/133776
Abstract: 一种电光装置的制造方法及电光装置,制造可以可靠地降低液晶等电光物质中横向电场引起的动作不良并且可以用高对比度进行明亮的高品位的图像显示的液晶装置等电光装置。电光装置在TFT阵列基板(10)上具有像素电极(9a),在对向基板(20)上具有对向电极(21)。TFT阵列基板上的像素电极基底面在与相邻的像素电极的间隙相对的区域设置了凸部(81、82)。制造方法包括在TFT阵列基板上形成包含配线和TFT等的形成步骤、将包含该图形的基板上的集层体的上面进行平坦化处理的步骤和通过对该平坦化的上面进行光刻和腐蚀处理形成凸部的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100416394C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610099737.9
申请日：1998-06-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 平林幸哉
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , H01L27/12 , G03B21/00
Abstract: 提供一种用于实现均匀的抛光速度，而不使夹层绝缘膜变厚的结构，该半导体基片上带有用于像素选择的晶体管区。液晶板基片带有隔离膜12，第二夹层绝缘膜11，导线膜10，像素电极，和连接插头15。下部模型图形A和上部模型图形B在非像素区中的输入接线端焊盘26的周边上形成。由于在模型图形A和B上形成的第三夹层绝缘膜13的表面高度升高，防止了在该位置处的过度抛光。结果在CMP处理中实现均匀的抛光速度。
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公开(公告)号：CN1945412A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610100221.1
申请日：1998-06-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 平林幸哉
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , H01L27/12 , G03B21/00
Abstract: 提供一种用于实现均匀的抛光速度，而不使夹层绝缘膜变厚的结构，该半导体基片上带有用于像素选择的晶体管区。液晶板基片带有隔离膜12，第二夹层绝缘膜11，导线膜10，像素电极，和连接插头15。下部模型图形A和上部模型图形B在非像素区中的输入接线端焊盘26的周边上形成。由于在模型图形A和B上形成的第三夹层绝缘膜13的表面高度升高，防止了在该位置处的过度抛光。结果在CMP处理中实现均匀的抛光速度。
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公开(公告)号：CN1174360C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01124662.6
申请日：2001-07-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/133371 , G02F1/133707 , G02F1/133753 , G02F2001/133776
Abstract: 一种电光装置的制造方法及电光装置，制造可以可靠地降低液晶等电光物质中横向电场引起的动作不良并且可以用高对比度进行明亮的高品位的图像显示的液晶装置等电光装置。电光装置在TFT阵列基板(10)上具有像素电极(9a)，在对向基板(20)上具有对向电极(21)。TFT阵列基板上的像素电极基底面在与相邻的像素电极的间隙相对的区域设置了凸部(81、82)。制造方法包括在TFT阵列基板上形成包含配线和TFT等的形成步骤、将包含该图形的基板上的集层体的上面进行平坦化处理的步骤和通过对该平坦化的上面进行光刻和腐蚀处理形成凸部的步骤。
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公开(公告)号：CN1346146A
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN01137232.X
申请日：2001-09-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 平林幸哉
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L31/02164
Abstract: 一种电光装置衬底(10)的制造方法,包含步骤:在透光衬底的一个表面上形成光屏蔽层;布图该光屏蔽层,从而至少在每个要形成晶体管元件(30)的形成区中形成布图的光屏蔽层(11a);在其上已经形成了布图的光屏蔽层的透光衬底的一个表面上形成第一绝缘层(12A);在第一绝缘层上形成第二绝缘层(12B),具有比第一绝缘层更低的抛光率;抛光第二绝缘层的表面;在第二绝缘层的抛光表面上层叠单晶硅层(206);利用单晶硅层形成每个晶体管元件。
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公开(公告)号：CN1202635A
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN98109892.4
申请日：1998-06-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 平林幸哉
IPC: G02F1/133
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/136209 , G02F1/136277 , G02F2001/133357
Abstract: 提供一种用于实现均匀的抛光速度,而不使夹层绝缘膜变厚的结构,该半导体基片上带有用于像素选择的晶体管区。液晶板基片带有隔离膜12,第二夹层绝缘膜11,导线膜10,像素电极,和连接插头15。下部模型图形A和上部模型图形B在非像素区中的输入接线端焊盘26的周边上形成。由于在模型图形A和B上形成的第三夹层绝缘膜13的表面高度升高,防止了在该位置处的过度抛光。结果在CMP处理中实现均匀的抛光速度。
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